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苏州博宏源设备邀您参加第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 尊敬的业内同仁，您好！苏州博宏源设备股份有限公司诚挚地邀请您参加11月6日-8日在中国深圳·深圳坪山格兰云天国际酒店举办的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议。在会议期间，苏州博宏源设备股份有限公司将在NO.35 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-30 09:23

早鸟倒计时1天！报告主题抢先看！APCSCRM 2024邀您来参会！: 第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）将于2024年11月6日至8日在中国·深圳隆重举行，聚焦宽禁带半导体（SiC，GaN，Ga2O3，AlN，金刚石等）相关材料、器件及前沿应用汇聚全球知名专家，共同解锁宽禁带 ...; 分类: 公告通知 2024-9-30 09:19

碳化硅需求激增，印度和泰国分别宣布建新厂: 随着新能源汽车和可再生能源的快速发展，碳化硅作为关键半导体材料，以其在电力电子领域的出色表现，备受全球追捧。近日，泰国与印度相继宣布了碳化硅工厂的建设计划，进一步推动这一领域的发展。泰国首座碳化硅芯片 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-25 09:26

实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配，并促使逆变器更加“智能化”和 ...: 实现SiC器件与先进电机、电控系统的全方位优化、匹配，并促使逆变器更加“智能化”和“傻瓜化”CISSOID与南京航空航天大学自动化学院电气工程系达成深度战略合作协议，建立联合电驱动实验室，共同开展相关前沿技术 ...; 分类: 联盟动态 2024-9-25 09:22

尹力书记、殷勇市长在大兴区调研期间走访北京天科合达: 原文标题：尹力、殷勇到大兴区调研，要求立足“三区一门户”功能定位，打造向世界展现中国式现代化的重要窗口9月23日下午，市委书记尹力到大兴区调研，他强调，要深入贯彻党的二十届三中全会精神，落实市委十三届五 ...; 分类: 联盟动态 2024-9-25 09:18

丹东新东方晶体仪器邀您参加第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 尊敬的业内同仁，您好！丹东新东方晶体仪器有限公司诚挚地邀请您参加11月6日-8日在中国深圳·深圳坪山格兰云天国际酒店举办的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议。在会议期间，丹东新东方晶体仪器有限公司将在NO.12 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-25 09:16

宽禁带大讲堂——先进封装技术助力宽禁带半导体产业高质量发展: 先进封装是集成电路封装技术的重要发展方向，可以实现高密度、多功能和三维整合等多方面的发展要求。受益于人工智能、高性能计算等领域对芯片的性能和算力需求的驱动，先进封装市场规模快速增长，市场份额占比将超过 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-25 09:11

超宽禁带半导体材料与器件研究进展: 作者：何云龙，陆小力，孙静，张金风，郑雪峰，马佩军，马晓华，郝跃（宽禁带半导体国家工程研究中心，西安电子科技大学，陕西省西安市 710071）摘要：以氧化镓、金刚石和氮化铝为代表的超宽禁带半导体是继硅、砷化 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-24 09:46

宁波鲍斯能源装备邀您参加第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 尊敬的业内同仁，您好！宁波鲍斯能源装备股份有限公司诚挚地邀请您参加11月6日-8日在中国深圳·深圳坪山格兰云天国际酒店举办的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议。在会议期间，宁波鲍斯能源装备股份有限公司将在N ...; 分类: 新闻通知 2024-9-24 09:25

又一企业官宣已成功制备8英寸SiC晶圆: 9月17日，日本碍子株式会（NGK，下文简称日本碍子）在其官网宣布，已成功制备出直径为8英寸的SiC晶圆，并表示公司将于本月低在美国ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圆及相关研究成果。6英寸SiC晶圆（source：日本碍子）公 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-23 10:25

碳化硅凭什么进入白电市场: （1）5年内价格持平据了解，截至今年二季度，国际供应商的6英寸碳化硅衬底报价在800美元以下，而国内碳化硅衬底的报价已下降到500美元以下。与之相对应，去年6英寸SiC衬底市场价格还在1000美元以上，而且随着更多产 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-23 10:20

安森美 | 打造多元化产品组合，持续提升市场竞争力: 上月末，安森美(onsemi)参加了深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia 2024），并在展会期间举行了主题为“创新，为了更美好的未来”的媒体交流会。碳化硅芯观察参与了当天的媒体交流活动，安森美首席营 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-23 09:07

第6讲：SiC单晶生长技术: 高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD法等，本文带你了解以上三种SiC晶体生长方法及其优缺点。正文字数：1156；阅读时间：4分钟在常压下，不存在 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-20 09:24

大电流垂直金刚石MOSFET: 日本早稻田大学报告了用金刚石制造的垂直金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其最大漏极电流可达0.7A 。该研究团队称，在迄今为止报告的金刚石FET中，0.7A的漏极电流是最大的。共有五名研究人员参与这项研究， ...; 分类: 新闻通知 2024-9-20 09:18

金刚石GaN异质外延及热管理: 1.金刚石相关介绍金刚石是立方晶体结构，不同于GaN的纤锌矿晶体结构，GaN和金刚石之间存在很大的晶格失配和热膨胀系数失配，如表1所示，给异质外延技术带来了许多难题，如何有效控制应力以及晶体质量都是关键核心问 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-20 09:16

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