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西安电子集成电路学部诚邀全球英才依托申报2026年海外优青项目
西安电子集成电路学部诚邀全球英才依托申报2026年海外优青项目
文章来源:西电集成电路学部*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。
分类:    2026-1-29 09:50
碳化硅(SiC)在不同电机上的应用差异
碳化硅(SiC)在不同电机上的应用差异
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体,其特性重塑了电机驱动系统的设计范式。物理特性优势:击穿场强(3.0 MV/cm):允许器件厚度减少90%,实现更紧凑的功率模块设计。热导率(4.9 W/cm·K):散热效率提升,冷却系 ...
分类:    2026-1-29 09:46
SiC MOSFET 技术全景:从七大架构到 2025 厂商新品盘点
SiC MOSFET 技术全景:从七大架构到 2025 厂商新品盘点
2025 年,SiC MOSFET 正在高压功率电子领域加速普及。从电动汽车牵引逆变器到数据中心电源,从可再生能源系统到工业变换器,这一宽禁带半导体器件凭借更高的效率、更高的功率密度,以及在极端工况下的可靠表现,正在 ...
分类:    2026-1-29 09:19
2025年SiC产业洞察:SiC光波导产业化提速
2025年SiC产业洞察:SiC光波导产业化提速
近期,瑞声科技、歌尔光学、舜宇光学等多家企业相继推出视场角达50°及以上的碳化硅(SiC)光波导方案,这一态势标志着碳化硅光波导技术成熟度显著提升,产业化落地进程持续提速。据此,我们重点梳理了当前碳化硅光 ...
分类:    2026-1-29 09:14
九峰山实验室联合华中科技大学:安培法Ga₂O₃两步沟槽肖特基势垒二极管的 ...
九峰山实验室联合华中科技大学:安培法Ga₂O₃两步沟槽肖特基势垒二极管的 ...
由JFS实验室联合华中科技大学的研究团队在学术会议2025 22nd China International Forum on Solid State Lighting 2025 11th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)发布了一篇名为T ...
分类:    2026-1-28 09:56
碳化硅(SiC)功率器件栅氧风险分析报告
碳化硅(SiC)功率器件栅氧风险分析报告
核心摘要碳化硅(SiC)作为第三代半导体的核心材料,正在电动汽车(EV)、可再生能源和工业应用领域引发一场深刻的革命。其卓越的高电压、高频率和高温性能,使得功率电子系统能够实现前所未有的效率和功率密度。然而, ...
分类:    2026-1-28 09:48
GaN避坑指南:隐形的“动态导通电阻”究竟吞噬了多少效率?英飞凌实测揭秘
GaN避坑指南:隐形的“动态导通电阻”究竟吞噬了多少效率?英飞凌实测揭秘
引言:数据手册里没告诉你的秘密在当今追求极致功率密度和效率的电源设计中,高压氮GaNHEMT(高电子迁移率晶体管)已经成为明星器件。无论是服务器电源、数据中心PSU,还是消费类的充电适配器,GaN都在大显身手。作 ...
分类:    2026-1-28 09:32
复旦大学宁波研究院诚邀全球英才申报2026年海外优青
复旦大学宁波研究院诚邀全球英才申报2026年海外优青
一、项目简介国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(海外)旨在吸引和鼓励在自然科学、工程技术等方面已取得较好成绩的海外优秀青年学者(含非华裔外籍人才)回国(来华)工作,自主选择研究方向开展创新性研究,促 ...
分类:    2026-1-27 09:29
从散热到系统可靠性:金刚石正在进入先进封装
从散热到系统可靠性:金刚石正在进入先进封装
刚刚过去的 CES 2026 上,初次亮相的美国初创公司 Diamond Quanta 展示了 300 mm 金刚石-硅复合晶圆和首款商业化产品 Adamantine Optics™。展会刚结束不久,Diamond Quanta 便于近日正式发布 Adamantine Therm ...
分类:    2026-1-27 09:28
捷捷微电、国联万众、蓝箭电子等5家厂商披露碳化硅进展
捷捷微电、国联万众、蓝箭电子等5家厂商披露碳化硅进展
在新能源汽车、AI算力中心等下游场景需求爆发驱动下,国内碳化硅产业正迎来技术迭代与产能扩张的双重突破。近日,捷捷微电、蓝箭电子、国联万众、精进电动、时代电气等产业链各环节企业密集披露最新进展,涵盖8英寸 ...
分类:    2026-1-27 09:27
AI带火的不仅是存储,碳化硅氮化镓“闷声发大财”
AI带火的不仅是存储,碳化硅氮化镓“闷声发大财”
近日,中国科学院院士郝跃、西安电子科技大学教授张进成团队首创“离子注入诱导成核”技术,基于该技术制备的氮化镓微波功率器件,在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米和20瓦/毫米,将国际纪录提升30%~40%, ...
分类:    2026-1-27 09:20
2025氧化镓产业发展图景:全球多点突破与中国协同跃升
2025氧化镓产业发展图景:全球多点突破与中国协同跃升
引言2025年,全球氧化镓产业格局持续深化演进。在国际层面,日本、德国、美国、韩国等多国企业在产能扩张、战略合作与市场布局上动作频仍,推动全球产业生态加速完善。与此同时,中国氧化镓产业依托长期积累与协同发 ...
分类:    2026-1-26 10:29
国内可量产的最大8英寸金刚石热沉片来了,即将量产!
国内可量产的最大8英寸金刚石热沉片来了,即将量产!
据河南省科学技术厅消息,河南作为我国超硬材料产业的核心区,正通过持续创新,在半导体芯片制造、高端芯片散热等关键领域实现技术突破与国产化替代,推动产业向高端化、集群化发展。在半导体芯片制造领域,位于郑州 ...
分类:    2026-1-26 09:43
【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院招聘启事
【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院招聘启事
文章来源:江苏第三代半导体研究院*声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点,不代表本联盟对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系我们。
分类:    2026-1-23 10:05
GaN 技术取得重大里程碑!
GaN 技术取得重大里程碑!
德国亚琛工业大学(RWTH Aachen University )与 爱思强(AIXTRON SE)成功在200 mm 蓝宝石衬底上展示了N 极性(N-polar)III-氮化物 HFET(高电子迁移率晶体管),标志着高频 GaN 器件在可扩展、低成本制造道路上迈 ...
分类:    2026-1-23 10:03

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