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碳化硅热潮:印度能否抓住147亿美元的芯片机会?: 印度的半导体使命正处于关键时刻，该使命旨在将印度转变为全球芯片制造中心。虽然硅长期以来是半导体行业的基石，但碳化硅（SiC）作为新一代材料的崛起，为印度提供了开拓高附加值产业的良机。碳化硅（SiC）以其在高 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-21 08:54

日本电装：开发出GaN 三电平汽车电驱方案: 1月15日，据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机（图 1）。据了解，名古屋大学与松下控股、丰田合成、大 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-21 08:53

Coherent追加5.8亿元扩产，新增75万片产能！: 1月17日，据外媒报道，美国商务部宣布根据《芯片和科学法案》新签署四份补助合同，其中包括向Coherent（原贰陆）提供7900万美元（约5.79亿人民币）的直接拨款资助——据介绍，美国商务部拟议的资金补助将支持Coheren ...; 分类: 新闻通知 2025-1-21 08:50

宣布！英飞凌合并传感器和射频业务: 当地时间1月16日，电源、汽车和物联网半导体领域的领导者英飞凌科技股份公司宣布成立一个新的业务部门，将现有的传感器和射频（RF）业务合并为一个专门的组织，以推动公司在传感器领域的发展。新的业务部门SURF（传 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-20 09:13

CVD薄膜质量影响因素及故障排除: CVD薄膜质量影响因素以下将以PECVD技术沉积薄膜作为案例，阐述影响薄膜品质的几个核心要素。PECVD工艺质量主要受气压、射频能量、衬底温度、射频源的工作频率、电极板间距以及反应腔体大小等因素的影响。在等离子体 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-20 09:10

氧化镓科技企业杭州镓仁半导体有限公司董事长/浙江大学教授张辉：未来可能在功率器件 ...: 近年来，在国际压力及政府资金和其他激励措施的支持和推动下，国内涌现出一大批优秀且专业的化合物半导体团队和创业公司。由于强大的电信和汽车行业的存在，供应链机遇推动化合物半导体市场愈加火热，不断实现高速增 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-20 09:09

宽禁带科技论|北京大学：高效热管理氮化镓器件的设计新思路: 研究背景随着电子器件向高功率和高密度的发展，III-氮化物半导体材料由于其优异的电子和热性能，逐渐引起了科学家的广泛关注。特别是氮化镓（GaN）因其宽禁带、高击穿场强和高电子迁移率等特性，在功率电子和光电子 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-20 09:07

芯联集成：SiC营收突破10亿元: 1月15日，芯联集成发布2024年全年业绩预告，其中提到：“2024年，公司碳化硅业务实现收入超10亿元。”芯联集成曾在2024Q3财报中披露，他们的“SiC功率模块量产和定点项目持续增加，已获得比亚迪、小鹏、蔚来、理想、 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-17 09:14

MPCVD法——高品质单晶与多晶金刚石生长的不二之选: MPCVD（微波等离子体化学气相沉积）技术因其独特优势，成为生长高品质单晶和光学级多晶金刚石的首选方法。以下是MPCVD技术的亮点：无电极污染：MPCVD利用微波能量维持等离子体，避免了传统CVD方法中金属电极对金刚石 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-17 09:13

【政策措施】山东：重点发展碳化硅、氮化镓、金刚石等新材料: 据山东省科学技术厅官网消息，近日，山东省发布了《山东省新材料产业科技创新行动计划（2025—2027年）》（以下简称“《行动计划》”），提出实施标志性产业链战略材料攻坚行动，在新一代电子信息材料方面，研究大尺 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-17 09:11

总投资150亿！郑州一碳化硅项目要开建！: 在郑州新密市，一个总投资额高达 150 亿元的半导体先进制造业产业园项目即将拉开序幕。该项目备受各界瞩目，承载着推动区域产业蓬勃发展的殷切期望，未来有望成为拉动地方经济增长的强劲引擎。郑州新密市半导体先进 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-16 09:16

京东方华灿与晶通半导体发力氮化镓: 随着全球新能源汽车、光储充、人形机器人、AI数据中心等新兴市场的蓬勃发展，高性能氮化镓（GaN）功率器件市场需求呈现出持续增长态势。在此背景下，为加速氮化镓功率器件的研发与量产，京东方华灿和晶通半导体于202 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-16 09:15

英飞凌泰国功率模块组装新厂动工，2026年初投入运营: 英飞凌已在泰国曼谷南部的北榄府开始建设一座新的高度自动化后端组装厂，用于生产功率模块。首座建筑计划于2026年初投入运营，但公司尚未提供预期的产能或技术水平。进一步的产能提升将根据市场需求灵活管理。该项目 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-16 09:13

宽禁带科技论|山东大学开发出阈值电压为7.1V的高击穿电压的P-GaN HEMTs: 山东大学报道了一种通过在栅极金属沉积之前将P-GaN的热氧化处理与原子层沉积（OTALD）相结合的增强型P-GaN/AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）。与传统器件相比，该器件的阈值电压从1.8V显 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-16 09:09

MOS管及本征增益简介: MOS管及本征增益简介MOS管MOS,是金属-氧化物-半导体场效应晶体管英文名称的缩写，是一种独特的半导体器件，它通过电场效应来控制输出回路的电流，这一特性使其得名。该器件主要依赖半导体中的多数载流子进行导电，因 ...; 分类: 新闻通知 2025-1-15 09:18

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