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芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台
芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台
据长三角国际半导体博览会消息,近期,广东芯粤能半导体有限公司(以下简称“芯粤能”)经过近两年时间的技术研发和测试,已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结 ...
分类:    2025-3-18 09:03
新商机!SiC MOS是瞬变电磁发射机设计趋势
新商机!SiC MOS是瞬变电磁发射机设计趋势
近日,中南大学地球科学与信息物理学院和无锡职业技术学院的研究团队发表一篇题为《基于SiC MOSFET的浅层高分辨瞬变电磁发射机研制》论文。瞬变电磁法是无损地球物理探测仪市场的发展趋势,而且应用范围不断在扩大。 ...
分类:    2025-3-17 10:46
3.1-3.14氮化镓(GaN)行业新闻
3.1-3.14氮化镓(GaN)行业新闻
01功率GaN市场的机遇近年来,化合物半导体在电力电子、射频、光子学和显示器等关键应用领域展现出巨大的潜力,尤其是在功率半导体领域,其重要性日益凸显。根据Yole Group发布的报告,化合物半导体市场预计到2030年 ...
分类:    2025-3-17 10:44
NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍!
NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍!
氧化镓器件新突破!株式会社 Novel Crystal Technology (总部:埼玉县狭山市,社长仓又朗人)在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度(JP004596)“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体管的研究开发”项目中,成功开发了功率品 ...
分类:    2025-3-17 10:41
瞻芯电子、新微半导体、飞锃半导体获最新进展
瞻芯电子、新微半导体、飞锃半导体获最新进展
近日,瞻芯电子、新微半导体、飞锃半导体通过融资扩产、工艺升级及车规级产品突破,进一步巩固其在第三代半导体赛道的竞争力,三家企业分别在碳化硅模块量产、氮化镓工艺平台商业化及主驱级芯片研发方面取得阶段性成 ...
分类:    2025-3-14 09:35
观察|比亚迪将推1000V高压平台,碳化硅平权来了?
观察|比亚迪将推1000V高压平台,碳化硅平权来了?
全民智驾” 战略发布一个月后,比亚迪将在超充技术的普及上又开一枪。为了增加 EV 产品的竞争力,比亚迪正集中升级纯电新车的快充能力。3 月 9 日消息,博主 @常岩 CY 在微博发文,展示了一张称是“比亚迪新款超充设 ...
分类:    2025-3-14 09:31
论文推介丨垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本β-Ga₂ ...
论文推介丨垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征——大尺寸、低成本β-Ga₂ ...
近年来,第四代超宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga2O3)因禁带宽度达4.9 eV、击穿场强超8 MV/cm等特性,在高压功率器件、深紫外探测领域展现巨大应用潜力。然而,传统导模法(EFG)单晶生长技术因依赖贵金属铱坩埚而导 ...
分类:    2025-3-14 09:29
Yole Group:化合物半导体的战略机遇
Yole Group:化合物半导体的战略机遇
近年来,化合物半导体在电力电子、射频、光子学和显示器等关键应用领域展现出巨大的潜力,尤其是在功率半导体领域,其重要性日益凸显。根据Yole Group发布的《化合物半导体器件行业现状》报告,化合物半导体市场预计 ...
分类:    2025-3-13 09:27
极氪/沃尔沃:新型SiC设计可使400V汽车电控能耗降低58%
极氪/沃尔沃:新型SiC设计可使400V汽车电控能耗降低58%
近日,极氪和沃尔沃研究团队发表了一篇题为《基于最佳直流链路电压和同步升压转换器的电动汽车SiC电驱设计》文献。该团队通过对电驱系统中的功率损耗进行了全面的系统级分析,包括对电机损耗进行有限元分析,以及对 ...
分类:    2025-3-13 09:19
助力科技中国战略!盖泽参编的《埋层硅外延片》国家标准正式实施
助力科技中国战略!盖泽参编的《埋层硅外延片》国家标准正式实施
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布的GB/T 44334-2024《埋层硅外延片》国家标准,已于2025年3月1日正式实施。盖泽半导体参与了此次国家标准的起草工作,并与多家半导体产业龙头企业携手,共同完成了标 ...
分类:    2025-3-13 09:16
西湖大学孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法
西湖大学孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法
西湖大学未来产业研究中心、西湖大学工学院孔玮研究员开发出一种新方法,首次实现了β-Ga₂O₃ (100)面无斜切衬底上的单晶同质外延,展示了在β-Ga₂O₃基功率器件中的巨大应用潜力。相关工作以 ...
分类:    2025-3-13 09:13
论文推介丨超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展
论文推介丨超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展
氧化镓(Ga2O3)作为一种超宽禁带半导体材料,禁带宽度达到4.9 eV,高于碳化硅的3.2 eV和氮化镓的3.39 eV。更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带,因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等 ...
分类:    2025-3-12 09:35
Yole Power GaN 2024 报告解读
Yole Power GaN 2024 报告解读
近期,知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》,“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。 报告预测了GaN功率器件在消费电子、通信基础设施、汽车和工业等领域的应用前 ...
分类:    2025-3-12 09:32
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展
近日,西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、张金风教授研究组在超宽禁带半导体金刚石功率器件方向取得重要进展。在国际知名期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表了题为“Integration of Oxidized Silico ...
分类:    2025-3-12 09:30
“终极半导体”破局之路:大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战
“终极半导体”破局之路:大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战
金刚石是由单一碳原子组成的具有四面体结构的原子晶体,属于典型的面心立方(FCC)晶体,空间点群为 oh7-Fd3m。每个碳原子以 sp3杂化的方式与其周围的 4 个碳原子相连接,碳原子密度 1.77×1023 cm-3, 碳-碳键长 0.15 ...
分类:    2025-3-11 09:36

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