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英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书- 沟槽式SiC MOSFET的雪崩能力: 雪崩鲁棒性是SiC功率MOSFET的另一个可靠性话题，不能忽视。恶劣工况下的雪崩事件可能导致器件退化甚至彻底损坏。因此，摸清器件的极限、确保客户应用中的安全运行，至关重要。电路中的杂散电感（或称为寄生电感）是S ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:27

氧化镓全景解读| EFG：氧化镓衬底商业化的先行路径: 导读：在上期内容中，我们介绍了氧化镓几种主流熔体法生长技术的基本原理。其中，CZ法（提拉法）、EFG法（导模法）以及VB法（垂直布里奇曼法），均已成功用于大尺寸β-Ga2O3单晶衬底的制备。氧化镓全景解读 | 氧化镓 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:21

SiC JFET和双向GaN推动固态断路器市场增长，2032年全球SSCB市场达81.7亿美元: 以SiC JFET、双向GaN为代表的宽禁带半导体正推动固态断路器市场快速增长。宽禁带半导体（WBG）的转向为固态断路器（SSCB）注入了一剂强心针。凭借更高的击穿电压和开关频率、更低的导通损耗以及更高的工作温度，SSCB ...; 分类: 新闻通知 2026-6-25 09:16

重磅亮剑！西电成功斩获4台固态变压器出海订单！南瑞继保发布2.5MW固态变压器整机！占 ...: 在电力行业沉寂多年的固态变压器（SST），2026年突然站到了产业风口中央。今年以来四方股份、智光电气、伊戈尔、伊顿、台达、新风光、为光能源等企业密集发布固态变压器(SST)新品。从2.4MW到4.2MW，从数据中心到移动 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-22 09:55

博泰车联联合福耀科大布局硅光与第四代半导体: 2026年6月17日，博泰车联（2889.HK）与新型研究型大学福建福耀科技大学（以下简称：福耀科大）正式签署合作协议。签约仪式现场，福耀集团董事长曹晖、博泰车联创始人、董事长应宜伦及福耀科大常务副校长张福利共同作 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-22 09:55

【氮化镓简报】4-5月深空宇航与AI计算双向突破，家电加速渗透: 2026年4-5月，氮化镓（GaN）领域在前沿探索、应用落地与产能扩充三线并行推进，多点突破。前沿探索：北大实现万伏级增强型器件；英特尔实现最薄GaN芯片与数字电路单片集成；斯坦福/宾州州立突破自热限制。应用落地： ...; 分类: 新闻通知 2026-6-22 09:53

关于征求《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》等两项团体标准意 ...: 各有关单位、各标委会代表：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，中国科学院电工研究所等相关单位共同起草的《电动汽车用功率半导体器件可靠性试验通用要求及试验方法》团体标准，以及西安晟光硅研半导体 ...; 分类: 公告通知 2026-6-18 15:46

IAV & 安世半导体：双向GaN重构800V汽车架构: 最近，IAV和安世半导体在2026年PCIM欧洲展公布了一项新技术，有望通过双向氮化镓器件对新能源汽车的800V架构进行重构，并大幅减少转换电路和子部件。6月11日，IAV和安世半导体双方共同宣布，他们在已经合作开发了新 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 10:08

2026年：SiC和GaN功率器件如何重新定义AI数据中心与800V电动汽车: 2026年6月16日，电子元器件分销平台Utmel发表行业分析文章《SiC and GaN in 2026: How SiC and GaN Power Devices are Redefining AI Data Centers and 800V EVs》。文章综合了2026年关于SiC和GaN功率器件如何部署的 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 10:03

碳化硅，进入AI时代: 受各行业加速电气化和提高能源效率需求的推动，碳化硅（SiC）器件市场预计到2031年将保持强劲增长。预计到2031年，该市场规模将达到约110亿美元，这得益于约20%的强劲复合年增长率以及在汽车、工业和能源应用领域的 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 10:00

【碳化硅简报】4-5月AI数据中心与SST应用加速落地，车规量产稳步攀升: 2026年4-5月，碳化硅（SiC）领域，呈现从地方政策、前沿技术到产业应用的全面进展。技术攻坚：浙大科创中心突破300μm超厚外延薄膜；国创中心（苏州）激光切割效率提升20倍；上海电机学院验证12英寸生长兼容性。装备 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-18 09:18

SiC MOSFET 解说：— 看懂结构图中的P base中的 P⁺，炸管元凶之一: 今天这篇聊聊 P-base（P 基区）旁边的 P⁺ 是什么作用。前两篇为了方便看图，没有画出这个 P⁺。P⁺ 的位置如下图所示，右边是英飞凌 MOSFET 芯片结构。每家芯片都有这个设计，只是具体形状和位置有 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 10:16

GaN征服AI数据中心：KnowMade报告勾勒战略扩张路径: 6月15日，法国知识产权咨询公司KnowMade发布了GaN研发月度监测报告，报告显示，到2026年4月，全球GaN领域将发表超过327篇新科学出版物和362项新专利，学术界与产业界的竞争加剧，占比最大的是电子应用领域，有162篇 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 10:09

韩国投 5000 亿韩元攻关 SiC/GaN，日本设备销售额首破 5.5 万亿日元: 6月14-15日，韩国与日本几乎同时释放宽禁带半导体领域的政策信号。韩国启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约22.3亿元人民币）攻关下一代功率半导体；日本半导体制造设备协会预测，日本产设备销售额本财 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 10:06

Wolfspeed 发布第五代 SiC MOSFET 技术，助力汽车与工业应用效率跃升: 2026 年 6 月 9 日，Wolfspeed 宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅 MOSFET 技术，在比导通电阻方面实现重大突破。相较目前市面同类 1200V 竞品方案，效率最高可提升 27%。该项技术彰显 Wolfspeed 深耕碳化硅功率器件、赋 ...; 分类: 新闻通知 2026-6-17 09:28

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