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年产4万片，这座氮化镓外延厂开始出货！: 8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进网络高功率射频应用。资料显示，SweGaN新工厂位于瑞典林雪平，于2023年3月动工建设，可年产4万 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:50

斯达半导——国产IGBT龙头，持续助力新能源发展: 近日，国家印发了《关于加快经济社会发展全面绿色转型的意见》，意见提出到2030年，节能环保产业规模达到15万亿元左右。其中提到要求加快西北风电光伏、西南水电、海上风电、沿海核电等清洁能源基地建设，积极发展分 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:49

技术漫谈|银烧结之银膜转印材料、工艺与设备: 银烧结之银膜转印材料、工艺与设备1当前银烧结的主流形式都有哪几种？银烧结是大功率器件最合适的界面互连技术之一，具有低温烧结互连高温服役的优点。银烧结材料主要以银膏和银膜的形式存在，其中银膏是最先发展起 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:46

80亿！天域半导体碳化硅外延项目即将试产: 8月13日，据东莞发布官微消息，广东天域半导体总部和生产制造中心项目即将试产。资料显示，该项目总投资80亿，位于松山湖生态园，总占地面积约114.65亩、建筑面积约24万平方米，建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-15 13:40

【首发阵容】报告嘉宾、赞助单位...先睹为快！第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（A ...: 关于会议About APCSCRM 2024亚太碳化硅及相关材料国际会议是亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平国际会议，会议围绕碳化硅等宽禁带半导体材料前沿技术研究、产业链合作发展，为参会企业和观众提供集产品展示 ...; 分类: 公告通知 2024-8-15 13:31

助力碳化硅/氮化镓，江苏南通出台新政策: 8月7日，南通市人民政府印发《关于加快培育发展未来产业的实施意见》（以下简称《实施意见》），提出布局六大未来产业，聚焦7个科创细分赛道，全力打造长三角未来产业创新高地。《实施意见》明确，重点布局未来空天 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-14 09:31

Ga₂O₃：改进栅极电介质: 经退火的HfSiOx薄膜具有为β-Ga2O3器件形成高质量电介质的关键属性β-Ga2O3肖特基势垒二极管和各种形式的FET需要高质量电介质才能充分发挥潜力。美国一工程师团队称可以满足这一需求。这些研究人员开发出一种形成HfS ...; 分类: 新闻通知 2024-8-14 09:25

汽车DC/DC正式采用GaN！供应商是谁？: 近期，氮化镓在终端应用市场持续发力，纬湃科技、FLYING WHALES等企业相继将氮化镓导入汽车DC/DC 转换器、商用飞机逆变器、光伏逆变器等用途，推动降本增效：英飞凌纬湃科技：DC/DC 转换器采用氮化镓8月9日，据英飞 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-14 09:24

【成员风采】江苏晶工申请扩建30亩碳化硅相关设备生产基地: 8月11日，据南通日报消息，落户于江苏省南通市启东市启东经济开发区的江苏晶工半导体设备有限公司（以下简称：江苏晶工）正式向园区提交了建设30亩生产基地的申请。据报道，江苏晶工计划通过扩大生产规模，进一步提 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-14 09:19

浅谈磁流变抛光受制于人的关键技术：抛光液的配制: 随着市场上对成像质量以及器件小型化要求的不断提高，高精度的光学非球面镜逐渐在光学仪器、空间激光通信、航空航天等领域中得到重要应用。作为新一代光学加工技术，磁流变抛光技术具有去除函数稳定、材料去除效率高 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-13 09:49

带你看懂SiC MOSFET SOA曲线: SOA的全称是Safe Operating Area，中文名是安全工作区，指功率器件可以正常工作不被损坏的电流-电压区间。当下商用功率SiC MOSFET的数据手册中都会提供SOA曲线，方便工程师进行设计。本文将带你详细了解SOA曲线。01 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-13 09:45

GaN应用市场扩展还需克服哪些挑战？: （本文编译自Semiconductor Engineering）氮化镓开始在低端高压宽带隙功率场效应晶体管(FET)市场中取得更大进展，而原来碳化硅一直是该领域的首选技术。这种转变是由GaN更低的成本和与体硅更兼容的工艺推动的。效率 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-13 09:33

基于SiC的新一代中高压大容量变频装备技术: 来源：电力电子与储能技术*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-8-13 09:31

技术向 | 浅谈SiC功率器件短路测试方法和原理: 1.概述SiC功率器件凭借其耐高压、耐高温、开关速度快等特点，在众多电力电子产品应用中展现出独特的优势。然而在实际应用中，出现短路问题是不可避免的。由于SiC器件面积小、短路电流高、漂移层薄等特点，其短路耐受 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-12 09:33

技术漫谈 | SiC 模块封装互连用银烧结/铜烧结常见问题: 01SiC模块中哪些地方需要用到纳米银/纳米铜烧结技术？对于一个碳化硅模块来说，或者对一个功率器件来说，我们知道，芯片的正面和芯片的背面，首先是涉及到互连的，银烧结或者铜烧结最早是应用在芯片的背面，跟AMB基 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-12 09:27

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