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上海电机学院发表12英寸SiC晶体生长重要研究成果: 近日，上海电机学院超宽禁带半导体团队在碳化硅（SiC）大尺寸晶体生长领域取得重要进展。该团队研究生李伟填以第一作者身份，在国际晶体工程领域知名期刊《CrystEngComm》上发表了题为“Thermal field simulation an ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 13:37

告别“两难选择”：沟槽辅助平面栅SiC MOSFET分析: 在高压功率转换领域，碳化硅（SiC）MOSFET正成为工程师手中不可或缺的利器。然而，长久以来，选择SiC MOSFET却像在两条并不完美的道路之间做痛苦取舍：平面栅型结构制造简单、成本可控、栅极氧化层可靠性高，但导通 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-29 13:25

宽禁带联盟2026年度第二次团标评审会顺利召开: 2026年4月28日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2026年度第二次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。本次会议就以下六项标准开展了评审工作：1. 《 ...; 分类: 联盟动态 2026-4-29 10:12

SiC MOSFET负栅压偏置引起的Vth不稳定性：体二极管导通作用: SiC器件实际应用中为了避免SiC MOSFET的误导通，故在开关操作期间常采用负的VGS-off。所以这项研究就针对负VGS-off对阈值电压Vth稳定性的影响，并探究了体二极管导通的作用。结果表明，待测器件在VGS-off=0V时，器件 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:55

中国电科突破金刚石晶圆规模化量产，AI散热市场迎来关键变量: 4月13日晚间，中国电科产业基础研究院宣布一项里程碑式突破：自主研发的大尺寸低成本自支撑金刚石晶圆实现关键技术突破与规模化量产。众所周知，金刚石的热导率是铜的5倍以上，理论上是最理想的芯片散热材料，但长期 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:37

一文看懂！台积电为何要用SiC中介层？: 最近，我们了解到，台积电已经向部分企业提出较为明确的12英寸中介层SiC衬底需求，今年将开启交付，而且明年的需求预期量将翻倍增长。值得思考的是，台积电明知12英寸SiC衬底成本很高，SiC加工技术也存在一定挑战， ...; 分类: 新闻通知 2026-4-21 15:35

【行业人才招聘】甬江实验室微纳平台扩招中: 随着微纳平台客户项目快速增长、产线任务持续提升，我们正在加速扩建团队，诚邀更多优秀人才加入，共同推进高端微纳制造与异质异构集成技术的发展。地点：浙江·宁波平台：甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台（8 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 10:25

最易懂的GaN芯片结构解说：一文吃透 AlGaN、2DEG、HEMT等核心术语: 提到 GaN（氮化镓）芯片，大家总能听到GaN、AlGaN、2DEG、HEMT、D-mode、E-mode、pGaN 这些专业名词。专业名词一多了看的时候总容易看不懂，这篇文章就来一文解说这些专业名词，让大家轻松看懂GaN芯片结构。目前 P ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 10:04

中国高校携手，单片异质集成芯片与重构技术: 作者: 杜文张来源: ISPSD 功率半导体器件和集成电路国际会议当今社会是数据为王的时代，材料融合与异质异构是信息获取，数据处理的重要载体。尽管3D堆叠Chiplet晶粒成为后摩尔时代AI海量数据处理的主流技术路线之一 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:38

800V AI算力时代，GaN从“备选”变“刚需”？: AI算力正以每3.4个月翻一番的速度狂飙，全球数据中心用电量持续攀升，预计到2030年将占全球耗电量的7%，电力已成为制约AI产业发展的核心瓶颈。单机柜功率从传统的5-8kW跃升至数百kW，GPU功耗不断突破上限，供电链路 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:32

12%效率跃升+99.99%供电可靠！新特电气×清华固态变压器突破: 2026年4月8日，新华都特种电气（新特电气，301120）与清华大学正式宣布共建固态变压器联合研究中心，一举攻克高频SST（固态变压器）与大容量中频DCT（直流变压器）两大核心技术，实现绿电直连效率提升12%，数据中心 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-20 09:30

芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体加码SiC项目建设: 近期，国内半导体企业纷纷加码SiC领域布局，芯联集成、士兰微、中瑞宏芯半导体等企业相继推进相关项目建设：芯联集成：正在推进碳化硅MOS芯片制造二期项目建设，将新增1.5万/片月的6、8英寸兼容SiC MOS生产线；士兰 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:13

论文推介丨4H-SiC外延形貌缺陷对MOSFET电学特性影响研究: 在全球能源转型与新型电力系统对电能高效转换的迫切需求背景下，4H-SiC MOSFET凭借材料的高击穿电场、高热导率等优势，在中高压应用中展现出比硅基IGBT更优的开关性能、转换效率和高温适应性，对现代及下一代电网应 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:12

大咖谈技术丨为AI数据中心供电：氮化镓（GaN）正成为焦点: Tom TrumanVice President, Performance Computing Power Division在数据中心设计的新纪元，人工智能（AI）正深刻重塑电力的生成、分配和应用方式，以驱动实时、数据导向的成果。传统的云数据中心围绕相对可预测的CP ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:09

2-3月宽禁带半导体产业简报：从材料突破到应用“破圈”: 在国家“十五五”规划明确支持宽禁带半导体产业提质升级的背景下，2026年2-3月，我国产业界在大尺寸晶圆、关键装备国产化及前沿应用拓展等方面取得一系列突破性进展。碳化硅（SiC）领域，8英寸晶圆实现量产与高良率 ...; 分类: 新闻通知 2026-4-17 10:07

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