中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

强强联合！芯塔电子与楚睿智能达成战略合作！: 2月4日，安徽芯塔电子科技有限公司与芜湖楚睿智能科技有限公司举行战略合作签约仪式。芯塔电子董事长兼总经理倪炜江博士与楚睿智能常务副总汪明先生分别代表双方签署协议。此举标志着两家在产业链上深度互补的创新企 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:20

英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链: 2月3日，英诺赛科在官网发布《有关与谷歌公司重大业务进展的公告》：公司旗下氮化镓相关产品已成功完成在谷歌公司相关AI硬件平台的重要设计导入，并正式签订合规供货协议。图片来源：英诺赛科公告截图作为全球氮化镓 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:19

三代半新应用：InGaN/GaN超晶格实现高效光解水，太阳能制氢效率突破3%: 第一作者：Yuyang Pan, Bingxing Zhang, Zhengwei Ye通讯作者：Bingxing Zhang, Zetian Mi通讯单位：美国密歇根大学摘要美国密歇根大学研究团队在《Nature Energy》发表最新研究成果，通过基于第三代半导体氮化铟镓/ ...; 分类: 新闻通知 2026-2-5 15:18

GaN 双向开关：器件技术、应用与未来展望: 编者按功率器件的持续创新始终是驱动电力电子技术演进的核心力量。近年来，单片集成的 GaN 双向功率器件（GaN Bidirectional Switch, GaN BDS）迅速崛起，凭借其天然具备的四象限开关能力，为交流电能转换带来了前所 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:30

2026款小鹏P7+携800V高压SiC平台海外发运: 2月2日，小鹏汽车正式宣布，全球首款AI汽车2026款小鹏P7+开启大规模海外发运，首批车辆从连云港启运，将送达全球18个国家和地区，标志着搭载国产混合碳化硅技术的800V高压平台正式迈向全球化市场验证阶段。图片来源 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:21

国家第三代半导体技术创新中心（苏州）发布GaN关键技术系列突破: 在人工智能浪潮席卷全球、绿色能源转型加速推进的今天，能源与算力的效率已成为决定未来产业的关键。以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，凭借其高频率、高功率、高效率及耐高温高压的物理特性，是提升能源转换效 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:20

SiC成功切入高压直流输电市场，三大项目先行验证: 近日，国内有3个800V/750V高压直流（HVDC）项目建成，据了解，这些项目的固态变压器或者DC-DC电源模块都采用了SiC技术：秦淮数据：全球首个SST算力中心建成投入应用，采用台达SiC设备。广州地铁22号线：轨道交通车站 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-4 09:17

【行业人才招聘】山东大学：2026年度海外优青项目申报启动: 一、项目定位优秀青年科学基金项目（海外）旨在吸引和鼓励在自然科学、工程技术等方面已取得较好成绩的海外优秀青年学者（含非华裔外籍人才）回国（来华）工作，自主选择研究方向开展创新性研究，促进青年科学技术人 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 10:04

早稻田大学团队：金刚石MOSFET新进展: 金刚石作为一种宽禁带半导体材料，具有极高的击穿场强、热导率和载流子迁移率潜力，被认为是下一代高功率、高频电子器件的理想材料。金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其卓越的电气性能而被认为是高功 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:44

imec：12英寸GaN将在2年内实现量产突破: 2025年11月，imec宣布将与爱思强、格罗方德等企业合作，旨在开发12英寸GaN外延生长技术、低压和高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺流程。近日，imec的研究员兼GaN功率电子项目总监Stefaan Decoutere接受了媒体采 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:43

甬江实验室攻克大尺寸超薄碳化硅晶圆加工难题: 甬江实验室异构集成研究中心聚焦第三代半导体核心基材加工难题，在6-8英寸大尺寸超薄单晶碳化硅晶圆研发领域取得重大技术突破，成功制备出厚度20-30微米的高品质单晶碳化硅晶圆，核心指标达行业领先水平，已具备向下 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:41

宽禁带科技论|西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队：采用微流道冷却技术攻克GaN ...: 近日，西安电子科技大学的郝跃院士、张进成教授领导的研究团队在学术期刊IEEE Journal of the Electron Devices Society发布了一篇名为Microchannel Cooling for Performance Enhancement of GaN-on-Si HEMT With a ...; 分类: 新闻通知 2026-2-3 09:36

硅基SiC薄膜制备与应用研究进展: 杨晨光，王秀峰陕西科技大学材料科学与工程学院，西安 710021摘要:碳化硅（SiC）材料具有极为优良的物理、化学及电学性能，可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用，碳化硅还是极端工作条件下微机电系统（MEMS） ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 10:17

硬核干货：如何完美解决GaN on SiC背面通孔蚀刻中的难题？: 一、隐秘的角落：高功率GaN器件背后的“硬骨头”在第三代半导体特别是射频（RF）和微波领域，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）的结合无疑是当下的“黄金搭档”，尤其是伴随着SiC衬底价格的下降，未来GaN on SiC极有可能 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 09:37

6英寸GaAs/SiC晶片直接键合技术，用于增强高功率器件热管理: 背景介绍GaAs 因超高电子迁移率（~8500 cm2/V・s）和直接带隙，广泛应用于 5G 通信、光电子器件，但热导率仅～55 W/m・K，且 3D 集成与器件微型化导致热流密度激增，严重影响器件性能与可靠性（温度每升 ...; 分类: 新闻通知 2026-2-2 09:25

1 234 5 6 7 8 9 10 ... 280 / 280 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部