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小米SiC新车型亮相，有望搭载多家国产碳化硅？: 5月22日晚，小米举行战略新品发布会，并发布多款新品。会上，小米集团董事长雷军携小米首款SUV车型 YU7 正式亮相，该车型全系采用800V碳化硅高压平台，将于今年7月正式上市。会上，雷军还透露了小米su7的交付情况， ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:12

深圳平湖实验室刘妍博士在Journal of Applied Physics发表科研成果: 深圳平湖实验室第四代材料器件课题组的刘妍博士近期在《Journal of Applied Physics》上发表题为“The impact of many-body effects on the properties of β-(AlGa)2O3/Ga2O3 quantum cascade structure”的文章。 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-27 09:08

北大-中启芯金刚石芯片联合实验室成立: 5月20日，内蒙古中启芯材料有限公司开机庆典暨北大-中启芯金刚石芯片联合实验室挂牌仪式在金山国家高新区新能源产业园区举行。据了解，此次中启芯与北京大学合作将围绕金刚石半导体材料与器件集成、金刚石先进功率电 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:39

深圳平湖实验室自主设计超宽禁带半导体材料和器件综合表征系统: 【成员风采】集智攀登，聚力创芯——深圳平湖实验室自主设计超宽禁带半导体材料和器件综合表征系统填补领域空白深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）的实体运营单位，其第四代半导体材料与器件课 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:36

住友化学开发出可适用于大规模量产 GaN-on-GaN 器件的 QF-HVPE 系统: 住友化学（Sumitomo Chemical）开发出一种可大规模生产的无石英氢化物气相外延（QF-HVPE）系统，能够制造出据称在室温和低温下均创下迁移率纪录的氮化镓（GaN）材料。该材料已在 4 英寸独立式氮化镓衬底和 6 英寸蓝 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:28

宽禁带科技论|北京大学团队成功研制无阈值电压负漂650V/10A增强型GaN器件: 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管（HEMT）凭借低导通损耗、高开关频率等优势，已成为下一代功率开关应用的有力竞争者。目前肖特基型p-GaN栅HEMT已经实现商业化应用，在消费类电子中获得广泛应用。然而，目前主流的肖特 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-26 09:26

国产机器人再次采用氮化镓！有何突破？: “GaN的临界点已来！”此前，EPC公司CEO及创始人Alex Lidow在公开文章中直言，并进一步表示，GaN的应用临界点之一的“人形机器人”具有重要意义。近日，一国产人形机器人关节模组成功采用GaN，不仅为国产机器人核心 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:50

英飞凌宣布两项合作，助力电能突破: 近期，媒体报道#英飞凌两项电源领域合作。5月20日，英飞凌公司表示，将与#英伟达合作开发下一代电源系统，以革新未来人工智能数据中心所需的电力传输架构。英飞凌表示，该全新系统架构能显著提升数据中心内电能分 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:48

吉林大学团队在新型金刚石合成领域取得突破性进展！: 四配位（sp3杂化）是碳在高压下的热力学稳定构型。然而，在非常大压力范围内面心立方是热力学最稳定的金刚石结构。因此，如何合成非立方相的新型金刚石材料面临理论和技术上的挑战。近日，吉林大学物理学院、综合极 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:47

聚焦SiC光波导降本！6家衬底企业指出破局路径: 自2024年Meta宣布其AR眼镜采用碳化硅光波导镜片以来，这一动向迅速成为行业焦点，一场由材料革新驱动的AR眼镜升级潮已然爆发。值得关注的是，XREAL、雷鸟创新、慕德微纳、广纳四维等AR眼镜及硬件厂商已在加速碳化硅 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:45

宽带隙半导体，不可或缺: 来源：内容编译自electropages。西方国家正在加大国防开支，投资在智能军事技术上。其中，排名靠前的包括更强大的新型雷达、抗干扰高频通信系统、射程更远、精度更高的导弹以及电子对抗系统。所有这些加起来，就是 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:37

一文看懂芯片的封装工艺（先进封装篇2：晶圆级封装）: 今天继续讲先进封装。█晶圆级封装我们看下一个先进封装的关键概念——晶圆级封装（Wafer Level Package，WLP）。传统封装，是先切割晶圆，再封装。而晶圆级封装的核心逻辑，是在晶圆上直接进行封装，然后再切割，变 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 13:35

英伟达携手纳微升级电源架构，氮化镓和碳化硅发挥核心作用: 当地时间5月21日，纳微半导体宣布与英伟达达成战略合作，共同开发基于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术的800V高压直流（HVDC）电源架构，该技术将率先应用于英伟达下一代AI数据中心及Rubin Ultra计算平台。图片来源 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 09:48

2025年Q1乘用车功率模块装机量：全球SiC产业正进入“8英寸时代”，技术领先性仍是关键 ...: 据NE时代数据统计，2025年第一季度中国乘用车功率模块装机量达到348万套，同比增长29.72%。■ 比亚迪半导体增速相对平缓，主要依赖集团内部订单，外部拓展压力大。中车时代半导体8英寸SiC晶圆产线封顶，预计年内量产 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-23 09:34

【国际论文】KAUST研制出硅衬底上常关型 Ga₂O₃ 功率晶体管: 由阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为 High breakdown voltage normally off Ga2O3 transistors on silicon substrates using GaN buffer（硅衬底上使用氮化 ...; 分类: 新闻通知 2025-5-21 10:03

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