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士兰微控股子公司70亿元碳化硅半导体项目环评获同意: 据每日经济新闻，士兰微控股子公司厦门士兰集宏半导体有限公司8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目（一期）环评审批获同意。该项目总投资额达70亿元。据报道，位于福建省厦门市海沧区的士兰集宏8英寸碳化硅功率器件 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-28 09:14

美国能源部宣布向SK Siltron CCS提供4.815亿美元贷款: 公司将利用这笔资金扩大电动汽车用SiC晶圆的制造作为拜登-哈里斯政府“投资美国”议程的一部分，美国能源部（DOE）宣布向SK Siltron CCS有限责任公司提供5.44亿美元贷款（本金4.815亿美元，资本化利息6250万美元）， ...; 分类: 新闻通知 2024-11-27 09:48

国产SiC加速上车！已搭载比亚迪/蔚来/奇瑞等: 近日，国内外5家SiC企业均加速推进旗下SiC产品上车进程，涉及车企包括蔚来、比亚迪及奇瑞等：芯联集成：供应蔚来乐道首发车型11月26日，芯联集成官微宣布，蔚来旗下全新品牌乐道首款车型乐道L60采用了他们供应的碳化 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-27 09:46

国产OBC采用GaN！可节省1500元: 11月25日，汇川联合动力在官微宣布，他们正式推出了新一代6.6 kW GaN车载二合一电源产品，该产品将车载充电器与车载直流变换器集成，采用GaN功率器件，达到了业内领先的96%充电效率和4.8 kW/L整机功率密度。据悉，该 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-26 10:02

行业 | 超宽禁带半导体AlN：一个迅速崛起的III族氮化物市场: 译自原文Semiconducting AlN: A New Rapidly Emerging III-Nitride Market原文作者W. Alan Doolittle, Habib Ahmad, Christopher M. Matthews, Keisuke Motoki, Sangho Lee, Emily N. Marshall, and Amanda L. Tang ...; 分类: 新闻通知 2024-11-26 09:59

阳光电源等入股这家功率半导体企业——阿基米德半导体: 天眼查App显示，近日，阿基米德半导体（合肥）有限公司发生工商变更，新增阳光电源（300274）、合肥阳光仁发碳中和投资管理中心（有限合伙）、安徽新能天使创业投资基金合伙企业（有限合伙）、合肥仁创二期股权投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-26 09:45

【器件与应用专场】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2024)在中国深圳顺利召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 10:11

合计超6.3亿！4家SiC相关企业完成融资: 近日，SiC行业新增了4起融资/收购案，合计涉及金额超6.3亿人民币。晶能微电子：完成5亿元B轮融资据“吉利科技集团”官微消息，10月25日，旗下子公司浙江晶能微电子有限公司正式完成5亿元B轮融资，由秀洲翎航基金投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:53

小米、东风投资这家SiC企业——芯联动力: 值得注意的是，这是芯联动力的首轮融资，其目前共有31位股东，除了东风汽车、北京小米外，还有阳光电源、瑶芯微电子、博世博原资本、小鹏星航资本、上汽尚颀资本、宁德时代晨道基金、立讯精密立翎基金等具有新能源汽 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:52

【材料与装备专场】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2024)在中国深圳顺利召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:49

【主会场报告】第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 2024年11月8日，为期3天的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2024)在中国深圳顺利召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-25 09:32

罗姆SiC SBD采用全新封装设计: 爬电距离约为标准产品的1.3倍罗姆半导体宣布推出全新表面贴装型SiC肖特基势垒二极管（SBD），其引脚间爬电距离有所延长，导致绝缘电阻增高。首批产品阵容包含八种型号（SCS2xxxNHR），用于车载充电器（OBC）等汽车应 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-22 09:16

氮化镓半导体产业化方兴未艾: 背景逻辑当前世界上最先进的半导体材料之一氮化镓是一种无机物，其化学式为GaN（英文名称：Gallium Nitride），是氮和镓的化合物，通常情况下为白色或微黄色的固体粉末，具有结构稳定、熔点高、耐高压、坚硬等特点， ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 09:02

用于5G FR2手机的双异质结构氮化镓: 新加坡研究人员称，以低压（LV）高频性能为目标的硅（Si）基氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在饱和输出功率（Psat）上达到创纪录水平。研究团队由新加坡国家氮化镓技术中心（NGTC）、新加坡微电子研究所（ ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:57

日本金刚石半导体技术可能会在 2025-2030 年带来实际应用: 日本在金刚石半导体技术领域的研究和应用一直处于全球领先地位，尽管面临技术挑战，但金刚石半导体以其卓越的性能而闻名，其技术突破最早可能在 2025年至2030年带来实际应用。据日经新闻报道，佐贺大学于2023年成功 ...; 分类: 新闻通知 2024-11-21 08:54

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