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下级分类:  公告通知|联盟动态
小鹏汽车与芯联集成联合开发 国内首个混合碳化硅产品实现量产
小鹏汽车与芯联集成联合开发 国内首个混合碳化硅产品实现量产
ABSTRACT近日,小鹏汽车与芯联集成联合宣布,国内首个混合碳化硅产品已实现量产。该产品由小鹏汽车设计开发、芯联集成联合开发并量产落地。这一成果为提升新能源汽车的性能和降低成本开辟了新路径。碳化硅(SiC)材 ...
分类:    2025-8-26 09:09
山东大学最新成果:1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET
山东大学最新成果:1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET
近日,山东大学&华为联合报道了应用氟离子注入终端结构的1200V全垂直Si基GaN沟槽MOSFET(FIT-MOS)。氟离子注入终端(FIT)区域固有的具有负性电荷成为高阻区域,天然地隔离了MOSFET器件,取代了传统的台面刻蚀终端 ...
分类:    2025-8-25 10:21
36亿/年?碳化硅在800V数据中心的新机遇
36亿/年?碳化硅在800V数据中心的新机遇
前段时间,英伟达宣布将推动数据中心供电架构迈入800V高压直流(HVDC)新纪元。这一战略转变打破了传统机架电源系统的藩篱,同时将为碳化硅功率器件提供一个新的增量赛道。据预测,碳化硅器件在800V数据中心的需求将 ...
分类:    2025-8-25 10:07
XR浪潮下的碳化硅机遇,下一代视觉技术的材料与工程挑战
XR浪潮下的碳化硅机遇,下一代视觉技术的材料与工程挑战
当前,扩展现实(XR)正以前所未有的速度重塑人机交互与数字体验边界,AR眼镜作为XR核心载体之一,已逐步渗透工业、医疗、消费电子等领域,但其性能提升与规模化落地仍面临关键瓶颈——光学系统的小型化、高透光率与 ...
分类:    2025-8-25 10:05
宽禁带联盟2025年度第三次团标评审会顺利召开
宽禁带联盟2025年度第三次团标评审会顺利召开
2025年8月19日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“宽禁带联盟”)2025年度第三次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。此次会议旨在对《氧化镓单晶位错密度的测试方 ...
分类:    2025-8-25 09:59
2025年上半年人工智能眼镜出货量激增250%
2025年上半年人工智能眼镜出货量激增250%
8月12日,市调机构Counterpoint Research在报告中指出,2025年上半年全球智能眼镜出货量同比增长110% 。这一增长主要得益于雷朋Meta智能眼镜的强劲需求,以及小米、TCL-RayNeo等新厂商以及一些小品牌的加入。2025年 ...
分类:    2025-8-19 09:29
极端高温催生技术革命:SiC器件为空调注入极端工况“免疫力”
极端高温催生技术革命:SiC器件为空调注入极端工况“免疫力”
引言今年夏季,全国范围内的极端高温(多地突破40℃)不仅点燃了空调消费热潮,更引发了一波前所未有的“罢工”危机。京东数据显示,7月以来空调维修订单同比暴涨10倍,北京、重庆等高温地区维修需求甚至激增300%, ...
分类:    2025-8-18 09:23
碳化硅在AI算力服务器及基础设施中的应用、厂商布局与市场趋势
碳化硅在AI算力服务器及基础设施中的应用、厂商布局与市场趋势
在 AI 基建中,碳化硅(SiC)凭借高频高效、耐高温、高功率密度等特性,成为解决 “算力飙升与能耗、空间、散热瓶颈” 矛盾的核心材料。从数据中心的电源系统到边缘 AI 设备的稳定运行,派恩杰第四代碳化硅正深度渗 ...
分类:    2025-8-18 09:22
河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌
河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌
8月15日上午,河南省碳化硅功能材料产业研究院揭牌仪式在中宜创芯公司一楼广场举行。中宜创芯、易成新材公司领导、班子成员、副科级以上管理人员参加揭牌仪式。揭牌仪式由中宜创芯副总经理李伟主持,易成新材执行董 ...
分类:    2025-8-18 09:19
人形机器人,带火GaN
人形机器人,带火GaN
2025年可以说是人形机器人的“破圈”之年,更是量产元年。从春晚舞台的惊艳亮相到工业车间的实际作业,从运动赛场的竞技比拼到家庭场景的服务尝试,人形机器人正经历从 “炫技” 到 “实用” 的关键转型,其技术和产 ...
分类:    2025-8-18 09:18
【成员招聘】昂坤视觉科技广纳英才
【成员招聘】昂坤视觉科技广纳英才
来源:昂坤视觉 招聘*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。
分类:    2025-8-15 10:08
行业 | 宁波材料所等在GaN/AlN高质量异质外延及其AlN背势垒HEMT器件领域取得进展
行业 | 宁波材料所等在GaN/AlN高质量异质外延及其AlN背势垒HEMT器件领域取得进展
译自原文Epitaxial growth of a high-quality GaN/AlN heterostructure for the development of an AlN-back barrierhigh-electron-mobility-transistor原文作者Sitong Chen,ab Qiushuang Chen,b Fang Ye,b Ge Gao,a ...
分类:    2025-8-15 10:05
XR浪潮下的碳化硅机遇,下一代视觉技术的材料与工程挑战
XR浪潮下的碳化硅机遇,下一代视觉技术的材料与工程挑战
当前,扩展现实(XR)正以前所未有的速度重塑人机交互与数字体验边界,AR眼镜作为XR核心载体之一,已逐步渗透工业、医疗、消费电子等领域,但其性能提升与规模化落地仍面临关键瓶颈——光学系统的小型化、高透光率与 ...
分类:    2025-8-15 09:56
金刚石薄膜新突破:给芯片降温,还要从界面下手
金刚石薄膜新突破:给芯片降温,还要从界面下手
随着电子器件不断微型化,芯片内部单位面积产生的热量急剧增加,散热问题成为影响器件性能与寿命的关键瓶颈。金刚石具有极高的本征热导率(高达2000 W/(m·K)),是目前已知热导率最高的材料之一。碳化硅(SiC)也具 ...
分类:    2025-8-15 09:55
碳化硅芯片的设计和制造
碳化硅芯片的设计和制造
众所周知,对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有 ...
分类:    2025-8-15 09:53

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