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五菱混动汽车正式采用碳化硅，供应商是谁？: 昨天，上汽通用五菱举办了“2025技术进化日”上，并隆重发布了基于碳化硅的电驱系统。众所周知，全球新能源汽车两大巨头特斯拉和比亚迪已经大规模采用了碳化硅电驱系统，作为全球新能源汽车累计销量前三的车企，五菱 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:33

博世成立合资企业，瞄准芯片级金刚石量子传感器: 近日，欧洲汽车芯片及零部件大厂博世宣布，将其量子传感器初创公司分拆出来，与合成金刚石制造商 Element Six 成立一家合资企业，即博世量子传感（Bosch Quantum Sensing）公司。据介绍，该合资企业总部位于德国路德 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:31

第四代半导体，破晓时刻: 3nm，是半导体市场的 “热搜关键词”。光刻机，是众人争抢的 “香饽饽”。第三代半导体，一出现就在资本市场掀起波澜。而现在，这类技术的突破，给半导体赛道开启新一轮热潮。01全球首颗8英寸氧化镓单晶，中国造！今 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:25

士兰微 | SiC芯片突围战：第四代技术送样，8英寸产线加速布局: 4月8日午间，士兰微披露公司碳化硅项目的最新进展。经过加快建设，第Ⅱ代SiC芯片生产线产能正在释放。同时，第Ⅳ代SiC芯片与模块已送样，且预计今年将上量。士兰微自主研发的第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET芯片已送样多家客 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:24

破局2025：宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛: · 会议背景·回顾2024年，宽禁带半导体产业在挑战与机遇并存的道路上取得了显著进展。在新能源汽车，光储充，工业控制，大功率电源等行业，人们对宽禁带半导体器件的接受度大幅提升。从成本角度看，随着技术的不断 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-10 09:19

深圳市尚鼎芯|又一家功率半导体厂商开启IPO: 4月3日，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司（以下简称“尚鼎芯”）正式向港交所递交了上市申请，这一举措标志着尚鼎芯在资本市场迈出了重要一步，旨在通过上市进一步提升公司的市场影响力和资金实力。公开资料显示，尚鼎 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:13

双向GaN突破3000V！: 近日，《应用物理快报》刊登了一篇名为《蓝宝石基3kV单芯片双向GaN HEMT》的文章，其作者及研究团队来自于威斯康星大学麦迪逊分校，透露了单片双向GaN晶体管的最新研究进展。该研究团队表示，他们通过优化欧姆接触、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:12

GaN临界点将至，汽车/工业/航天领域应用多点开花: 随着外延技术迭代与成本曲线下探，氮化镓的应用版图已覆盖消费电子、数据中心、新能源汽车等高成长性赛道。EPC、英飞凌等头部厂商一致认为——GaN技术已迎来规模化爆发的临界点本文汇总了最新的具体案例分享，展示Ga ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:10

基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计: 文章来源：舰船电子工程作者：李楠（中航工业雷华电子技术研究所无锡 214100）摘要：论文介绍了一种利用 3.3 kV 碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管实现 22 Vdc 至 2.5 kVdc 宽电压的 1 kW 电源方案。电源为舰 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:07

论文推介丨氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究: 如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga2O3）单晶薄膜，是制备高性能Ga2O3基功率电子器件或紫外光电器件的基础。由于通用衬底存在非理想整数指数表面，二维“台阶流”生长被广泛认为是实现上述高质量单晶薄膜 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:51

中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展: 近日，中国科大微电子学院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Ve ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:45

中关村“火花”活动之“设备-材料-制造-工艺”半导体产业链协同创新沙龙顺利举办: 在全球半导体产业竞争加剧与技术创新迭代的背景下，材料与设备作为产业链的“基石”环节，正面临从第三代半导体（碳化硅、氮化镓）向第四代（氧化镓、金刚石）的跨越。技术革新与产业应用呈现双向驱动趋势：材料端加 ...; 分类: 联盟动态 2025-4-7 09:37

宽禁带科技论|低漏电Si基MIS-AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制: 凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能，硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而，GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系数差异存在高密度缺陷/位错（较蓝宝石衬底高1~2个数量级） ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:29

宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开: 2025年4月2日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开，此次会议旨在对《SiC器件功率循环试验方法》一 ...; 分类: 联盟动态 2025-4-7 09:27

综述与述评 | 超宽禁带半导体材料发展现状与展望: 文章摘要文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求，系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展，提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议，以期为后续 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:23

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