中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

【行业人才招聘】深圳平湖实验室博士后招聘: 【平台介绍】深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）主体运营单位，围绕SiC和GaN及下一代先进功率电子材料及器件研究、核心装备及零部件、配套材料验证服务等领域，开展核心技术攻关。实验室已建成 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-20 09:41

综述丨金刚石核电池研究进展: 文章亮点中科院半导体研究所金鹏团队全面回顾了基于金刚石核电池的研究进展，系统分析了α、β、γ三类辐射伏特电池的理论与实验成果。文章总结了不同器件结构（肖特基结与p–n结）的能量转换机制与效率优化策略，并 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-20 09:35

清华大学·物理气相传输法生长大直径碳化硅单晶多型夹杂缺陷控制研究: 碳化硅（SiC）是第三代半导体的关键材料，其中4H-SiC在功率器件中占据主导地位。然而，在物理气相传输（PVT）法生长大直径4H-SiC单晶时，晶体中极易形成6H-SiC等多型夹杂缺陷。这类缺陷会破坏晶体完整性，严重影响材 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-19 10:15

如何验证是否形成异质结？: 说明：异质结作为现代材料领域半导体器件的核心构筑单元，其性能直接取决于两种或多种不同半导体材料间界面的质量和特性。本文旨在系统性地阐述确定异质结形成的多维度方法论，涵盖了TEM、SPM、XRD、XPS、UPS、PL光 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-19 10:12

宽禁带科技论|深圳平湖实验室：面向特高压大电流功率器件的8英寸200μm4H-SiC厚膜同质 ...: 在新能源汽车、智能电网、新型储能等领域飞速发展的今天，电力系统对高功率密度、低损耗、高可靠的电能转换与传输需求日益迫切。特高压（≥20kV）SiC 功率器件凭借其优异的性能，成为替代传统 Si 基 IGBT 的核心方案 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-19 10:01

宽禁带科技论|香港科技大学陈敬教授团队：p-GaN栅双沟道氮化镓功率集成平台: 近日，香港科技大学陈敬教授领导的研究团队于2025 71st IEEE International Electron Device (IEDM)发布了一篇名为A Crosstalk-Free GaN-on-Si Power Integration Platform for Integrated Half-Bridge Circuits and ...; 分类: 新闻通知 2026-1-16 10:49

清华大学柴智敏团队：单晶金刚石表面平坦化技术的发展与挑战: 本文为清华大学柴智敏副教授团队撰写发表在《中国表面工程》2025年第38卷第5期的综述论文，题为“单晶金刚石表面平坦化技术的发展与挑战”。单晶金刚石(SCD)因其优异的物理特性（5.5 eV宽禁带、9.9 MV/cm高击穿电场 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:28

三菱电机提供4款用于功率器件全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品: 沟槽型SiC-MOSFET晶圆（左）沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片（右）三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款全新沟槽型1 SiC-MOSFET裸芯片（未封装在封装材料中的芯片），该芯片专为电动汽车（EV ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:25

打破20年技术僵局！西电团队攻克芯片散热世界难题: 长期以来，半导体面临一个根本矛盾：我们知道下一代材料的性能会更好，却往往不知道如何将它制造出来。“就像我们都知道怎么控制火候，但真正把握好却很难。”周弘这样比喻。近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:23

浙江省“十五五”规划征求意见：发展氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等: 近日，浙江省经济和信息化厅发布关于公开征求《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》意见的通知。意见稿提到，新时代新征程，以中国式现代化全面推进强国建设、民族复兴伟业，实现新型工业化是关键任务。 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-15 09:21

【行业人才招聘】能讯半导体2026届校招岗位发布: 来源：能讯半导体*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:24

芯粤能、顶立科技等5家企业公布SiC专利: 在第三代半导体产业加速推进的背景下，碳化硅（SiC）作为核心材料的技术创新持续突破。据集邦化合物半导体不完全统计，近期国内碳化硅领域共有5项关键专利集中公开或授权，覆盖衬底制备、功率器件结构、单晶生长设备 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:17

SiC与GaN：功率半导体百年变局，2030年市场将破百亿美元: 随着电源管理成为车辆电动化、人工智能(AI)数据中心等新兴电子应用中的关键基础技术，碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带化合物半导体正引发前所未有的产业动态与投资热潮。本文将聚焦近年来塑造SiC与GaN市场版图的关 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:15

APL | 南京邮电大学唐为华教授团队：MOCVD氧/镓前驱配比对κ-Ga₂O₃异质外 ...: 近日，南京邮电大学氧化镓半导体创新中心（IC-GAO）唐为华教授团队基于MOCVD技术系统分析了氧/镓前驱物摩尔比（Ⅵ/Ⅲ ratio）生长参数对κ-Ga2O3薄膜外延质量的影响。相关成果以“Effect of the VI/III ratio on the ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:13

半导体“材料之王”金刚石，如何走出实验室？: 被视为“终极半导体”的金刚石，正站在产业化最关键的十字路口。从性能上来讲，金刚石拥有出色的散热能力、宽禁带等优势，理论上能完美解决芯片发热的世纪难题，支撑人工智能、高功率雷达等前沿科技走 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-14 10:01

1 234 5 6 7 8 9 10 ... 277 / 277 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部