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广州拓诺稀实现氧化镓 (010) MOCVD厚膜迁移率达 160 cm2/V・s: 近日，广州拓诺稀科技有限公司（以下简称为“公司”）在氧化镓（010）厚膜外延领域取得重要进展。公司采用MOCVD技术，在（010）同质外延方向上实现高质量厚膜生长，外延膜为单晶结构，室温迁移率达到160 cm2/V·s， ...; 分类: 新闻通知 2026-9-23 09:25

SST元年！央视专题报道固态变压器，千亿赛道即将启航: 01.央视专题报道固态变压器，千亿赛道即将启航随着AI数据中心向GW级园区扩张，单机柜向MW级扩张。传统“中压交流→工频变压器→低压交流→UPS/整流→服务器电源”的多级供电架构开始面临占地、铜耗和转换效率压力， ...; 分类: 新闻通知 2026-9-23 09:23

和其光电2027届校园招聘正式启动: 追光而行筑梦光子和其光电2027届校园招聘正式启动// 关于我们//西安和其光电科技股份有限公司成立于2011年8月，办公及厂房面积近30000平方米，员工近500人。由中科院西安光机所孵化，承袭60余年光学技术积淀。公司 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-21 10:30

张源涛/李晓航等 Light | 极性面上高性能微弱极化电场Ⅲ族氮化物LED: 撰稿 | 课题组撰稿导读随着显示技术的不断发展，虚拟现实（VR）、增强现实（AR）等近眼显示应用对微显示芯片的亮度、分辨率、稳定性和集成度提出了更高的要求。微型发光二极管（micro-LED）因其具有高亮度、长寿命和 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-21 10:14

攻克世界性难题：6英寸(001)零孪晶氧化镓实现重大产业化突破: 氧化镓是第四代超宽禁带半导体材料，正成为特高压功率器件、航空航天、储能电力电子领域的核心底层材料。而(001)晶向零孪晶氧化镓衬底制备难度极高，在全球范围内被长期视为行业公认的高难度技术瓶颈。今天，国镓晶 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-21 10:07

【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院2027届校园招聘精彩启程！: 分类: 新闻通知 2026-9-20 09:25

前沿技术：Qorvo 推出 220W 碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）HEMT: 导读：220W的单管功率在L波段雷达里意味着什么？当射频巨头Qorvo推出QPD1426时，工程师们讨论最多的不是价格，而是散热极限与阵列体积的全新平衡。“现在的相控阵雷达系统，表面上看是算法在拼精度，藏在天线罩底下 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-20 09:22

SiC衬底和外延片有什么不同？功率器件为何两者都要: SiC功率器件并不是直接在一块普通碳化硅晶圆上刻出来的。工程上通常先制备单晶衬底，再在表面生长高质量外延层，器件的关键结区才构建在这层材料中。读完本文，你应能区分衬底与外延片，解释外延层为何同时牵动耐压 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-20 09:12

【行业人才招聘】长飞先进半导体2027届校园招聘正式启动！: 来源：长飞先进注：本文由作者原创,由联盟编辑整理。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-9-18 09:48

太空造半导体成真！Besxar首飞成功，GaN晶圆顺利上天: 华盛顿特区初创企业迈出太空半导体制造第一步总部位于美国华盛顿特区的初创企业Besxar，致力于在太空环境制备半导体材料，近日公布其首次飞行任务——“阿西莫夫任务（Besxar Flight-1 Mission Asimov）”的试验成果 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-18 09:47

Resonac宣布企业实现SiC单晶12吋突破: 9月15日，日本Resonac宣布，他们最近也成功开发出12英寸SiC单晶，并加工成衬底，达成了SiC衬底大直径和高质量发展的重要技术里程碑。单看这个事件，这或许只是又一条普通的技术突破类新闻，但是如果结合另外2家国外 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-18 09:46

安森美推出嵌入式平台，SiC与Si实现晶圆级集成: 9月16日，安森美宣布推出嵌入式电源平台——EPP。据悉，该平台以硅晶圆本身作为封装基础，可将多个芯片集成到单个硅器件中，为汽车、工业和人工智能数据中心市场提供了一种高度集成的电源系统设计方法。安森美半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-18 09:26

【行业人才招聘】青禾晶元2027届校园招聘正式启动！: 关于青禾晶元青禾晶元集团是先进半导体键合集成技术与方案提供商，核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺服务，技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域，通过 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-17 11:54

英飞凌SolarEdge扩大合作，为800 VDC AI数据中心提供固态保护方案: 英飞凌与SolarEdge扩大合作，为800 VDC AI数据中心提供固态保护方案；双方将合作拓展至固态断路器（SSCB）技术领域，契合800 VDC架构的行业领先框架；固态断路器技术可在直流故障发生时实现远快于传统机电式断路器的 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-17 11:51

光模块CPO的关键材料：氮化铝衬底: 只有芯片才是核心？激光器越来越热氮化铝开始走到台前CW激光器功率从几十毫瓦向100mW、300mW、400mW甚至更高推进以后，产业开始发现：把光做出来只是第一步，能不能把热导出去，同样决定这颗激光器能跑多远。氮化铝 ...; 分类: 新闻通知 2026-9-17 11:50

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