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宁波材料所团队:氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述
宁波材料所团队:氧化镓与金刚石的异质集成方法及应用进展综述
氧化镓是一种带隙约4.9 eV的超宽禁带半导体,具备极高的击穿电场强度(约10 MV/cm)和优异的Baliga优值,使其在高压功率器件领域具有显著优势。相比传统硅材料,其性能潜力可提升数千倍,因此被认为是实现10 kV以上 ...
分类:    2026-3-31 09:49
【Wolfspeed白皮书】响应市场需求:以可靠的碳化硅基固态变压器为 AI 人工智能赋能
【Wolfspeed白皮书】响应市场需求:以可靠的碳化硅基固态变压器为 AI 人工智能赋能
【Wolfspeed白皮书】响应市场需求:以可靠的碳化硅基固态变压器为 AI 人工智能赋能作者:Ashish Kumar 博士,Wolfspeed 中高电压研究科学家英伟达在 2025 年 Computex 上宣布的 800 V 高电压直流架构 — 从根本上改 ...
分类:    2026-3-31 09:47
AI算力背后电力推手 GaN加速挺进高压大功率,成AI电源效能必选项
AI算力背后电力推手 GaN加速挺进高压大功率,成AI电源效能必选项
随着人工智能算力需求呈指数级增长,数据中心的电力挑战正逼近物理极限。在这一背景下,氮化镓(GaN)技术正加速从消费级快充迈向高压大功率领域,成为AI基础设施效能革命的核心支撑。全球AI运算需求的急剧攀升,正推 ...
分类:    2026-3-31 09:37
宽禁带联盟闪耀SEMICON China 2026,全链协同构建产业新生态
宽禁带联盟闪耀SEMICON China 2026,全链协同构建产业新生态
2026年3月25日至27日,备受全球半导体产业瞩目的SEMICON China 2026在上海新国际博览中心盛大举行。宽禁带半导体技术创新联盟(以下简称“联盟”)精彩亮相本次展会,系统展示了联盟近年来在推动宽禁带半导体产业化 ...
分类:    2026-3-31 09:35
吉林大学邹广田院士团队攻克2英寸单晶金刚石制备核心技术
吉林大学邹广田院士团队攻克2英寸单晶金刚石制备核心技术
近日,吉林大学邹广田院士团队在大尺寸单晶金刚石制备领域取得重大突破,成功研发出拥有自主知识产权的“台阶流调控技术”,并制备出2英寸(50×50 mm2)单晶金刚石。相关成果发表于国际学术期刊《Functional Diamon ...
分类:    2026-3-30 11:15
北京大学“全金刚石-歧管微通道”散热器,突破传统散热技术极限
北京大学“全金刚石-歧管微通道”散热器,突破传统散热技术极限
随着对高性能、大功率电子器件的需求不断增长,芯片功耗已达到前所未有的水平。芯片的热管理在决定其运行效率、可靠性和使用寿命方面起着关键作用。近年,大量研究集中在硅衬底上制造微通道,以增强对流换热。然而, ...
分类:    2026-3-30 11:14
碳化硅+原子层沉积=下一代光子芯片?德国团队解锁量子光学新路径
碳化硅+原子层沉积=下一代光子芯片?德国团队解锁量子光学新路径
在ALP-4-SiC项目中,德国联邦研究、技术与航天部推出了“科学预研项目”计划。在该项目中,德国的马克斯·普朗克光科学研究所与弗劳恩霍夫IISB研究所共同致力于开发用于制造高效光子集成电路以及基于碳化硅的微型固 ...
分类:    2026-3-30 11:12
英诺赛科:GaN龙头,引领AI数据中心+机器人架构革新
英诺赛科:GaN龙头,引领AI数据中心+机器人架构革新
目 录1 英诺赛科:全球氮化镓功率龙头,引领第三代半导体1.1. 市场地位:全球GaN IDM领军企业,多领域渗透驱动增长1.2. 股权结构:创始人主导+多元资本协同,产业资源深度绑定1.3. 财务状况:营收快速增长,减亏趋势 ...
分类:    2026-3-30 11:09
国际首次! 富加镓业成功制备12英寸氧化镓单晶
国际首次! 富加镓业成功制备12英寸氧化镓单晶
国际首次!富加镓业12英寸氧化镓单晶震撼问世“十五五”规划开局之年,富加镓业再次迎来历史性突破!3月26日,富加镓业宣布在国际上首次成功制备出12英寸氧化镓(Ga₂O₃)单晶,这是继2025年12月成功制备 ...
分类:    2026-3-30 10:55
中车时代:基于全SiC MOSFET器件的地铁车辆牵引变流器设计及应用
中车时代:基于全SiC MOSFET器件的地铁车辆牵引变流器设计及应用
基于全SiC MOSFET器件的地铁车辆牵引变流器设计及应用万伟伟,曾文杰,文奇豪,罗 谦,周 磊,唐邕浦(株洲中车时代电气股份有限公司,湖南 株洲 412001)摘 要:基于某地铁车辆全SiC MOSFET器件牵引变 ...
分类:    2026-3-30 10:49
2026年碳化硅SiC半导体材料产业报告:AI算力时代的“功率基石”
2026年碳化硅SiC半导体材料产业报告:AI算力时代的“功率基石”
摘要:本报告立足于2026年第一季度,系统审视碳化硅(SiC)半导体材料产业的投资价值与发展前景。报告指出,随着AI芯片功耗突破风冷散热极限、新能源汽车向800V高压架构全面普及,碳化硅作为第三代半导体材料的核心 ...
分类:    2026-3-30 10:34
镓未来双向GaN器件携手合工大,摘日内瓦金奖!OBC集成度提升53%
镓未来双向GaN器件携手合工大,摘日内瓦金奖!OBC集成度提升53%
2026年3月14日,从瑞士日内瓦传来喜讯:一项来自中国的第三代半导体创新成果,闪耀国际舞台——由合肥工业大学电气工程系陈强教授团队研发的“高效、高功率密度双向氮化镓车载充电系统”,荣获日内瓦国际发明展金奖 ...
分类:    2026-3-30 10:33
氮化镓,全面起飞
氮化镓,全面起飞
2026年3月,当全球半导体产业仍在后摩尔定律的迷雾中探索前行时,氮化镓(GaN)正以惊人的速度从“替代技术”蜕变为“必需技术”。Yole与集邦咨询的最新数据为这一判断提供了坚实注脚:2026年全球GaN功率器件市场规 ...
分类:    2026-3-23 09:36
钻石也能发电?压电金刚石薄膜问世,颠覆认知!
钻石也能发电?压电金刚石薄膜问世,颠覆认知!
近日,在瑞士日内瓦举行的第51届国际发明展上,DiamNEX公司创始人褚智勤教授领衔的科研团队凭借“压电金刚石薄膜(Piezoelectric Diamond Membranes)”项目斩获金奖。继2024年凭借“边缘暴露剥离法量产金刚石薄膜”技 ...
分类:    2026-3-23 09:34
2025全球人形机器人出货14500:量产拐点已至,GaN迎来黄金发展期
2025全球人形机器人出货14500:量产拐点已至,GaN迎来黄金发展期
2025全球人形机器人出货破14500台:量产拐点已至,GaN迎来黄金发展期作为具身智能落地的核心载体,人形机器人正从实验室研发、工业场景试用到规模化量产加速迈进,成为全球科技产业与半导体产业链共同关注的超级增量 ...
分类:    2026-3-23 09:30

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