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住友化学开发出可适用于大规模量产 GaN-on-GaN 器件的 QF-HVPE 系统
住友化学开发出可适用于大规模量产 GaN-on-GaN 器件的 QF-HVPE 系统
住友化学(Sumitomo Chemical)开发出一种可大规模生产的无石英氢化物气相外延(QF-HVPE)系统,能够制造出据称在室温和低温下均创下迁移率纪录的氮化镓(GaN)材料。该材料已在 4 英寸独立式氮化镓衬底和 6 英寸蓝 ...
分类:    2025-5-26 09:28
宽禁带科技论|北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
宽禁带科技论|北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借低导通损耗、高开关频率等优势,已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用,在消费类电子中获得广泛应用。然而,目前主流的肖特 ...
分类:    2025-5-26 09:26
国产机器人再次采用氮化镓!有何突破?
国产机器人再次采用氮化镓!有何突破?
“GaN的临界点已来!”此前,EPC公司CEO及创始人Alex Lidow在公开文章中直言,并进一步表示,GaN的应用临界点之一的“人形机器人”具有重要意义。近日,一国产人形机器人关节模组成功采用GaN,不仅为国产机器人核心 ...
分类:    2025-5-23 13:50
英飞凌宣布两项合作,助力电能突破
英飞凌宣布两项合作,助力电能突破
近期,媒体报道#英飞凌 两项电源领域合作。5月20日,英飞凌公司表示,将与#英伟达 合作开发下一代电源系统,以革新未来人工智能数据中心所需的电力传输架构。英飞凌表示,该全新系统架构能显著提升数据中心内电能分 ...
分类:    2025-5-23 13:48
吉林大学团队在新型金刚石合成领域取得突破性进展!
吉林大学团队在新型金刚石合成领域取得突破性进展!
四配位(sp3杂化)是碳在高压下的热力学稳定构型。然而,在非常大压力范围内面心立方是热力学最稳定的金刚石结构。因此,如何合成非立方相的新型金刚石材料面临理论和技术上的挑战。近日,吉林大学物理学院、综合极 ...
分类:    2025-5-23 13:47
聚焦SiC光波导降本!6家衬底企业指出破局路径
聚焦SiC光波导降本!6家衬底企业指出破局路径
自2024年Meta宣布其AR眼镜采用碳化硅光波导镜片以来,这一动向迅速成为行业焦点,一场由材料革新驱动的AR眼镜升级潮已然爆发。值得关注的是,XREAL、雷鸟创新、慕德微纳、广纳四维等AR眼镜及硬件厂商已在加速碳化硅 ...
分类:    2025-5-23 13:45
宽带隙半导体,不可或缺
宽带隙半导体,不可或缺
来源:内容编译自electropages。西方国家正在加大国防开支,投资在智能军事技术上。其中, 排名靠前的包括更强大的新型雷达、 抗干扰高频通信系统、射程更远、精度更高的导弹以及电子对抗系统。所有这些加起来,就是 ...
分类:    2025-5-23 13:37
一文看懂芯片的封装工艺(先进封装篇2:晶圆级封装)
一文看懂芯片的封装工艺(先进封装篇2:晶圆级封装)
今天继续讲先进封装。█晶圆级封装我们看下一个先进封装的关键概念——晶圆级封装(Wafer Level Package,WLP)。传统封装,是先切割晶圆,再封装。而晶圆级封装的核心逻辑,是在晶圆上直接进行封装,然后再切割,变 ...
分类:    2025-5-23 13:35
英伟达携手纳微升级电源架构,氮化镓和碳化硅发挥核心作用
英伟达携手纳微升级电源架构,氮化镓和碳化硅发挥核心作用
当地时间5月21日,纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作,共同开发基于氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)技术的800V高压直流(HVDC)电源架构,该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。图片来源 ...
分类:    2025-5-23 09:48
2025年Q1乘用车功率模块装机量:全球SiC产业正进入“8英寸时代”,技术领先性仍是关键 ...
2025年Q1乘用车功率模块装机量:全球SiC产业正进入“8英寸时代”,技术领先性仍是关键 ...
据NE时代数据统计,2025年第一季度中国乘用车功率模块装机量达到348万套,同比增长29.72%。■ 比亚迪半导体增速相对平缓,主要依赖集团内部订单,外部拓展压力大。中车时代半导体8英寸SiC晶圆产线封顶,预计年内量产 ...
分类:    2025-5-23 09:34
【国际论文】KAUST研制出硅衬底上常关型 Ga₂O₃ 功率晶体管
【国际论文】KAUST研制出硅衬底上常关型 Ga₂O₃ 功率晶体管
由阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为 High breakdown voltage normally off Ga2O3 transistors on silicon substrates using GaN buffer(硅衬底上使用氮化 ...
分类:    2025-5-21 10:03
Rivian的关键一局,英飞凌SiC功率模块成胜负手?
Rivian的关键一局,英飞凌SiC功率模块成胜负手?
美国电动车新势力Rivian正将其未来押注于R2车型,而在这场生死存亡的关键战役中,碳化硅(SiC)牵引逆变器功率模块正扮演着决定性的角色。这不仅是Rivian的翻身仗,更是SiC技术在主流市场大规模应用的试金石。关键词 ...
分类:    2025-5-21 10:00
专家风采:突破碳化硅原子级缺陷调控技术 助力第三代半导体国产化
专家风采:突破碳化硅原子级缺陷调控技术 助力第三代半导体国产化
[编者按】本文转载自人民号半岛晨报,作者王瑞,文中报道的香港大学凌志聪教授系我联盟去年主办的"第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024.中国深圳)"特邀报告嘉宾。凌教授在会议上就“SiC器件的缺陷 ...
分类:    2025-5-21 09:46
【优质项目征集】2025宽禁带半导体硬科技路演
【优质项目征集】2025宽禁带半导体硬科技路演
随着“十四五”规划进入攻坚期,宽禁带半导体与智能传感器作为新一代信息技术的核心基石,正加速推动能源电力、新能源汽车、工业互联网等领域的颠覆性变革。然而,当前产业仍面临关键技术“卡脖子”、产业链协同不足 ...
分类:    2025-5-21 09:45
【邀您参会】共同探寻产业链协同发展的关键技术突破:2025宽禁带半导体先进技术创新与 ...
【邀您参会】共同探寻产业链协同发展的关键技术突破:2025宽禁带半导体先进技术创新与 ...
· 会议背景·回顾2024年,宽禁带半导体产业在挑战与机遇并存的道路上取得了显著进展。在新能源汽车,光储充,工业控制,大功率电源等行业,人们对宽禁带半导体器件的接受度大幅提升。从成本角度看,随着技术的不断 ...
分类:    2025-5-21 09:40

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