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武大、西电联合攻关在跨材料、跨功能的宽禁带半导体异构集成领域取得突破性进展: 近日，由武大与西电开展联合攻关，在高质量氮化物异构集成领域取得突破性进展，相关成果2025年7月6日以“Van der Waals integration of 4-inch single-crystalline III-nitride semiconductors为题在线发表于国际顶 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-10 09:42

双擎驱动！纳设智能全自动双腔8英寸碳化硅外延设备交付！: 2025年盛夏，纳设智能迎来关键进展——自主研发的全自动双腔8英寸碳化硅外延设备及多台8英寸单腔设备交付龙头客户！这一里程碑标志着公司在第三代半导体装备领域的产品实力迈入新阶段，为全球碳化硅产业链的降本增效 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-10 09:40

【酒店交通指南】2025宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: · 会议背景·为推动宽禁带半导体产业的可持续发展，突破产业发展的瓶颈，探寻新的发展机遇，宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-10 09:37

碳化硅｜功率半导体如何变得更好？: 当然，最新一代的技术是最好的！但为什么最好？作者：意法半导体Gianfranco Di Marco和Michele Macauda总是想要更多碳化硅的优势与汽车电气化的目标非常契合，可以提高能源效率，缓解牵引逆变器、车载充电器、DC/DC ...; 分类: 新闻通知 2025-7-9 11:07

深圳平湖实验室在SiC激光剥离技术性能指标达到国际先进水平: 【成员风采】深圳平湖实验室在SiC激光剥离技术领域取得新进展，性能指标达到国际先进水平深圳平湖实验室使用国产的全自动化激光剥离系统，对激光剥离的机理进行深入研究、系统优化激光剥离工艺参数，2025年6月实现Si ...; 分类: 新闻通知 2025-7-9 11:05

超薄片单晶金刚石加工技术新突破：极限切割下的璀璨未来: 西湖仪器于近期攻克了超薄片单晶金刚石剥离技术，成功剥离出厚度100μm的单晶金刚石超薄片。该技术在单晶金刚石加工领域带来了颠覆性的创新突破，不仅极大地降低生产成本，更将大幅提升加工效率，为超薄片单晶金刚石 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-9 11:03

会议议程公布！2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 会议背景·为推动宽禁带半导体产业的可持续发展，突破产业发展的瓶颈，探寻新的发展机遇，宽禁带半导体技术创新联盟计划于7月15日-17日在安徽省芜湖市举办“2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-9 11:01

一周晶体前沿（一百九十二）——宽禁带半导体氧化镓晶体: 面向科技前沿，聚焦人工晶体，汇集研究新进展！一周晶体前沿，一周一期介绍国际权威期刊近期刊发的晶体类精选论文。为方便广大读者浏览，我们已将其摘要译成中文。本期推出由厦门大学张洪良教授精心整理的关于宽禁带 ...; 分类: 公告通知 2025-7-8 10:07

四部门：加快高压碳化硅模块、主控芯片等核心器件国产化替代!: 近日，国家发展改革委办公厅联合多部门发布《关于促进大功率充电设施科学规划建设的通知》。明确提出，到2027年底，力争全国范围内大功率充电设施超过10万台，服务品质和技术应用实现迭代升级。引导大功率充电设施有 ...; 分类: 公告通知 2025-7-8 10:02

2025宽禁带半导体硬科技路演报名开启，2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论 ...: 2025.7.15活动背景随着“十四五”规划进入攻坚期，宽禁带半导体与智能传感器作为新一代信息技术的核心基石，正加速推动能源电力、新能源汽车、工业互联网等领域的颠覆性变革。然而，当前产业仍面临关键技术“卡脖子 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-8 09:57

解密：碳化硅长期工作在 175℃结温，会不会有问题？: 关于碳化硅器件长期工作在175°C结温下是否有问题，需要从材料特性、器件设计、可靠性机制和实际应用等多个层面进行深度解析：一、核心结论：技术上可行，但存在挑战。碳化硅本身具有在175°C甚至更高温度下工作的材 ...; 分类: 公告通知 2025-7-7 10:27

【闭门深谈】碳化硅如何赋能AI+AR新视界？2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高 ...: 会议背景·随着AI大模型技术的爆发式发展，消费电子的下一个浪潮，正以前所未有的势头指向被誉为“元宇宙入口”的AR眼镜。AR眼镜（增强现实眼镜）是一种将虚拟信息叠加到现实世界中的智能穿戴设备，核心在于虚拟信息 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-7 10:13

米格实验室A1轮融资，携手京津冀国家技术创新中心促进成果转化: 米格实验室宣布完成A1轮融资。作为国内领先的新材料与半导体科研检测平台，我司本轮融资由北京市新材料产业投资基金（有限合伙）和京津冀国家技术创新中心旗下北京京津冀技术创新中心有限公司联合投资，标志着米格实 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-4 10:07

GaN HEMT工艺流程：从衬底到器件的精妙工艺之旅！: 在现代电子领域，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）以其卓越的性能，正引领着下一代功率器件的发展方向。GaNHEMT的“诞生”是一个复杂而精密的制造过程，每一步都凝聚着半导体工艺的智慧。今天，就让我们深入 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-4 10:00

英飞凌：今年将提供12英寸GaN: 7月2日，英飞凌在官网宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓制造技术进展顺利，首批样品将于2025 年第四季度向客户提供。据了解，英飞凌已能在现有大批量制造基础设施内成功开发12英寸氮化镓功率晶圆技术。英飞凌表 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-4 09:53

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