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价格降至临界点，第三代半导体爆发在即？
近期，阿里巴巴达摩院发布2021年十大科技趋势，“第三代半导体迎来应用大爆发”位列第一。达摩院指出，第三代半导体的性价比优势逐渐显现并正在打开应用市场。未来5年，基于第三代半导体材料的电子器件将广泛应用于5 ...
分类:    2021-1-14 09:31
北京：加快科技创新推动国家服务业扩大开放综合示范区和中国（北京）自由贸易试验区建 ...
为落实国家服务业扩大开放综合示范区和中国（北京）自由贸易试验区（以下简称“两区”）建设工作，抓住首都新发展面临的重要机遇，聚集国际高端科技要素资源，营造一流创新生态，加快形成国际科技创新中心，支撑科技 ...
分类:    2021-1-13 09:46
2021起或将全面采用GaN和SiC，化合物半导体起飞
由于，苹果、小米及现代汽车等重量级业者开始使用化合物半导体，预计从2021年起将全面采用GaN和SiC半导体，相关市场将迅速起飞。据媒体报导，苹果（Apple）从今年(2021)将推出采用GaN-on-Si晶体管的笔记型计算机充电 ...
分类:    2021-1-13 09:45
半导体金刚石材料的基本性质与特点
金刚石为人类所发现已有两千多年的历史。一直以来，它的价值主要体现于绚丽夺目、熠熠生辉的色彩和坚硬无比的力学性质。自20世纪五六十年代高压高温和CVD金刚石制备技术相继问世，并在20世纪80年代获得快速发展以来 ...
分类:    2021-1-12 11:05
SiC半导体材料的基本性质和应用
1　SiC半导体材料的基本性质1.1 SiC的晶体结构SiC具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解SiC的结构 ...
分类:    2021-1-12 11:04
快充带动成本下降音频和汽车应用有突破，2021氮化镓市场展望
来自加拿大的氮化镓系统（GaN Systems）公司首席执行官吉姆·维泽（Jim Witham）表示，2020年绝对是氮化镓功率器件爆发的一年，市场上随处可见功率范围从45瓦到200瓦的氮化镓充电器与电源适配器，其中不少是中小厂商 ...
分类:    2021-1-11 09:22
2020年半导体产业的十大关键词
回望逝去的2020年，疫情笼罩下的世界充满了「意外」。这一年里，我们邂逅了许多只黑天鹅，也无数次见证历史。疫情对全球半导体产业影响颇大，从停工停产到复工复产，从芯片需求暴涨到缺货涨价，从「实体清单」卡脖子 ...
分类:    2021-1-11 09:21
2022年有望成SiC价格下降的关键转折点
本文来源：第三代半导体联合创新孵化中心（ID：casazlkj )根据资料整理。碳化硅（SiC）材料前景可观。随着SiC功率器件的成本下降，有望引领包括新能源汽车在内的诸多行业，在功率半导体使用上迎来大规模升级迭代，短 ...
分类:    2021-1-8 09:49
基本半导体｜完成数亿元B轮融资，打造行业领先的碳化硅集成企业
创业邦独家获悉，2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研发及产业化的国内第三代半导体行业领军企业「基本半导体」宣布完成数亿元人民币B轮融资，由闻泰科技领投，深圳市投控资本、民和资本、屹唐长厚、四海新材料 ...
分类:    2021-1-8 09:46
【十四五】科技部部长王志刚：必须围绕产业链来部署创新链，解决“卡脖子”短板问题
天问“奔火”、嫦娥“揽月”、“奋斗者”号万米深潜，全社会研发经费支出增至2.21万亿元……回首2020年，我国科技创新取得重大进展、实现量质齐升，进入创新型国家行列的目标基本实现。“十四五”即将开局，如何提升 ...
分类:    2021-1-7 09:28
半导体器件为什么需要“外延层”
来源：粉体圈 | 作者：Alpha看到一些新闻，表示某国高科技企业开发了一种新型衬底材料，与GaN晶格匹配，可以良好生长GaN。(备注：GaN体单晶制备难度非常大，因此此处所提的GaN是外延层，此处暴露了外延层存在的意义 ...
分类:    2021-1-7 09:27
手机是否会用GaN PA？Yole是这样说的
来源：半导体行业观察日前，市场分析机构Yole Développement 发布了2020年第四季度复合半导体季度市场监测报告。据报告预测，截至2025年，GaN RF3器件市场整体规模将超过20亿美元。Yole进一步指出，在2019年至2025 ...
分类:    2021-1-7 09:27
两大国产IGBT同时上市
比亚迪、中车时代电气同时宣布上市。比亚迪董事会同意公司控股子公司比亚迪半导体股份有限公司筹划分拆上市事项日前，比亚迪公告称，公司董事会会议审议通过了《关于拟筹划控股子公司分拆上市的议案》，董事会同意公 ...
分类:    2021-1-5 09:15
挺牛，但长不大的“氮化镓单晶”
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性，是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。氮化镓过人 ...
分类:    2021-1-5 09:14
不同碳化硅晶面带来新的可能
对于非立方晶系的晶体，本身具有各向异性——不同的方向具有不同的性能。4H-SiC和6H-SiC的空间群都是P63mc，点群是6mm，都属于六方晶系，具有各向异性。3C-SiC的空间群是F-43m，点群是-43m，属于立方晶系，不具有各 ...
分类:    2021-1-4 09:38
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