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【科研速递】新加坡团队首次实现硅基GaN HEMT在D波段功率放大应用: 新加坡研究人员首次报道了在硅基（Si）衬底上制备的金刚石氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），该器件设计用于D波段（110–170GHz）射频（RF）频率范围，可实现超过0.1太赫兹（100GHz）的亚太赫兹（sub-THz） ...; 分类: 新闻通知 2025-9-3 09:22

2025年工程师跨界沙龙-宽禁带半导体大讲堂：XR浪潮下的碳化硅机遇，下一代视觉技术的 ...: 为推动北京国际科技创新中心建设，加速宽禁带半导体材料在扩展现实（XR）技术攻关与跨界融合，8月29日下午，由北京市科学技术协会创新服务中心主办、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟等单位承办的"2025年工程师 ...; 分类: 联盟动态 2025-9-2 09:29

宽禁带科技论|北京大学提出创新方法攻克900V GaN-on-Si功率器件背栅效应: 氮化镓（GaN）功率器件以其导通电阻低、击穿电场高、开关速度快的特点，在能量转换领域受到了广泛的关注。目前，由于硅晶圆低廉的价格，以及硅基工厂的成熟性，650 V电压等级的硅基氮化镓（GaN-on-Si）器件已得到商 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-2 09:25

APCSCRM 2025 注册开启！第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 当前，以SiC、GaN、Ga2O3、AlN和金刚石为代表的宽禁带半导体材料正迎来产业化突破的关键期。随着8英寸SiC衬底量产工艺的突破，碳化硅器件在新能源汽车800V高压平台和光伏逆变器领域实现规模化应用；GaN技术则从消费 ...; 分类: 公告通知 2025-8-29 09:04

麻省理工学院：世界首个光控垂直GaN finFET: 本文转自：IEEE Electron Device Letters (Volume: 45, Issue: 5, May 2024)作者：Jung-Han Hsia; Joshua Andrew Perozek; Tomás Palacios本研究提出了一种新型的光控垂直 GaN finFET，可通过低功率紫外光（UV）直 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-27 13:13

韩国650V氮化镓功率半导体，实现首次量产: 近日，韩国半导体公司ChipScale宣布，已经成功量产650V氮化镓功率半导体，成为韩国首家实现这一技术的公司。#ChipScale 是一家韩国无晶圆厂（Fabless）半导体公司，位于京畿道，专注于氮化镓（GaN）功率半导体的设计 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-27 09:18

AR眼镜线下体验！工程师跨界沙龙8月29日邀请您参会: 当前，扩展现实（XR）正以前所未有的速度重塑人机交互与数字体验边界，AR眼镜作为XR核心载体之一，已逐步渗透工业、医疗、消费电子等领域，但其性能提升与规模化落地仍面临关键瓶颈——光学系统的小型化、高透光率与 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-27 09:17

揭秘PCB嵌入式封装技术，如何为GaN器件注入强劲“芯”跳？: 近年来，一种名为“PCB嵌入式封装”的创新技术应运而生。它打破常规，直接将半导体裸芯片“埋入”多层印刷电路板（PCB）内部，实现了封装与电路板的一体化。这项技术不仅能显著缩小设备尺寸，还能带来更优越的电气和 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-26 09:34

趋势丨支付破局，中国AI眼镜走向“头号赢家”: 前言：2025年被业内称为“AI眼镜元年”，Rokid、魅族、夸克、小米、雷鸟等中国厂商密集发布新一代智能眼镜新品。尽管技术路线各异——Rokid深耕语音交互，魅族主打空间计算，夸克结合生成式AI与视觉搜索，小米聚焦摄 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-26 09:31

赞评论收藏分享从SiC、GaN到金刚石：清华&山大团队解读功率半导体热管理的下一 ...: 当你用享受轨道交通带来的出行便利、给电动车充电，或是在工业车间看到高速运转的电机时，可能不会想到，这些高效能源转换的背后，隐藏着一场与 “热量” 的持久博弈。功率电子系统正以惊人的速度提升效率与功率密度 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-26 09:27

小鹏汽车与芯联集成联合开发国内首个混合碳化硅产品实现量产: ABSTRACT近日，小鹏汽车与芯联集成联合宣布，国内首个混合碳化硅产品已实现量产。该产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。这一成果为提升新能源汽车的性能和降低成本开辟了新路径。碳化硅（SiC）材 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-26 09:09

山东大学最新成果：1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET: 近日，山东大学＆华为联合报道了应用氟离子注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET（FIT-MOS）。氟离子注入终端（FIT）区域固有的具有负性电荷成为高阻区域，天然地隔离了MOSFET器件，取代了传统的台面刻蚀终端 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-25 10:21

36亿/年？碳化硅在800V数据中心的新机遇: 前段时间，英伟达宣布将推动数据中心供电架构迈入800V高压直流（HVDC）新纪元。这一战略转变打破了传统机架电源系统的藩篱，同时将为碳化硅功率器件提供一个新的增量赛道。据预测，碳化硅器件在800V数据中心的需求将 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-25 10:07

XR浪潮下的碳化硅机遇，下一代视觉技术的材料与工程挑战: 当前，扩展现实（XR）正以前所未有的速度重塑人机交互与数字体验边界，AR眼镜作为XR核心载体之一，已逐步渗透工业、医疗、消费电子等领域，但其性能提升与规模化落地仍面临关键瓶颈——光学系统的小型化、高透光率与 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-25 10:05

宽禁带联盟2025年度第三次团标评审会顺利召开: 2025年8月19日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2025年度第三次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。此次会议旨在对《氧化镓单晶位错密度的测试方 ...; 分类: 联盟动态 2025-8-25 09:59

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