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阳光电源等入股这家功率半导体企业——阿基米德半导体: 天眼查App显示，近日，阿基米德半导体（合肥）有限公司发生工商变更，新增阳光电源（300274）、合肥阳光仁发碳中和投资管理中心（有限合伙）、安徽新能天使创业投资基金合伙企业（有限合伙）、合肥仁创二期股权投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-26 09:45

【器件与应用专场】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2024)在中国深圳顺利召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 10:11

合计超6.3亿！4家SiC相关企业完成融资: 近日，SiC行业新增了4起融资/收购案，合计涉及金额超6.3亿人民币。晶能微电子：完成5亿元B轮融资据“吉利科技集团”官微消息，10月25日，旗下子公司浙江晶能微电子有限公司正式完成5亿元B轮融资，由秀洲翎航基金投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:53

小米、东风投资这家SiC企业——芯联动力: 值得注意的是，这是芯联动力的首轮融资，其目前共有31位股东，除了东风汽车、北京小米外，还有阳光电源、瑶芯微电子、博世博原资本、小鹏星航资本、上汽尚颀资本、宁德时代晨道基金、立讯精密立翎基金等具有新能源汽 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:52

【材料与装备专场】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2024)在中国深圳顺利召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:49

【主会场报告】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2024)在中国深圳顺利召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:32

罗姆SiC SBD采用全新封装设计: 爬电距离约为标准产品的1.3倍罗姆半导体宣布推出全新表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD），其引脚间爬电距离有所延长，导致绝缘电阻增高。首批产品阵容包含八种型号（SCS2xxxNHR），用于车载充电器（OBC）等汽车应 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-22 09:16

氮化镓半导体产业化方兴未艾: 背景逻辑当前世界上最先进的半导体材料之一氮化镓是一种无机物，其化学式为GaN（英文名称：Gallium Nitride），是氮和镓的化合物，通常情况下为白色或微黄色的固体粉末，具有结构稳定、熔点高、耐高压、坚硬等特点， ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 09:02

用于5G FR2手机的双异质结构氮化镓: 新加坡研究人员称，以低压（LV）高频性能为目标的硅（Si）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在饱和输出功率（Psat）上达到创纪录水平。研究团队由新加坡国家氮化镓技术中心（NGTC）、新加坡微电子研究所（ ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:57

日本金刚石半导体技术可能会在 2025-2030 年带来实际应用: 日本在金刚石半导体技术领域的研究和应用一直处于全球领先地位，尽管面临技术挑战，但金刚石半导体以其卓越的性能而闻名，其技术突破最早可能在 2025年至2030年带来实际应用。据日经新闻报道，佐贺大学于2023年成功 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:54

西安交通大学团队实现（111）面异质外延单晶金刚石衬底的制备: GaN 作为第三代半导体材料的典型代表，在禁带宽度、击穿场强、电子迁移率、热导率、最高工作温度等关键性能上更具优势。GaN 功率器件拥有高转换效率、低导通损耗、高工作频率、大带宽以及高功率密度，已广泛应用于通 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:52

碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展: 摘要:相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一。然而,引线键 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:23

技术｜平面和沟槽结构的SiC MOSFET在正负电场应力下的栅氧可靠性: 本文研究了在150°C下，硅碳化物（SiC）平面和非对称沟槽MOSFETs在广泛的正负Eox应力范围内的栅氧可靠性。分析了在Eox应力下，两种器件的Vth（阈值电压）随应力时间的变化。解释了在SiO2中电子捕获和空穴捕获的过程 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:14

充电桩高压快充发展趋势: 来源：阿基米德半导体*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:09

罗姆半导体、士兰微电子及昭和电工这三家企业推进8吋SiC建设！: 近日，罗姆半导体、士兰微电子及昭和电工不仅公布了财务近况，还透露了最新业务进展，详情请看：罗姆半导体：碳化硅业务有重大调整11月7日，罗姆半导体公布了2024财年上半年（2024年4月至9月）业绩报告。该时间段内 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-20 09:06

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