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西电、武大、青禾晶元联合突破：GaN-on-Diamond技术获重要进展: 随着5G通信、雷达、电动汽车以及航天等领域的发展，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）正成为高频、高功率器件的核心。然而，随着功率密度不断提升，自热效应已成为制约器件性能的关键瓶颈。在所有散热材料中 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:19

SK｜8英寸SiC foundry怎么做？: 最近，SK keyfoundry发布新闻称：宣布完成 SiC Planar MOSFET 工艺平台，电压覆盖 450V–2300V；并拿到新客户 1200V SiC MOSFET开发订单，标志其“全规模进入”SiC foundry。同时SK keyfoundry把良率90%和定制化工 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:18

超亿元融资加持！晶镓半导体全速推进氮化镓衬底产业化进程: 近日，山东晶镓半导体有限公司圆满完成Pre-A轮融资，本轮融资获得多家知名产业与投资机构加持，山东省新动能、兴橙资本、源创多盈、历城财金、北京芯启航等知名新晋投资机构重磅加盟，济南市产发科创投、深圳合创、 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:15

天成半导体成功制备出14英寸碳化硅单晶材料: 企业资讯新春伊始，天成半导体以“马力全开”的干劲跑出“加速度”，顺利实现“开门红”。继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30㎜。14英寸碳化硅原生晶锭天成半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:41

宽禁带科技论| 西安交通大学：碳化硅功率器件的封装与集成: 背景介绍碳化硅（SiC）功率器件被誉为电力电子领域的变革性技术。凭借宽禁带（3.26 eV）、高临界击穿场强（2.8 MV/cm）和高饱和电子漂移速度（2×10⁷ cm/s）等材料优势，SiC器件能够在更高电压、更高频率和更 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:39

GaN基极化栅控光电晶体管实现紫外光到蓝光的可视化预警: 广东工业大学张紫辉教授团队：GaN基极化栅控光电晶体管实现紫外光到蓝光的可视化预警紫外线（UV）在杀菌消毒、光通讯、生物传感等领域应用广泛，但其高能量辐射也对人体健康构成严重威胁，可导致DNA损伤、皮肤老化甚 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:35

Bosch 定调 SiC 未来五年：Gen3/4/5 怎么改？什么时候落地？难点在哪: 过去两年，很多人谈碳化硅，还是一句话：被800V 电驱带飞。但如果你最近在项目里真的上过 SiC，就会发现另一个更现实的问题：当器件性能继续往上卷时，限制系统上限的往往不再是“有没有更低的 Rds(on)”，而是能不 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:29

富加镓业外延片助力氧化镓“材料-器件-应用”全产业链深度迭代: 杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）联合上海功成半导体科技有限公司（以下简称“功成半导体”），围绕第四代半导体氧化镓产业化核心技术开展 “材料-器件-应用” 全产业链协同攻关，目前已进入器件验 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:27

APL丨日本NCT：利用同步辐射X射线拓扑成像与发射显微镜表征HVPE生长(⁠-102) β- ...: 由日本NCT的仓又朗人董事长、佐佐木公平技术总监领导的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Structural and electrical characterization of homoepitaxial (⁠-102) β-Ga2O3 layers g ...; 分类: 新闻通知 2026-3-11 09:56

郑州大学：在纳米金刚石中的非晶化诱导塑性变形领域取得又一突破: 单崇新教授团队刚发完Nature，首次合成纯块体六方金刚石。仅仅相隔一天，单崇新教授团队再发Nature子刊，在纳米金刚石中的非晶化诱导塑性变形领域取得又一突破！第一作者：Jiaqi Zhang通讯作者：程少博、陆洋、单崇 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-11 09:52

宽禁带科技论| IEEE：通过金刚石晶圆键合改善氮化物器件散热性能: 论文信息：N. Shigekawa, J. Liang and Y. Ohno, "Wafer Bonding of Diamond for Improving Heat Dissipation of Properties of Nitride Devices," 2025 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ), Kyoto, Japan, 2025, ...; 分类: 新闻通知 2026-3-11 09:49

南科大等团队突破氧化镓功率器件关键技术：实现低压导通与高压击穿的新方案！: 通过引入铜阳极，本研究团队在 β-Ga2O3 功率整流器性能方面取得了重大突破。铜阳极使肖特基二极管在实现卓越性能的同时具备出色的热可靠性该项目团队发言人、南方科技大学汪晓慧博士指出，通过将 Cu2O/Ga2O3 异质结 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-10 09:22

Wolfspeed推出业界首款商业化10kV SiC功率MOSFET: 将为AI数据中心供电等高要求应用提供关键技术支撑。日前，Wolfspeed宣布了业内首款商业化的10 kV SiC功率MOSFET。该产品的推出为高压电力电子系统设计提供了更大的架构自由度，可显著提升系统可靠性和耐久性，并为电 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-10 09:20

关于征求团体标准《碳化硅长晶用多孔石墨材料》（征求意见稿）意见的通知: 各有关单位、各行业专家：由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理，山东红点新材料有限公司等相关单位共同起草的《碳化硅长晶用多孔石墨材料》团体标准已完成征求意见稿，现面向社会各界公开征求意见。有关意 ...; 分类: 公告通知 2026-3-9 17:03

十五五开局！2026政府工作报告：集成电路重点全在这: 2026年全国两会大幕开启，政府工作报告正式发布，为“十五五”开局之年定下发展基调。半导体、芯片、集成电路作为事关产业链安全与新质生产力的关键领域，持续受到关注和支持。《中共中央关于制定国民经济和社会发展 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-9 10:35

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