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从AOS布局看第三代半导体发展新范式: 2025年，碳化硅（SiC）功率器件已深入渗透到各个高科技产业领域，其卓越性能助力高效能电力电子系统的发展。作为第三代半导体的代表，SiC技术不仅持续赋能新能源汽车的三电系统革新，更在光伏发电、智能电网等新型基 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:20

意法半导体：推进8英寸SiC战略，引领行业规模化发展: 我们邀请到了意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁 Francesco MUGGERI，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向SiC需求受多重因素影响但市场机遇仍不断扩大行家说三代半：据行家 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:17

科技部：重点新材料研发及应用国家科技重大专项，启动申报！: 今日，科技部发布国家科技重大专项申报通知：重点新材料研发及应用国家科技重大专项，详情如下：重点新材料研发及应用国家科技重大专项（科技创新2030重大项目）关于组织申报重点新材料研发及应用国家科技重大专项（ ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:14

意法半导体重磅官宣与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议: 4月1日，意法半导体重磅宣布与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议，双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。source：意法半导体中国技术方面，两家厂商的合作致力于为AI数据中心、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:12

科研动态 | 采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延 ...: 近日，宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华教授团队何云龙副教授、陆小力教授等人在Elsevier旗下权威期刊《Journal of Materiomics》发表题为“(001) β-Ga2O3 epitaxial layer grown with in-situ pulsed Al atom a ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:12

【免费报名】下周三 | 金刚石: 如何突破性能极限，打开产业新蓝海？: 在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下，半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石，凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性，成为突破功率电子、光电器件、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-2 09:14

又一车企官宣GaN合作，携手打造新能源汽车核心部件: 随着电动汽车对高效能、轻量化需求的爆发，氮化镓正加速从消费电子迈向汽车产业核心战场。昨天，马自达宣布与罗姆联手开发氮化镓汽车组件；“行家说三代半”追踪发现，以比亚迪、广汽埃安、长安汽车为代表的主机厂也 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-1 09:41

行业瞩目！天科合达多款新品首发，创新驱动第三代半导体变革: 2025年3月26日至28日，上海国际半导体展（Semicon China 2025）在上海新国际博览中心盛大召开。本届盛会规模空前，吸引了来自全球1400余家半导体企业参展和5万名专业观众，盛会各类新产品、新技术层出不穷，其中第三 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-1 09:39

【免费报名】4月9日金刚石: 如何突破性能极限，打开产业新蓝海？: 在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下，半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石，凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性，成为突破功率电子、光电器件、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-1 09:20

宽禁带联盟亮相SEMICON China 2025 以服务赋能产业，以链接共创未来: 全球半导体行业盛会SEMICON China 2025 于3月26日至28日在上海新国际博览中心盛大举办。本届展会规模再创新高，展览面积达10万平方米，吸引了全球1400多家知名企业参展。本届展会以“跨界全球，心芯相联”为主题，涵 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-1 09:17

【全球首发】8英寸氧化镓晶圆衬底震撼问世: 2025年3月25日，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)继发布全球首颗8英寸氧化镓单晶之后，又一次取得突破性进展，基于自主创新的氧化镓单晶生长技术与大尺寸衬底加工技术，成功制备了全球首款8英寸（200 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-31 09:50

武汉大学刘胜院士领导的团队---β-Ga₂O₃ 界面上的金属接触和肖特基势垒： ...: 武汉大学刘胜院士、郭宇铮教授和张召富教授团队在学术期刊Journal of Applied Physics发布了一篇名为 Metal contacts and Schottky barriers at β-Ga2O3 interfaces: High-throughput-assisted first-principles ca ...; 分类: 新闻通知 2025-3-31 09:47

【科研速递】基于铝氮化物基板方法实现更高亮度的深紫外LED: 武汉大学周圣军教授团队提出了一种通过成核层(NL)修饰、生长模式调节和铟（In）掺杂调制实现高质量AlN缓冲层的范例。因而，在平坦的蓝宝石衬底（FSS）上实现了缺陷减少、应变控制和原子扁平的AlN薄膜。此外，通过使 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-31 09:29

金刚石半导体衬底研磨抛光技术研究现状及展望（一）: 摘要：随着半导体电子器件的集成化与小型化发展，金刚石优异的热导性、电导性成为制备半导体衬底的理想材料。为了满足半导体行业对电子器件高精度和高可靠性能的要求，需对金刚石表面进行抛光处理。然而，金刚石高硬 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-24 09:20

垂直结构 GaN功率器件可靠性探讨: GaN垂直器件作为下一代电力电子器件的绝佳解决方案，其可靠性作为关键核心一直是业内比较关注的问题。现从优化漂移区、电荷捕获等进行探讨。优化漂移区提高性能及可靠性垂直GaN器件的性能在很大程度上取决于漂移区的 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-24 09:18

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