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保时捷/博世：碳化硅嵌入式逆变器亮相，功率达720kW: 近期，弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所 (IZM) 的研究人员宣布，他们与保时捷和博世合作开发了一种新型逆变器Dauerpower，目标是突破传统主驱逆变器不可能实现的界限。据介绍，Dauerpower的峰值效率高达98.7%，其瞬时 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-25 09:00

利用p型氧化物提高GaN二极管的性能: 瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）报告称，通过在漂移层与高空穴密度p型非晶氧化镍层之间插入p型掺锂氧化镍（p-LiNiO）晶状层，p型氧化物/氮化镓（GaN）异质结（HJ）PiN双极二极管的性能有了显著提高。整个器件实现了1. ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 10:06

特斯拉专家访谈：GaN车载应用已成趋势: 2024年10月，特斯拉技术专家接受了国外咨询机构的调研，其深度解析了氮化镓技术在汽车领域的应用前景与挑战，同时还对D-mode / E-mode/直驱/单片集成等技术路线以及氮化镓主流玩家进行了点评。“行家说三代半”对该 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 10:02

基于n+-GaN 盖帽层的 Si 基 AlGaN/GaN 凹槽阳极功率器件的设计与研制: 近期，河北工业大学、广东工业大学展开联合研究，成功研制出具有沟槽n+-GaN盖帽层Si基AlGaN/GaN凹槽阳极肖特基势垒二极管（SBD），同时开发出仿真物理模型。借助沟槽n+-GaN盖帽层与薄Si3N4介质层的协同效应，实现了 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 09:56

【免费报名】如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？——宽禁带 ...: 在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信，新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前，宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 09:50

哈工大最新成果，高导热金刚石复合材料异构成型技术: AI、新能源汽车等领域的高速发展，带动电子芯片功率不断上升，高功率散热技术成为了未来芯片技术的关键领域之一。为应对复杂高热流密度散热应用场景，立足于金刚石超高导热性，高导热金刚石复合材料异构成型技术备受 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-23 09:39

清纯半导体、VBsemi两家大厂推出第3代SiC MOSFET产品: 近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01.清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-23 09:36

投资3.1亿元，英飞凌无锡功率半导体项目扩产: 4月15日，上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价（环评）公告。此次扩建项目拟新增总投资3.1亿元人民币，旨在进一步提升其在汽车功率半导体领域的产能 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-23 09:34

2年供应数十万辆车！芯联集成SiC做对了什么？: 近日，芯联动力董事长、芯联资本创始合伙人袁锋在“第19届中国投资年会·年度峰会”上发表了《新时代的产业投资：从Capital到Connection”》的主题演讲，在演讲中指出了目前国产芯片陷入的“车规级困局”：● 中国电 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-23 09:31

新增13起GaN订单/合作，Al应用成聚焦点: 近日，国内外多家氮化镓企业纷纷宣布最新订单与合作进展，这表明氮化镓技术的市场渗透速度正在加快，推动下游应用向高效能、低功耗方向转型升级：芯干线：获得多个一线品牌订单4月17日，芯干线在官微透露，他们今年 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-22 10:17

武大-中国科大团队演示了GaN器件的新型温度监测技术: 基于多波长激光的瞬态热反射技术可对GaN器件进行准确、实时的沟道温度监测武汉大学（WHU）、中国科学技术大学（USTC）、工业和信息化部电子第五研究所（CEPREI）的研究人员为GaN HEMT开发了一种新型温度表征方法。基 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-22 10:11

博世(BOSCH) 碳化硅（SiC）技术：赋能电动汽车产业的未来: 随着电动汽车（EV）行业的快速发展，碳化硅（SiC）技术已经成为推动汽车产业革新的关键力量。博世（Bosch）作为全球领先的汽车半导体供应商，凭借超过20年的SiC技术积累，正在为未来的电动汽车电气化铺设坚实的技术 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-22 10:10

镓仁&浙大︱博士后招聘启事: 一、工作站简介杭州镓仁半导体博士后工作站联合浙江大学博士后流动站。研究团队由中科院院士杨德仁领衔，博士后研究工作由浙江大学教授张辉指导开展。博士后研究工作主要针对氧化镓晶体生长、外延、加工、缺陷等方面 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-22 09:29

2025宽禁带半导体硬科技路演项目征集令: 随着“十四五”规划进入攻坚期，宽禁带半导体与智能传感器作为新一代信息技术的核心基石，正加速推动能源电力、新能源汽车、工业互联网等领域的颠覆性变革。然而，当前产业仍面临关键技术“卡脖子”、产业链协同不足 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-22 09:27

论文推介丨山东大学/晶镓半导体 · 成功研发4英寸高质量GaN单晶衬底: 氮化镓（GaN）晶体作为第三代宽禁带半导体的代表性材料，具有带隙宽、击穿电压高、热导率高、抗辐射能力强等优异性能，在蓝绿激光器、有源相控阵雷达、电力电子器件等领域具有重要应用。HVPE方法因其生长条件温和、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-21 09:32

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