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《宽禁带半导体大讲堂第五期如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发 ...: 5月13日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、是德科技(中国)有限公司、机械工业出版社、中国电工技术学会科技传播与出版专委会联合主办的“宽禁带半导体大讲堂第五期——如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑 ...; 分类: 联盟动态 2025-5-15 09:23

全球首个氮化镓量子光源芯片发布: 5月9日，电子科技大学教授、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心主任周强，正式发布了全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性成果标志着中国在量子科技领域迈出了重要一步，为量子互联网的发展提供了关键硬件支撑 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-14 09:32

比5G快10倍！第三代半导体材料在5G-A技术中的作用分析: 近日，据人民日报消息比5G快10倍的5G-A信号，出现在很多人的手机上，那么5G-A是什么？目前，各大运营商都在积极部署 5G-A 网络，并取得了显著进展：中国移动表示，今年将投资近百亿元，进一步扩大5G-A中的无线网络AI ...; 分类: 新闻通知 2025-5-14 09:30

中国工程院院士屠海令以创新引领材料领域突破，筑牢制造强国基石: 近日，中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有研科技委主任屠海令受邀参加“对话新国企·科技创新主力军”系列融媒体访谈，讲述在这条布满挑战的攀登之路上，中国科技工作者正以“十年磨一剑”的定力 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-12 10:25

宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（四月）: 为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-12 09:36

三菱出货全SiC和混合SiC SLIMDIP样品: SLIMDIP系列首批SiC模块可为节能家电提供高输出功率和低功率损耗三菱电机公司于2025年4月22日开始出货用于室内空调和其他家电的两款新型SLIMDIP系列功率半导体模块样品，这两款模块分别是全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-9 09:37

长城电源为何联手英诺赛科？解密背后的GaN技术创新: 在数据中心与服务器电源领域，一场技术革新正席卷全球。谷歌、华为、浪潮、台达等一众领军企业，纷纷将目光投向氮化镓（GaN）技术，积极将其引入高性能电源设备。基于氮化镓的新一代钛金级电源系统，正以势不可挡之 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-9 09:36

功率半导体领域新添两起合作！: 功率半导体技术正成为推动新能源汽车、工业自动化、可再生能源以及家电智能化等多领域发展的关键力量。2025年5月，赛米控丹佛斯与中车时代半导体签署合作备忘录，英诺赛科与美的厨热达成 GaN 战略合作，共同推动功率 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-9 09:34

中国科学院宁波材料所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展: 近日，中国科学院宁波材料技术与工程研究所郭炜研究员在GaN HEMT器件研究中取得新进展，相关工作以Al2O3/in-situGaON gate dielectrics incorporated GaN MIS-HEMTs with stable VTH and significantly reduced inte ...; 分类: 新闻通知 2025-5-8 13:12

英飞凌、基本半导体发布碳化硅技术新进展: 碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其耐高压、高频、高温等特性，正成为新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域的技术变革引擎。近期，基本半导体、英飞凌相继宣布获得碳化硅新突破：基本半导体推出新一代 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-8 13:11

【专家观点】我国碳化硅产业助力新型电力系统建设: 碳化硅因其出色的高功率密度、耐高压高温、低能耗及抗辐射等性能，在新能源汽车、5G通信、高效电源、智能电网等领域展现出巨大的市场潜力。我国碳化硅产业起步于本世纪初，目前已在碳化硅材料及器件研制上取得一系列 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-8 13:08

武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割：理论与实验研究: 武汉大学刘胜院士、吴改副研究员、沈威副研究员团队在学术期刊Journal of Materials Science Technology发布了一篇名为 Laser stealth dicing of β-Ga2O3: Theoretical and experimental studies（β-Ga2O3 激光隐 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-8 09:50

衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究: β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料，因优异的物理特性（如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm）在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而，高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-7 10:05

揭秘上海车展“隐形主角”：碳化硅如何让新能源车跑得更远更快？: 2025年上海车展已经圆满闭幕，近百款新车型在上海车展首发，吸引全球汽车行业目光。据知名咨询机构Yole预测，2030年碳化硅市场规模将突破100亿美元，而在本次上海车展展出的数十款全新发布的新能源车型中，据行家说R ...; 分类: 新闻通知 2025-5-7 09:39

免费报名如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？: 在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信，新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前，宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-7 09:32

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