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吉林大学团队发表金刚石 n 型掺杂最新成果: 磷(P)掺杂是金刚石中最可靠的n型掺杂剂，但P掺杂剂溶解度低限制了它的应用。为了解决这一缺点，采用第一性原理计算系统地研究了P掺杂在原始、氢化和氧化金刚石(100)、(110)、(111)和(113)表面的形成能。结果表明，金 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-23 09:47

浙江大学联合浙大科创中心杨德仁院士的研究团队：铸造法 β-Ga₂O₃ (100) ...: 由浙江大学联合浙大科创中心杨德仁院士的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为 Electronic properties of defects on the (100) castingβ-Ga2O3: Phenomena and mechanisms（铸造法β-Ga2O3 (1 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-23 09:41

市场开始对碳化硅“刮目相看”: 碳化硅突然就又火了。几个月前刚刚申请破产的Wolfspeed，在重组计划被美国法院批准之后，于9月11日宣布200mm碳化硅材料产品正式开启商用。此前该产品仅向少数客户试供，如今面向市场全面放开。公司还同步推出可立即 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-23 09:37

2025企创融通汇“芯机遇促发展解锁应用新市场”主题供需对接会成功举办: 9月19日，由中国科协企业创新服务中心主办，中关村产业技术联盟联合会、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟承办，北京天科合达半导体股份有限公司协办的2025企创融通汇"芯机遇促发展解锁应用新市场"主题供需对 ...; 分类: 联盟动态 2025-9-23 09:36

Rohm的双沟槽SiC MOSFET短路机理分析: 基于1200V SiC MOSFET双沟槽结构，研究分析器件的短路性能，并对器件的结构和性能进行分析。对器件在不同直流母线电压和栅极驱动电压下的最大短路耐受时间和短路能量，通过仿真和失效分析解释了双沟槽SiC MOS的失效 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 17:04

瞻芯电子C轮融资获超10亿元投资: 近日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案商——上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）宣布完成全部C轮融资，融资总金额超过10亿元人民币，近日完成工商变更手续。继年初C轮首批资金交割后，多家 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:45

【成员风采】再传捷报！先为科技首台常压型GaN MOCVD设备正式发货: 2025年9月17日，无锡先为科技有限公司自主研发的EliteMO系列常压型GaN MOCVD设备正式发货，交付国内某头部化合物半导体晶圆厂。这是继今年6月BrillMO系列GaN MOCVD设备成功交付后，先为科技在化合物半导体外延设备领 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:43

全球首个氮化镓量子光源芯片获工信部点名: 9月9日，国务院新闻办公室在北京举行“高质量完成‘十四五’规划”系列主题新闻发布会，工业和信息化部部长李乐成、工业和信息化部副部长辛国斌、工业和信息化部副部长张云明介绍“十四五”时期大力推进新型工业化， ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:40

西安电子科技大学张进成教授最新Nature Communications！: 作为宽禁带半导体，氧化镓（Ga2O3）因其丰富的材料特性而受到广泛研究关注，使其成为下一代大功率电子器件和紫外光电应用的理想候选材料。β相氧化镓的击穿电场强度达到硅的27倍、氮化镓的2.4倍，展现出对超高压MOSF ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:38

韩国半导体突围：押注AI与碳化硅，挑战全球市场格局: 每每提到韩国芯片，大家首先想到的就是他们在包括DRAM和NAND在内的存储产品方面的号召力。诚然，凭借SK海力士和三星在过去多年的投入，他们在这两个赛道已经积累了足够多的优势。特别是进入了人工智能时代，他们凭借 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:35

GaN新突破：单晶衬底进入8英寸时代: 近日，国内氮化镓领域迎来重大技术突破。东莞市中镓半导体科技有限公司成功攻克6英寸及8英寸氮化镓单晶衬底的制备技术。这一成果，是依托于中镓半导体自主研发的超大型氢化物气相外延设备（HVPE）实现的。中镓半导体 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:34

Call For Paper| APCSCRM 2025 is Now Open!: The 6th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) will be held grandly from November 25 to 27, 2025, at the Zhongyuan International Exhibition Center in Zhengzhou ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:20

【论文摘要征集】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）将于2025年11月25日至27日在中国·郑州中原国际会展中心隆重举行。全球半导体产业正加速向宽禁带与超宽禁带材料升级，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化镓（Ga ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:07

DB HiTek（东部高科）切入 650V GaN 工艺：从 BCD 到宽禁带的战略跃迁: 在功率半导体的版图上，韩国 DB HiTek 一直以 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺闻名，如今它正把触角进一步伸向宽禁带领域。9 月 11 日，这家 8 英寸特色代工厂宣布，其650V 增强型（E-Mode）GaN HEMT 工艺已进入最终开 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:03

比亚迪发布e-Bus平台3.0，碳化硅助力电动客车 “电比油强”: 9月15日，“比亚迪e-Bus平台3.0发布暨全新客车上市” 发布会在杭州举行，比亚迪正式发布了纯电客车专用的e-Bus平台3.0，并同步推出基于该平台打造的全新电动客C11。图片来源：比亚迪商用车据了解，该平台构建了全球 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-21 16:02

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