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宽禁带科技论|4英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆成功制备!
宽禁带科技论|4英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆成功制备!
CuNi(111)/蓝宝石衬底表面超平整单晶氮化硼的制备示意图(图片来源:深圳理工大学)对于半导体场效应晶体管(MOSFETs)等电子器件而言,高质量的沟道-栅介质界面首先有助于减少电子和空穴捕获效应,从而提高器件的开 ...
分类:    2024-9-2 09:09
SiC的物理特性
SiC的物理特性
与Si材料相比,SiC半导体材料在物理特性上优势明显,比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等,使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料,具有许 ...
分类:    2024-8-22 09:23
AlYN/GaN?新型半导体材料AlYN 有望实现更节能、更高频的电子产品
AlYN/GaN?新型半导体材料AlYN 有望实现更节能、更高频的电子产品
近日,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所 (IAF)的研究团队成功在4 英寸 SiC 基板上采用低成本的MOCVD 工艺(金属有机化学气相沉积)外延生长出了 AlYN/GaN异质结构。据研究人员称,这为开发新的、更多样化的电子产品应用提 ...
分类:    2024-8-22 09:22
举办2024第五届“科创中国”科技创新创效大赛半决赛路演的通知
举办2024第五届“科创中国”科技创新创效大赛半决赛路演的通知
各相关单位:由中国科协企业创新服务中心,中关村产业技术联盟联合会主办;北京市科委、中关村管委会,北京市科协,北京市欧美同学会(北京市留学人员联谊会),中关村科学城管委会支持的2024第五届“科创中国”科技 ...
分类:    2024-8-22 09:18
成员风采|士兰微 自有SiC Mos已批量应用于主驱,产能达9000片/月
成员风采|士兰微 自有SiC Mos已批量应用于主驱,产能达9000片/月
8月19日晚,功率半导体IDM龙头士兰微(600460)发布半年度业绩报告,2024年上半年营业收入约52.74亿元,同比增加17.83%,创出历史同期新高。公司营业利润为 14,743 万元,比 2023 年同期增加亏损 8,755 万元;公司利润 ...
分类:    2024-8-22 09:14
时代电气——始于轨交、兴于功率半导体
时代电气——始于轨交、兴于功率半导体
在“双碳”背景下,国内新能源车、发电产业“风-光-储-氢”市场多点耦合爆发,市场前景巨大,蕴含无限商机。伴随着新能源行业的快速发展,功率半导体近几年也在实现快速的国产替代,今天我们来分析一家老牌国企—— ...
分类:    2024-8-21 09:15
康乃尔大学基于AlN单晶衬底实现高漏极电流密度及击穿电场强度AlN/GaN/AlN HEMT器件
康乃尔大学基于AlN单晶衬底实现高漏极电流密度及击穿电场强度AlN/GaN/AlN HEMT器件
译自原文:AlN/GaN/AlN HEMTs on Bulk AlN Substrates with High Drain Current Density 2.8 A/mm and Average Breakdown Field 2 MV/cm原文作者:Eungkyun Kim , Yu-Hsin Chen , Jimy Encomendero , Debdeep Jena ...
分类:    2024-8-21 09:10
8英寸SiC 外延炉及同质外延工艺研究
8英寸SiC 外延炉及同质外延工艺研究
摘要目前SiC 产业正由 150 mm(6 英寸)向 200 mm(8 英寸)转型,为满足行业对大尺寸、高质量 SiC 同质外延片的迫切需求, 采用自主研制的 200 mmSiC 外延生长设备在国产衬底上成功制备出 150 mm、200 mm 4H-SiC 同质外 ...
分类:    2024-8-21 09:08
纬湃携手英飞凌,可否加速氮化镓上车?
纬湃携手英飞凌,可否加速氮化镓上车?
最近,纬湃科技和英飞凌在氮化镓领域传来最新进展。纬湃科技将采用英飞凌CoolGaN™晶体管来打造功率密度更高的12V DCDC转换器。据悉,本次纬湃科技基于氮化镓设计的DCDC为其Gen5系列,采用隔离式半桥拓扑结构, ...
分类:    2024-8-20 09:25
SiC纳米材料
SiC纳米材料
碳化硅纳米材料碳化硅纳米材料(SiC nanomaterials)是指由碳化硅(SiC)构成的,在三维空间中至少有一维的尺寸处于纳米级别(通常定义为1-100nm)的材料。碳化硅纳米材料可根据结构被分类为零维、一维、二维和三维 ...
分类:    2024-8-20 09:19
SiC超结的一种卓越工艺
SiC超结的一种卓越工艺
多轮超高能注入和外延生长能够让SiC超结器件阻断数千伏电压作者:Reza Ghandi,GE Research减少全球碳足迹,必须大力改善电力基础设施。除了需要增加可再生能源发电比例相关的优先事项以外,还需要提高从发电地到使 ...
分类:    2024-8-20 09:16
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
作者✦Michele Aparo, Power Transistors sub Group, Application lab, STMicroelectronics, Catania, Italy michele.aparo01@st.com✦Vittorio Giuffrida, Power Transistors sub Group , Application ...
分类:    2024-8-19 09:05
侃技术|宽禁带电力电子的嵌入式 PCB 封装【1】
侃技术|宽禁带电力电子的嵌入式 PCB 封装【1】
嵌入式PCB封装介绍嵌入式 PCB 封装包括将器件整合到 PCB 的多层结构中。更小的外形尺寸、允许堆叠无源和有源元件的 3D 封装、更少的寄生效应和更好的热管理等优势推动了这一发展。将元件嵌入基板组件中的基本概念并 ...
分类:    2024-8-19 09:00
Call For Paper!APCSCRM 2024
Call For Paper!APCSCRM 2024
To promote industrial technology exchange and application development, and build an open, innovative, and cooperative international cooperation environment,the 5th Asia-Pacific Conference on Silicon C ...
分类:    2024-8-16 09:56
口头报告、优秀海报奖在向你招手~APCSCRM 2024
口头报告、优秀海报奖在向你招手~APCSCRM 2024
为探讨亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业的新趋势与新机遇,促进产业技术交流与应用发展,构建开放创新、合作发展的国际合作环境,第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2024)将于2024年11月6日至8日在中国 ...
分类:    2024-8-16 09:50

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