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发力化合物半导体，合肥高新区出台新方案！: 近日，合肥高新区出台《合肥高新区化合物半导体产业发展实施方案》。主要目标是围绕碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)及氧化镓(Ga203)、金刚石等材料，到2027年，合肥高新区形成以衬底和外延材料 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:48

国联万众8英寸晶圆产线成功通线: 近日，位于中关村顺义园的第三代半导体领军企业——北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）成功实现8英寸碳化硅（SiC）芯片晶圆工艺线通线。这一技术突破标志着我国在第三代半导体领域取得了重要进 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:45

宽禁带科技论|芯三代： 8英寸晶圆上生长4H-SiC外延层及重复性研究: 引言第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide, SiC)材料从2英寸、3英寸、4英寸到6英寸的发展历程，已经证明了扩大尺寸可以显著提升SiC芯片和器件生产的经济性，目前碳化硅产业已经在推动开发8英寸晶圆，晶圆直径增加50m ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:34

【APCSCRM 2025】Registration is now open!: 分类: 公告通知 2025-9-9 09:31

SiC中介层，成为新热点: 过去几个月，台湾半导体产业的碳化硅产业链快速升温，原因竟和英伟达有关。今年5月，全球碳化硅龙头Wolfspeed宣布破产，但是，同一个月，环球晶董事长徐秀兰却表示，环球晶将和客户共同开发碳化硅新产品。加码碳化硅 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-5 09:14

镓仁半导体 8 英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓，国际领先！: 2025年7月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。第三方检测结果表明，8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽30 arcsec，达到国际领先水平。8 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-5 09:12

【学术进展】 Si基AlGaN/GaN功率半导体器件的研制和TCAD模型研究: 背景与亮点以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体功率器件具有优异的高频特性、高功率密度和能量转换效率，因此在数据中心、消费电子、电动汽车、光伏等领域展现出广阔前景；也为GaN在低成本和大规模Si衬底上的异质外延技 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-5 09:05

新增6起SiC合作，聚焦主驱应用、高压超结等: 近日，碳化硅领域新增多起合作，涉及基本半导体、东芝电子元件、宏微科技、英搏尔、芯华睿、新洁能等企业，有望持续推动碳化硅技术降本增效与规模化落地：基本半导体：与东芝、中汽芯达成SiC合作近日，基本半导体在 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-4 09:11

宽禁带科技论|北方工业大学和西安交通大学实现在金刚石/LaB6 SBD宽能级范围界面态的精 ...: 近日，北方工业大学张旭芳副教授和西安交通大学王玮副教授在表界面领域权威学术期刊Surfaces and Interfaces发布了一篇名为Interface state extraction in LaB6/O-diamond SBDs by temperature-dependent C–V and J ...; 分类: 新闻通知 2025-9-4 09:10

【科研速递】新加坡团队首次实现硅基GaN HEMT在D波段功率放大应用: 新加坡研究人员首次报道了在硅基（Si）衬底上制备的金刚石氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该器件设计用于D波段（110–170GHz）射频（RF）频率范围，可实现超过0.1太赫兹（100GHz）的亚太赫兹（sub-THz） ...; 分类: 新闻通知 2025-9-3 09:22

2025年工程师跨界沙龙-宽禁带半导体大讲堂：XR浪潮下的碳化硅机遇，下一代视觉技术的 ...: 为推动北京国际科技创新中心建设，加速宽禁带半导体材料在扩展现实（XR）技术攻关与跨界融合，8月29日下午，由北京市科学技术协会创新服务中心主办、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟等单位承办的"2025年工程师 ...; 分类: 联盟动态 2025-9-2 09:29

宽禁带科技论|北京大学提出创新方法攻克900V GaN-on-Si功率器件背栅效应: 氮化镓（GaN）功率器件以其导通电阻低、击穿电场高、开关速度快的特点，在能量转换领域受到了广泛的关注。目前，由于硅晶圆低廉的价格，以及硅基工厂的成熟性，650 V电压等级的硅基氮化镓（GaN-on-Si）器件已得到商 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-2 09:25

APCSCRM 2025 注册开启！第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 当前，以SiC、GaN、Ga2O3、AlN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料正迎来产业化突破的关键期。随着8英寸SiC衬底量产工艺的突破，碳化硅器件在新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域实现规模化应用；GaN技术则从消费 ...; 分类: 公告通知 2025-8-29 09:04

麻省理工学院：世界首个光控垂直GaN finFET: 本文转自：IEEE Electron Device Letters (Volume: 45, Issue: 5, May 2024)作者：Jung-Han Hsia; Joshua Andrew Perozek; Tomás Palacios本研究提出了一种新型的光控垂直 GaN finFET，可通过低功率紫外光（UV）直 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-27 13:13

韩国650V氮化镓功率半导体，实现首次量产: 近日，韩国半导体公司ChipScale宣布，已经成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司。#ChipScale 是一家韩国无晶圆厂（Fabless）半导体公司，位于京畿道，专注于氮化镓（GaN）功率半导体的设计 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-27 09:18

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