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1000公里续航：小鹏飞行汽车背后的SiC黑科技: 引言：当碳化硅遇上飞行汽车，一场出行革命正在上演2024年2月23日，小鹏汇天宣布其“陆地航母”陆行体在牙克石完成冬季测试，正式进入验收阶段。这款集陆行与飞行于一体的未来交通工具，不仅凭借六电机驱动、全域800 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-26 09:06

富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能优异，同步推出长晶设备: 杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。在高精度的热场仿真技术强力支持下 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-26 09:05

征世科技成功研发2英寸单晶金刚石晶圆: 2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下简称：征世科技）宣布成功研发出2英寸（1英寸=2.54 cm）单晶金刚石晶圆，如图1所示。这一重大突破标志着征世科技在单晶金刚石领域的技术已达到国际先进水平，为未来宽 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-26 08:58

征世科技成功研发30 mm×55 mm单晶金刚石散热片: 2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下简称：征世科技）宣布在单晶金刚石散热片领域取得重大突破，成功研发出尺寸达30 mm×55 mm的单晶金刚石散热片。这一成果标志着征世科技在散热材料领域的技术已达到国 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-25 10:00

宽禁带科技论|湖南大学&湖南师范大学：构建氧化镓薄膜的可控掺杂方法和高性能光电探 ...: 研究背景超宽禁带半导体Ga2O3因其卓越的光电性能（较高的击穿场强、良好的热稳定性以及直接对应日盲紫外波段的光谱响应范围）而成为下一代功率电子和光电器件的关键材料。而无意掺杂的Ga2O3薄膜通常含有许多深能级缺 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-25 09:55

转折点到来：GaN正一步步超越传统Si MOSFET: GaN功率晶体管正处于一个转折点。在这个关头，任何微小的变化或行动都会导致重大且通常不可逆转的影响，这些器件的未来已经到了不归路，情况发生了巨大变化。这个转折点是在GaN晶体管十多年的批量生产之后出现的。自 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-24 09:19

SiC MOSFET：了解等离子体氮化的优势: 通过等离子体氮化工艺形成的SiC和SiO2退火界面可减少界面态并提高对正栅极偏置应力的抗扰性大阪大学的工程师们对形成SiC MOSFET关键界面的新方法的优势提出了新见解。该团队刚刚确定，其方法（包括SiC表面的等离子体 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-24 09:13

Resonac（力森诺科）：迎接8英寸SiC机遇，开拓更广阔市场: 我们邀请到了Resonac（力森诺科）SiC事业部统括部长Mr. Daisuke Shiomi，为我们更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。电动汽车持续增长SiC发展路径愈发清晰行家说三代半：据行家说Research预估，2024年SiC功率半 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-24 09:12

2025年，芯联集成AI战略布局看好GaN和SiC: 2月17日，芯联集成召开2025年经营展望线上交流会。公司董事长、总经理赵奇等人深入解读了投资者关注的AI战略布局、发展突破等焦点问题，并阐述了2025年的业绩指引和业务展望。官方资料显示，芯联集成在成立后的第一 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-21 10:51

AR眼镜风头劲，天科合达助力碳化硅材料新突破: AI如何映照现实生活？2022年11月，OpenAI公司发布了ChatGPT，AI的魅力首次以具象化的形式走入我们的生活。2024年，Deepseek横空出世，这款开源模型凭借创新的设计大幅降低了训练成本，引爆全球舆论。纵观历史，技术 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-21 10:45

【科研速递】氧化镓结型场效应晶体管击穿电压突破10千伏: 来自美国和日本的研究团队报告了一种击穿电压超过10kV增强型（E-mode）氧化镓（Ga₂O₃）横向结型场效应晶体管（JFETs），该器件采用了氧化镍（NiO）降低表面电场（RESURF）结构和混合漏极（hybrid-drain ...; 分类: 新闻通知 2025-2-21 10:44

碳化硅材料的光学性能优势及应用: 碳化硅（SiC）作为一种先进的材料，因其出色的物理特性，在航天领域逐渐成为大口径光学反射镜的核心材料。凭借高比刚度、优异的热稳定性以及宽光谱响应，SiC在空间观测、深空探测等领域发挥着越来越重要的作用。一、 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-20 09:42

新微半导体：深耕GaN功率半导体，迎接多重机遇与挑战: 我们邀请了新微半导体研发高级经理雷嘉成，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。功率 GaN 市场受多重因素影响创新、竞争等驱动未来发展行家说三代半：2024年全球GaN功率半导体市场增速较去年有所下降，您如何看 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-20 09:38

Wolfspeed第4代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性: Wolfspeed 第 4 代碳化硅技术：重新定义高功率应用的性能和耐久性简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-20 09:32

中国科大微电子学院：在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得重要进展: 近日，中国科技大学微电子学院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channe ...; 分类: 新闻通知 2025-2-20 09:29

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