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投资80.5亿元！新微化合物半导体项目封顶: 5月8日上午，新微半导体化合物半导体量产线洁净厂房结构封顶仪式在闵行开发区临港园区正式开始。据悉，该项目一期计划投资15亿人民币，建设一条4英寸光电芯片和一条6英寸射频芯片产线，预计将于2021年四季度建成并投 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-14 18:10

2026 年市场将达 11 亿美元！GaN功率芯片市场年增 70%: 根据外媒 The Elec 消息，研究机构 Yole Development 近日公布了 2020-2026 年氮化镓功率芯片市场报告。报告显示全球功率氮化镓芯片市场将在未来 5 年持续增长，每年增长率达到 70%。Source：Yole统计数据显示，2020 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-13 09:48

对中国至关重要的氮化镓（GaN）: 新华社在两会授权下发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，揭示有待突破的科技前沿领域。而近来倍受关注的氮化镓(GaN)则与关键半导体制造材料、先进制程、碳化硅(SiC)、IG ...; 分类: 联盟动态 2021-5-13 09:44

比亚迪宣布拟将比亚迪半导体分拆上市: 5月11日晚间，比亚迪有限公司（以下简称“比亚迪”或“公司”）发布公告称，拟将控股子公司比亚迪半导体股份有限公司（以下简称“比亚迪半导体”）分拆至深交所创业板上市。本次分拆完成后，比亚迪的股权结构不会发 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-13 09:44

东芝发布碳化硅（SiC）功率模块新技术: 与硅相比，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，且被广泛视为功率器件的新一代材料。虽然目前主要应用于火车的逆变器上，但是很快将被广泛用于光伏发电系统和汽车设备等高压应用。可靠性是碳化硅器件使用受限的主 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-13 09:43

【政策】“十四五”重点研发计划来了！一起来划重点: “十四五”重点研发计划; 分类: 联盟动态 2021-5-12 11:24

宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究: Ⅲ-V族氮化物是当前十分热门的光电半导体材料之一，氮化镓(GaN)作为其中具有代表性的第三代半导体，具有高禁带宽度、直接带隙、导热性和稳定性好等优点，十分适合制备光电子器件和微波射频器件。GaN在传统生长过程中 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-12 11:23

一种发现GaN缺陷的新方法: 大阪大学的研究人员报道了一种用于评估GaN晶体质量的无损方法。他们的发现发表在《应用物理快报》上GaN开关电源器件具有许多优势，包括高频，高功率，低导通电阻和高击穿电压。为了利用这些特性，GaN晶体的缺陷密度 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-12 11:23

碳化硅：IDM or 代工？: 近期媒体报道，4月29日，台湾官方通过了8件投资案，其中包括汉磊科技，它将在竹科投资50亿新台币（约11.6亿人民币），全力发展化合物半导体技术，包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）外延和器件代工。碳化硅：IDM or ...; 分类: 联盟动态 2021-5-12 11:22

中关村天合宽禁带联盟关于同意第五批团体标准立项申请的公告: 各相关单位：2021年中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第五批团体标准研讨会于4月29日在中科院物理所M楼二层249会议室召开，由联盟标准化委员会与会委员表决，通过《碳化硅外延层载流子浓度测定—非接触电容-电压法 ...; 分类: 公告通知 2021-5-10 14:16

韩国的第三代半导体破局之路: 就在几天前（5月3日），韩国宣布启动“X-band GaN半导体集成电路”国产化课题。韩国无线通信设备半导体企业RFHIC（艾尔福）被选定为课题牵头企业，SK Siltron将参与SiC基板/GaN树脂的制作，LIG nex1负责系统的验证， ...; 分类: 联盟动态 2021-5-10 09:27

氮化镓芯片供应商Navitas上市: GaN功率集成电路行业的领导者Navitas今天宣布，为了实现上市目的，公司已经进入了一个与Live Oak Acquisition Corp. II（“ Live Oak II”）合并的最终协议。此次交易对合并后的实体进行估值，其备考股权价值为14亿 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-10 09:26

富士通首次展示氮化铝衬底生长氮化镓应用潜力: 当前在GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓），其中GaN-on-SiC则结合了SiC优异的导热性和GaN的高功率密度和低损耗的能力，射频性能更好。美国科锐Cree（ ...; 分类: 联盟动态 2021-5-10 09:26

用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET: 01技术回顾不过最近几十年来，它已被用作电子材料，最初用于发光二极管（LED），最近又被用于电力电子设备，包括肖特基势垒二极管（SBD），结型场效应晶体管（JFET）和MOSFET晶体管。由于SiC MOSFET具有取代现有的硅 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-10 09:26

英飞凌进一步加码SiC: 据日经报道，日本公司昭和电工周四表示，公司已与英飞凌科技公司签订了为期两年的合同，向德国芯片制造商提供碳化硅晶圆，碳化硅晶圆是用于电动汽车充电器和太阳能发电的功率半导体器件的关键输入。这项交易使英飞凌 ...; 分类: 联盟动态 2021-5-8 09:26

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