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SK Siltron将在美国扩大SiC晶圆生产规模: 密歇根州经济发展局批准了近 600万美元的扩张激励措施韩国企业集团 SK 集团的美国子公司 SK Siltron CSS LLC 计划投资近 3.03 亿美元在密歇根州扩大 SiC 晶圆生产。密歇根州的经济发展局批准了近 600 万美元的激励措 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-7 10:23

碳化硅的化学机械抛光: 碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。晶片的表面 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-2 11:11

射频氮化镓：趋势和方向: 在过去的10年中，氮化镓已经成为一种越来越重要的射频应用技术。氮化镓的材料特性使其器件在功率密度、外形尺寸、击穿电压、热导率、工作频率、带宽和效率方面具有优势。设计师们已经开发出器件解决方案，与竞争性的 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-2 11:11

低成本高性能SiC电力电子技术发展的挑战和应对方法: 湖南大学电气与信息工程学院王俊教授在电源学会会议上的一篇报告文档作者介绍：王俊教授是湖南大学电气与信息工程学院教授、博导，中国功率半导体技术创新与产业联盟专家委员会委员。在功率半导体器件及其电力电子应 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-2 11:11

全球功率器件竞争白热化: 从传统Si功率器件IGBT、MOSFET，到以SiC和GaN为代表的第三代半导体，再到更新一代的半导体材料氧化镓，企业融资并购、厂商增资扩产、新玩家跑步入场、新项目不断涌现，整个功率半导体市场全都沸腾起来了。押注传统Si ...; 分类: 联盟动态 2021-9-2 11:10

一张图系列 | 国内上市公司碳化硅产品进展: 近期，各大上市公司均发布了2021年半年报碳化硅产业链相关上市公司的业绩情况与公司SiC产品进展由于碳化硅材料特殊的物理性质，其晶体生长、晶体切割、晶片加工等环节的技术和工艺要求高，需要长期投入和深耕才能形 ...; 分类: 联盟动态 2021-9-2 11:10

中科半导体GaN衬底等研发生产项目签约赣州经开区，总投资2亿元: 8月17日，赣州经济技术开发区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式，此次集中签约的有6个项目。其中，深圳市中科半导体科技有限公司氮化镓外延片材料和氮化镓单晶衬底材料的研发生产项目，主要生产2-4寸氮化 ...; 分类: 联盟动态 2021-8-26 09:28

昭和电工斥巨资扩产SiC: 日前，昭和电工宣布，将藉由公募增资、第三者配额增资筹措约1,100亿日圆资金，其中约700亿日圆将用于扩增SiC晶圆等半导体材料产能。昭和电工指出，藉由公募增资、第三者配额增资，以及视需求动向将实施超额配售(Over ...; 分类: 联盟动态 2021-8-26 09:27

近52亿元，碳化硅需求再升温: 8月17日，Cree官微宣布，他们与意法半导体更新供货协议，扩大SiC晶圆供应量，合作总额增至51.87亿人民币。而Cree与器件企业的长期合作供货订单合计高达84亿人民币，合作企业包括：安森美、英飞凌和意法半导体等。此 ...; 分类: 联盟动态 2021-8-26 09:26

“十三五”时期我国集成电路产业发展情况分析及对“十四五”展望: 朱晶1，2（1.北京国际工程咨询有限公司，北京 100055；2.北京半导体行业协会，北京 100191）摘要：集成电路产业作为大国博弈和竞争的战略性产业，在“十三五”期间备受全球关注。本文通过研究分析，认为“十三五” ...; 分类: 联盟动态 2021-8-26 09:26

郑有炓院士：第三代半导体迎来新发展机遇: 郑有炓，半导体材料与器件物理专家，中国科学院院士。长期从事半导体异质结构材料与器件物理研究，近年主要致力于第三代半导体材料与器件研究。半导体材料是信息技术的核心基础材料，一代材料、一代技术、一代产业， ...; 分类: 联盟动态 2021-8-17 09:22

氧化镓垂直晶体管具有最高的击穿电压: 4.2kV的击穿电压是传统晶体管的1.6倍新晶科技开发出世界最高击穿电压4.2kV的β-Ga2O3立式晶体管。这比传统晶体管的击穿电压高1.6倍。图1（上图）显示了新开发的β-Ga2O3垂直MOS晶体管的横截面。晶体管是一种垂直器件 ...; 分类: 联盟动态 2021-8-17 09:20

GaN 单晶衬底上同质外延界面杂质的研究: 摘要:氮化镓单晶衬底上的同质外延具有显著的优势，但是二次生长界面上的杂质聚集一直是困扰同质外延广泛应用的难题，特别是对电子器件会带来沟道效应，对激光器应用会影响谐振腔中的光场分布。本文通过金属有机化合 ...; 分类: 联盟动态 2021-8-17 09:19

氮化镓携手快充出圈，火爆背后的冷思考: *本文内容转载自《电子产品世界》的报道《凭借快充出圈的氮化镓，为什么这么火？》，记者白柴，在原文基础上略有删改为什么快充行业会率先用到氮化镓（GaN）？氮化镓快充火爆的背后，除了受消费者需求影响，是否还有 ...; 分类: 联盟动态 2021-8-16 09:14

碳化硅迈入新时代！ST 25年研发突破技术挑战: 1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年，我们决定探讨SiC在当今半导体行业中所扮演的角色，ST的碳化硅研发是如何取得成功的，以及未来发展方 ...; 分类: 联盟动态 2021-8-16 09:13

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