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矢量科学邀您参加2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛
矢量科学邀您参加2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：深圳市矢量科学仪器有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议 ...
分类:    2025-6-25 09:55
效能革命：第三代半导体如何重塑新能源电力电子装置？
效能革命：第三代半导体如何重塑新能源电力电子装置？
在能源转型与低碳化发展的全球趋势下，新能源电力电子装置作为连接能源生产与消费的核心纽带，其技术革新直接关乎能源利用效率与系统可靠性。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，凭借其超宽禁 ...
分类:    2025-6-25 09:51
耐高温SiC：通往商业化功率器件之路
耐高温SiC：通往商业化功率器件之路
密歇根大学（U-M）获得重要资金支持，以推动耐高温碳化硅（SiC）半导体从实验室走向商用制造。密歇根大学近日获得“硅十字路口微电子共享中心”（Silicon Crossroads Microelectronics Commons Hub）拨款240万美元， ...
分类:    2025-6-24 09:34
西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、赵胜雷教授研究组：利用原位生长技术提高p- ...
西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、赵胜雷教授研究组：利用原位生长技术提高p- ...
GaN基HEMT器件具有耐高压、低损耗、快开关速度、耐高温、抗辐照等特点在5G通讯、数据中心、汽车工业、太空探索等领域具有广泛的应用前景。作为实现常关工作的主要方法之一，具有良好可靠性的p-GaN栅HEMT结构引起了广 ...
分类:    2025-6-24 09:31
东北师范大学李炳生教授团队---具有偏压可调谐光谱选择性响应的高性能Ga₂Ò ...
东北师范大学李炳生教授团队---具有偏压可调谐光谱选择性响应的高性能Ga₂Ò ...
由东北师范大学李炳生教授团队在学术期刊IEEE Electron Device Letters发布了一篇名为Bias-tuned Selective Spectral Response high-performance Ga2O3/GaN Heterojunction Ultraviolet Photodetector（具有偏压可调 ...
分类:    2025-6-24 09:27
2025企创融通汇—“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成 ...
2025企创融通汇—“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成 ...
2025年6月20日，2025企创融通汇——“芯机遇促发展 解锁应用新市场”宽禁带半导体产业问题专家研讨会成功举办，来自高校科研院所、产业链上下游企业及投资机构的40余位代表齐聚一堂，聚焦宽禁带半导体材料与器件产业 ...
分类:    2025-6-24 09:23
5000万人断电20小时！这项技术助力实现电网稳定！
5000万人断电20小时！这项技术助力实现电网稳定！
2025年4月28日，西班牙与葡萄牙遭遇了欧洲近20年来最严重的全国性大停电，影响超过5000万人，持续近20小时。Red Electrica数据显示，2025年4月28日中午过后，西班牙电网负荷突然呈自由落体式下降，骤降超过1000万千 ...
分类:    2025-6-23 09:58
储能采用GaN，出货超120万台
储能采用GaN，出货超120万台
近期，氮化镓在储能、充电桩等领域的应用热度持续攀升，“行家说三代半”发现，铂科电子、得力工具、科乐新能源以及英诺赛科等企业纷纷发力，接连推出基于氮化镓技术的创新产品。铂科：双向储能采用GaN，累计出货120 ...
分类:    2025-6-23 09:56
南邮郭宇锋团队 ISPSD发布超结功率器件物理信息网络智能设计方案
南邮郭宇锋团队 ISPSD发布超结功率器件物理信息网络智能设计方案
半导体产业网获悉：近日，南京邮电大学郭宇锋教授团队在第37届国际功率半导体器件与集成电路会议（37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2025）发表创新研究成果“Intellige ...
分类:    2025-6-23 09:46
【邀请函】丞达精机邀您参会2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
【邀请函】丞达精机邀您参会2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：宁波丞达精机股份有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议期 ...
分类:    2025-6-23 09:44
晶体缺陷多、成本高？这场报告揭秘GaN/AlN生长技术突破关键方案
晶体缺陷多、成本高？这场报告揭秘GaN/AlN生长技术突破关键方案
以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）为代表的III族氮化物半导体，凭借其超宽禁带宽度（GaN~3.4 eV，AlN~6.2 eV）、超高击穿场强、优异的导热性与化学稳定性，已成为支撑新一代光电子器件、射频微波器件和功率电子器件发 ...
分类:    2025-6-23 09:23
SiC外延技术新突破，几乎零缺陷！
SiC外延技术新突破，几乎零缺陷！
前段时间，理想汽车的论文提到碳化硅外延缺陷会导致SiC MOSFET失效，可见降低外延片缺陷是非常重要的。521日，新加坡A-STAR微电子研究所和法国SOITEC发表了一篇文章，题为《SiC外延片迈向无缺陷》。该团队表示，目前 ...
分类:    2025-6-19 09:40
南京大学团队在ISPSD上发布两项氮化镓功率器件辐照效应研究成果
南京大学团队在ISPSD上发布两项氮化镓功率器件辐照效应研究成果
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果近期在日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices ...
分类:    2025-6-19 09:29
卷不动的新能源汽车，要不要试试新方案？来听听的专家怎么说
卷不动的新能源汽车，要不要试试新方案？来听听的专家怎么说
在上周结束的TMC2025这场备受瞩目的高层互动论坛上，一场围绕“混动模块、嵌入式技术与逆变砖，谁才是未来三年降本增效首选技术”的讨论，汇集了来自产业链各环节的顶尖专家。此次讨论由Yole分析师 杨宇博士主持，旨 ...
分类:    2025-6-18 10:00
金刚石：何以铸就下一代辐射探测利器？
金刚石：何以铸就下一代辐射探测利器？
金刚石拥有超宽的禁带宽度（~5.5 eV），这赋予了它极低的本征载流子浓度和暗电流，使其能在室温甚至高温下高效工作，避免了传统半导体探测器（如硅、锗）对低温冷却的苛刻依赖。此外，金刚石还具有极高的载流子迁移 ...
分类:    2025-6-18 09:34
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