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下级分类:  公告通知|联盟动态
SiC中介层,成为新热点
SiC中介层,成为新热点
过去几个月,台湾半导体产业的碳化硅产业链快速升温,原因竟和英伟达有关。今年5月,全球碳化硅龙头Wolfspeed宣布破产,但是,同一个月,环球晶董事长徐秀兰却表示,环球晶将和客户共同开发碳化硅新产品。加码碳化硅 ...
分类:    2025-9-5 09:14
镓仁半导体 8 英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓,国际领先!
镓仁半导体 8 英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓,国际领先!
2025年7月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底通过了国内/国外知名机构的检测,并联合发布检测结果。第三方检测结果表明,8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽30 arcsec,达到国际领先水平。8 ...
分类:    2025-9-5 09:12
【学术进展】 Si基AlGaN/GaN功率半导体器件的研制和TCAD模型研究
【学术进展】 Si基AlGaN/GaN功率半导体器件的研制和TCAD模型研究
背景与亮点以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体功率器件具有优异的高频特性、高功率密度和能量转换效率,因此在数据中心、消费电子、电动汽车、光伏等领域展现出广阔前景;也为GaN在低成本和大规模Si衬底上的异质外延技 ...
分类:    2025-9-5 09:05
新增6起SiC合作,聚焦主驱应用、高压超结等
新增6起SiC合作,聚焦主驱应用、高压超结等
近日,碳化硅领域新增多起合作,涉及基本半导体、东芝电子元件、宏微科技、英搏尔、芯华睿、新洁能等企业,有望持续推动碳化硅技术降本增效与规模化落地:基本半导体:与东芝、中汽芯达成SiC合作近日,基本半导体在 ...
分类:    2025-9-4 09:11
宽禁带科技论|北方工业大学和西安交通大学实现在金刚石/LaB6 SBD宽能级范围界面态的精 ...
宽禁带科技论|北方工业大学和西安交通大学实现在金刚石/LaB6 SBD宽能级范围界面态的精 ...
近日,北方工业大学张旭芳副教授和西安交通大学王玮副教授在表界面领域权威学术期刊Surfaces and Interfaces发布了一篇名为Interface state extraction in LaB6/O-diamond SBDs by temperature-dependent C–V and J ...
分类:    2025-9-4 09:10
【科研速递】新加坡团队首次实现硅基GaN HEMT在D波段功率放大应用
【科研速递】新加坡团队首次实现硅基GaN HEMT在D波段功率放大应用
新加坡研究人员首次报道了在硅基(Si)衬底上制备的金刚石氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),该器件设计用于D波段(110–170GHz)射频(RF)频率范围,可实现超过0.1太赫兹(100GHz)的亚太赫兹(sub-THz) ...
分类:    2025-9-3 09:22
2025年工程师跨界沙龙-宽禁带半导体大讲堂:XR浪潮下的碳化硅机遇,下一代视觉技术的 ...
2025年工程师跨界沙龙-宽禁带半导体大讲堂:XR浪潮下的碳化硅机遇,下一代视觉技术的 ...
为推动北京国际科技创新中心建设,加速宽禁带半导体材料在扩展现实(XR)技术攻关与跨界融合,8月29日下午,由北京市科学技术协会创新服务中心主办、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟等单位承办的"2025年工程师 ...
分类:    2025-9-2 09:29
宽禁带科技论|北京大学提出创新方法攻克900V GaN-on-Si功率器件背栅效应
宽禁带科技论|北京大学提出创新方法攻克900V GaN-on-Si功率器件背栅效应
氮化镓(GaN)功率器件以其导通电阻低、击穿电场高、开关速度快的特点,在能量转换领域受到了广泛的关注。目前,由于硅晶圆低廉的价格,以及硅基工厂的成熟性,650 V电压等级的硅基氮化镓(GaN-on-Si)器件已得到商 ...
分类:    2025-9-2 09:25
APCSCRM 2025 注册开启!第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议
APCSCRM 2025 注册开启!第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议
当前,以SiC、GaN、Ga2O3、AlN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料正迎来产业化突破的关键期。随着8英寸SiC衬底量产工艺的突破,碳化硅器件在新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域实现规模化应用;GaN技术则从消费 ...
分类:    2025-8-29 09:04
麻省理工学院:世界首个光控垂直GaN finFET
麻省理工学院:世界首个光控垂直GaN finFET
本文转自:IEEE Electron Device Letters (Volume: 45, Issue: 5, May 2024)作者:Jung-Han Hsia; Joshua Andrew Perozek; Tomás Palacios本研究提出了一种新型的光控垂直 GaN finFET,可通过低功率紫外光(UV)直 ...
分类:    2025-8-27 13:13
韩国650V氮化镓功率半导体,实现首次量产
韩国650V氮化镓功率半导体,实现首次量产
近日,韩国半导体公司ChipScale宣布,已经成功量产650V氮化镓功率半导体,成为韩国首家实现这一技术的公司。#ChipScale 是一家韩国无晶圆厂(Fabless)半导体公司,位于京畿道,专注于氮化镓(GaN)功率半导体的设计 ...
分类:    2025-8-27 09:18
AR眼镜线下体验!工程师跨界沙龙8月29日邀请您参会
AR眼镜线下体验!工程师跨界沙龙8月29日邀请您参会
当前,扩展现实(XR)正以前所未有的速度重塑人机交互与数字体验边界,AR眼镜作为XR核心载体之一,已逐步渗透工业、医疗、消费电子等领域,但其性能提升与规模化落地仍面临关键瓶颈——光学系统的小型化、高透光率与 ...
分类:    2025-8-27 09:17
揭秘PCB嵌入式封装技术,如何为GaN器件注入强劲“芯”跳?
揭秘PCB嵌入式封装技术,如何为GaN器件注入强劲“芯”跳?
近年来,一种名为“PCB嵌入式封装”的创新技术应运而生。它打破常规,直接将半导体裸芯片“埋入”多层印刷电路板(PCB)内部,实现了封装与电路板的一体化。这项技术不仅能显著缩小设备尺寸,还能带来更优越的电气和 ...
分类:    2025-8-26 09:34
趋势丨支付破局,中国AI眼镜走向“头号赢家”
趋势丨支付破局,中国AI眼镜走向“头号赢家”
前言:2025年被业内称为“AI眼镜元年”,Rokid、魅族、夸克、小米、雷鸟等中国厂商密集发布新一代智能眼镜新品。尽管技术路线各异——Rokid深耕语音交互,魅族主打空间计算,夸克结合生成式AI与视觉搜索,小米聚焦摄 ...
分类:    2025-8-26 09:31
赞 评论 收藏 分享 从SiC、GaN到金刚石:清华&山大团队解读功率半导体热管理的下一 ...
赞 评论 收藏 分享 从SiC、GaN到金刚石:清华&山大团队解读功率半导体热管理的下一 ...
当你用享受轨道交通带来的出行便利、给电动车充电,或是在工业车间看到高速运转的电机时,可能不会想到,这些高效能源转换的背后,隐藏着一场与 “热量” 的持久博弈。功率电子系统正以惊人的速度提升效率与功率密度 ...
分类:    2025-8-26 09:27

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