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斯达半导联和华虹半导体量产高功率车规级IGBT
6月24日，华虹半导体有限公司与斯达半导举办“华虹半导体车规级IGBT暨12英寸IGBT规模量产仪式”，并签订战略合作协议。双方共同宣布，携手打造的高功率车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，已通过终端车企产品验 ...
分类:    2021-6-25 11:11
第三代半导体技术“国字号”重器将落地深圳，国家布局背后的深意
深圳、苏州，相隔千里。然而，我国布局的半导体技术“国字号”重器——国家第三代半导体技术创新中心，就偏偏选择了这两座城市。01科技部已正式批复，支持！国之重器，自立之根本。“国家第三代半导体技术创新中心” ...
分类:    2021-6-25 11:11
「倒计时5天」第二届集成电路产业与资本创新论坛
「倒计时5天」第二届集成电路产业与资本创新论坛2021-06-25 10:35·宽禁带联盟主办单位中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会议背景第二届集成电路产业与资本创新论坛全天活动议程主 会 场第三代半导体专场专家介绍1 ...
分类:    2021-6-25 11:07
第三代半导体“国字号”平台落地南京
6月21日，2021南京创新周正式开幕，会上，国家第三代半导体技术创新中心（南京）正式揭牌，落地江宁开发区。国家技术创新中心的建设工作明确于2020年3月，2021年初，科技部印发《关于推进国家技术创新中心建设的总体 ...
分类:    2021-6-24 09:55
湖南三安点亮中国首条碳化硅垂直整合生产线
6月23日上午，位于长沙高新产业园区的湖南三安半导体正式点亮投产。湖南三安半导体总投资160亿元，规划用地面积约1000亩，自2020年7月破土动工，历时不到一年，一座从碳化硅晶体生长到功率器件封测的全产业链现代化 ...
分类:    2021-6-24 09:55
斯达半导体刘志红：下一代电驱系统与SiC的结合应用
今天非常荣幸在这里有机会给大家介绍下一代电驱系统的分享，结合斯达产品的发展现状和后面的规划作一下简要介绍。主要是四个方面，第一个是下一代电驱系统对功率器件的要求，第二个是碳化硅器件的发展现状及趋势，第 ...
分类:    2021-6-24 09:54
SiC的绝佳风口
日本市调机构Fuji Keizai指出，因汽车/电子设备用需求大幅萎缩，拖累2020年全球功率半导体市场规模年减3.8%，其中硅(Si)制产品规模萎缩4.0%，SiC等第三代化合物半导体产品市场增长9.6%。Fuji Keizai表示，2020年功率 ...
分类:    2021-6-21 08:53
【联盟动态】【会员福利】展位限量放送！第二届集成电路产业与资本创新论坛平行分会场
展位限量放送！第二届集成电路产业与资本创新论坛平行分会场2021-06-21 08:48·宽禁带联盟主办单位中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟会议背景第二届集成电路产业与资本创新论坛全天活动议程主 会 场第三代半导体专 ...
分类:    2021-6-21 08:52
氮化镓在射频电子中的应用
近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求，如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波 ...
分类:    2021-6-21 08:51
日企成功量产100毫米氧化镓晶圆，将于今年内开始供应
由日本电子零部件企业田村制作所和AGC等出资成立的Novel Crystal Technology在全球首次成功量产以新一代功率半导体材料“氧化镓”制成的100毫米晶圆，将于2021年内开始供应晶圆。△Source：Novel Crystal Technology ...
分类:    2021-6-18 09:03
【联盟动态】2021中国半导体新材料发展（太原）论坛隆重开幕
6月17日，2021中国半导体新材料发展（太原）论坛在龙城太原顺利开幕。来自300多家单位的近500名专家、学者、行业精英齐聚一堂，共同探讨半导体新材料的未来发展之路。本届论坛以“聚焦新材料 探讨新机遇”为主题，旨 ...
分类:    2021-6-18 09:03
氧化镓——新一代半导体材料
根据《日本经济新闻》6月16日报道，日本新创公司 Novel Crystal Technology, Inc. 在同 (16) 日宣布，该公司领先全球、成功完成了新一代半导体材料「氧化镓」(Ga2O3) 的 4 吋 (100mm) 晶圆量产。氧化镓的别名是三氧 ...
分类:    2021-6-18 09:02
无微管缺陷六英寸SiC单晶的制备
张福生，杨 昆，刘新辉，路亚娟，牛晓龙，尚远航，李婷婷(河北同光晶体有限公司，河北保定 071051)摘要：SiC单晶衬底中的微管缺陷对SiC基器件是一种致命的缺陷，会严重影响SiC功率器件的成品率。基于物理气相传输(PV ...
分类:    2021-6-18 09:01
氮化镓射频器件市场2026年将达到24亿美元，复合年均增长率为18%
法国市场分析公司悠乐（Yole）在其报告《2021氮化镓射频市场：应用、主要厂商、技术和衬底》中预测，氮化镓（GaN）射频器件市场正以18%的复合年增长率（CAGR）增长，从2020年的8.91亿美元到2026年的24亿美元以上。该 ...
分类:    2021-6-16 14:38
美海军研究实验室转让1200V GaN功率开关晶圆制造技术
美国海军研究实验室大功率器件和大功率电子部门的负责人、电气工程师KarlHobart和Francis Fritz Kub研究出大面积工程氮化镓（GaN）晶圆衬底。技术提出从历史上看，氮化镓晶圆一直存在着缺陷，比如与硅的热膨胀不匹配 ...
分类:    2021-6-16 14:37
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