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重磅首发！2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛首批嘉宾阵容揭晓！: 会议背景为推动宽禁带半导体产业的可持续发展，突破产业发展的瓶颈，探寻新的发展机遇，宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15 日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业 ...; 分类: 公告通知 2025-6-3 10:11

罗姆首款高耐压GaN驱动器IC量产: 5月27日，罗姆宣布推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用，可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动，有助于电机和服务器电源等大电流应 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:15

长飞先进武汉基地首片晶圆正式下线: 2025年5月28日上午，湖北省委书记、省人大常委会主任王忠林一行莅临长飞先进武汉基地，察看碳化硅晶圆生产线，并见证基地首片晶圆生产下线。现场，随着首片晶圆从生产车间成功下线，总投资超200亿元的长飞先进武汉基 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:11

杰平方-奥斯达克成立SiC战略合作中心: 近期，杰平方半导体（上海）有限公司与深圳奥斯达克电气技术有限公司正式签署碳化硅（SiC）战略合作协议，并共同为“杰平方-奥斯达克SiC战略合作中心”揭牌。图片来源：杰平方半导体资料显示， #奥斯达克作为车载电 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:09

1500V：GaN功率器件突破电压极限的关键是什么？: 横向GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）目前在中低功率转换应用中呈现出强劲的增长态势。要将这种材料体系拓展到更高电压等级，必须在器件结构设计与衬底技术上进行创新。本文总结了台湾研究团队在开发1500V击穿电压GaN ...; 分类: 新闻通知 2025-5-30 09:08

广州这个氧化镓外延项目即将投产: 近日，由香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学（广州）联合孵化的“拓诺稀科技”迎来里程碑时刻——其位于南沙的首个先进生产厂房正式启用！该厂房配备高标准洁净室设施和完善的生产研发配套，具备批量化外延制备 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-29 09:26

近20家终端企业看好SiC，充电模块应用加速: 如今，碳化硅在新能源领域应用速度不断加快，渗透率持续提高。其中，充电模块随着新能源汽车的快速发展，其市场规模不断扩大，对碳化硅功率器件的需求也与日俱增。值得关注的是，近日国内头部充电模块供应商优优绿能 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-29 09:23

港交所将迎中国碳化硅芯片首股，基本半导体第三代半导体资本竞速: 5月27日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式向港交所递交上市申请，中信证券、国金证券（香港）及中银国际担任联席保荐人，这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商。图片来源： ...; 分类: 新闻通知 2025-5-29 09:21

纳微半导体：GaN双向IC：推动电力电子领域的范式变革: 功率半导体的发展，始终源于对无限接近理想开关器件性能的不懈追求。多年以来，设计工程师们一直构想这样一种技术：它既能有效阻断反向电压，又能以近乎零损耗的状态实现双向电流导通。如今，随着GaN（氮化镓）技术 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-29 09:18

新加坡迎来一条8英寸碳化硅产线，亚洲第三代半导体竞赛再升级: 近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布启动全球首条200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工业级开放研发生产线。图片来源：A-STAR图为A-STAR首席执行官 Beh Kian Teik该生产线由ASTAR微电子研究所（IME）运营，整合了从材 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-28 09:44

十年磨一剑！丰田发布SiC插混车型: 日前，丰田汽车首次向全球发布第六代丰田RAV4。其中，新RAV4的插电混动车型首次采用SiC，在实现系统体积更小巧的同时，动力更强、油耗更低。十年前，丰田将SiC搭载在插电式混合动力车Prius的试制车上进行测试；十年 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-28 09:43

动力总成功率半导体解析 | IGBT, SiC Mosfet, GaN HEMT半导体工作原理: 导言：Si基IGBT在电力电子应用行业占据主导地位，比如不间断电源、工业电机驱动、有轨电车以及电动汽车(EV)等；市场对更小型化产品的需求，使得碳化硅(SiC)MOSFET, GaN HEMT等将会成为这些应用中受欢迎的替代品；同 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-28 09:41

氨热法 GaN 单晶生长的位错密度演变研究: 摘要：氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:20

北京科技大学李成明教授：CVD金刚石膜应力的产生、抑制和应用: 金刚石具有优异的性能，在光学、电子器件热管理领域及宽禁带半导体领域有着广阔的应用前景，被誉为终代半导体。作为光学窗口需要大尺寸、厚度2 mm以上的CVD金刚石自支撑厚膜；在半导体散热中，则需要4英寸以上、100 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:18

株洲中车8英寸SiC产线披露最新进展: 5月21日，#株洲中车董事长李东林在“先进轨道交通行业专场”说明会上透露了公司在碳化硅（SiC）产业的最新进展。株洲中车正加快8英寸碳化硅产线建设，其中三期8英寸SiC晶圆项目已于2024年11月启动，计划2025年5月完 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:14

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