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湖南大学与中国电科48所开展战略合作共同推进半导体产业快速发展: 7月15日，湖南大学与中国电子科技集团公司第四十八研究所签署战略合作协议，共同推进半导体产业快速发展。校党委书记邓卫为龚杰洪等八位专家颁发“湖南大学兼职教授”聘书。曹升元与孙勇分别代表校所双方签署战略合 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-20 09:32

材料深一度|6月份第三代半导体行业大事集锦: 分类: 联盟动态 2020-7-17 09:40

中芯国际正式登陆科创板: 来源：内容来自半导体行业观察综合，谢谢。日前，中芯国际发表公告表示，公司股票将于7月16日在科创板上市，按照中芯国际之前的披露，本次发行价为27.46元/股，境内发行股票总数为16.86亿股，其中10.4亿股7月16日起 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-17 09:27

氮化镓拓展了法国Soitec半导体公司的产品组合: 法国Soitec半导体公司近日宣布将EpiGaN N.V更名为Soitec Belgium N.V.。EpiGaN是Soitec一年前收购的氮化镓（GaN）外延硅片材料供应商。加入Soitec后，EpiGaN 成为旗下氮化镓业务部门，进一步加强了公司针对射频和功 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-16 09:14

2018-2024年碳化硅功率模块复合年增长率将以48%的速度快速增长: “ EV/HEV竞赛已经开始了”，Yole Développement 公司（Yole）功率与无线和电池业务的首席分析师 Milan Rosina 博士说道：“ 随着传统汽车厂商宣布重要的车辆电气化战略规划并聚焦更强的车辆电气化，向全面车辆电气 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-16 09:09

三安光电、士兰明镓、瀚天天成等助力厦门成为第三代半导体重镇（附全国产业地图）: ●第三代半导体已经被政府列入着力培育的具有发展潜力的十大未来产业。●三安光电、士兰明镓、瀚天天成等助力厦门成为中国第三代半导体产业重镇。●第三代半导体技术、材料、设备、市场论坛将于2020年9月8-9日在厦门 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-15 10:45

2020年Q2国内化合物半导体相关项目汇总: 签约项目①广西桂林第三代半导体六英寸氮化镓项目4月，广西桂林高新区管委会与位于中国台湾的欣忆电子股份有限公司通过视频连线召开海峡两岸项目推进会，就第三代半导体六英寸氮化镓项目推进开展“云洽谈”。据桂林 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-15 10:42

Rohm和Leadrive建立SiC汽车模块联合实验室: 公司扩展合作伙伴关系，以开发功率模块和逆变器使用罗姆的SiC MOSFET裸芯片和隔离栅驱动器日本电子公司Rohm和中国汽车动力设备制造商Leadrive在上海建立了一个联合研究实验室，围绕Rohm的SiC MOSFET裸芯片和隔离门驱 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-15 09:47

一路有我！中关村“联合护航行动”9场活动邀您报名: 中关村产业技术联盟联合会携手八大联盟在应用护航方面开放资源9场专题培训本周集中上线邀您报名参与具体安排见下文“联合护航行动”一览表1活动主题：第三代半导体产业发展系列培训（已举行）活动内容：无线通信LED ...; 分类: 公告通知 2020-7-14 18:21

安森美CEO：美国政府现在必须展现魄力: 作为现代科技的大脑，半导体对于美国的经济实力、国家安全，以及应对新冠疫情和未来危机的能力都具有至关重要的意义。几十年来，美国公司在芯片技术方面一直处于世界领先地位。但美国现在制造的半导体仅占全球总产量 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-14 18:18

国内首列碳化硅(SiC)变流技术永磁直驱地铁列车开始动车调试: 轨道世界 RailWorld开放｜共享｜价值导读ID：RailWorld国内首列碳化硅(SiC)变流技术永磁直驱地铁列车开始动车调试据苏州轨道交通消息：近日，苏州轨道交通3号线首列搭载永磁直驱牵引系统的列车（0312号车）顺利完成 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-13 09:24

超越英特尔！英伟达成为全球第三大半导体生产商: 自1993年4月公司创立以来，Nvidia首次超过英特尔成为美国市值最高的芯片生产商，及全球第三大半导体厂商。8日下午，Nvidia股价上涨2．3％，创下404美元的股价记录，总市值增至2480亿美元，英特尔则为2460亿美元。而 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-13 09:15

【成员动态】电源网第二届国际宽禁带直播节: 扫码报名添加电源网客服-贝贝即可预约报名抽奖并加入宽禁带技术交流群; 分类: 联盟动态 2020-7-13 09:14

【中关村标准】T/ZSA 72-2019《碳化硅单晶》: T/ZSA 72-2019《碳化硅单晶》标准简介本标准的技术内容属于第三代半导体领域，第三代半导体具有宽带隙、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率等特点，非常适用于制作高温、高频、抗辐射及高功率器件，器件及系 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-10 09:45

特斯拉1年要用50万片6寸SiC: 图片来源：特斯拉台湾供应链业者包括环球晶、合晶、太极等2020年在SiC领域均加码布局，主因下游车厂客户端的急急如律令。目前Tesla Model 3使用碳化硅金氧半场效晶体管(SiC MOSFET)只在其主驱逆变器电力模块上，其实 ...; 分类: 联盟动态 2020-7-10 09:44

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