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储能采用GaN,出货超120万台
储能采用GaN,出货超120万台
近期,氮化镓在储能、充电桩等领域的应用热度持续攀升,“行家说三代半”发现,铂科电子、得力工具、科乐新能源以及英诺赛科等企业纷纷发力,接连推出基于氮化镓技术的创新产品。铂科:双向储能采用GaN,累计出货120 ...
分类:    2025-6-23 09:56
南邮郭宇锋团队 ISPSD发布超结功率器件物理信息网络智能设计方案
南邮郭宇锋团队 ISPSD发布超结功率器件物理信息网络智能设计方案
半导体产业网获悉:近日,南京邮电大学郭宇锋教授团队在第37届国际功率半导体器件与集成电路会议(37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD 2025)发表创新研究成果“Intellige ...
分类:    2025-6-23 09:46
【邀请函】丞达精机邀您参会2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
【邀请函】丞达精机邀您参会2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友:宁波丞达精机股份有限公司诚挚地邀请您参加7月15日-17日在中国芜湖·芜湖新华联丽景酒店举办的2025宽禁带半导体先进技术创新与应用发展暨智能传感器产业发展高峰论坛。在会议期 ...
分类:    2025-6-23 09:44
晶体缺陷多、成本高?这场报告揭秘GaN/AlN生长技术突破关键方案
晶体缺陷多、成本高?这场报告揭秘GaN/AlN生长技术突破关键方案
以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为代表的III族氮化物半导体,凭借其超宽禁带宽度(GaN~3.4 eV,AlN~6.2 eV)、超高击穿场强、优异的导热性与化学稳定性,已成为支撑新一代光电子器件、射频微波器件和功率电子器件发 ...
分类:    2025-6-23 09:23
SiC外延技术新突破,几乎零缺陷!
SiC外延技术新突破,几乎零缺陷!
前段时间,理想汽车的论文提到碳化硅外延缺陷会导致SiC MOSFET失效,可见降低外延片缺陷是非常重要的。521日,新加坡A-STAR微电子研究所和法国SOITEC发表了一篇文章,题为《SiC外延片迈向无缺陷》。该团队表示,目前 ...
分类:    2025-6-19 09:40
南京大学团队在ISPSD上发布两项氮化镓功率器件辐照效应研究成果
南京大学团队在ISPSD上发布两项氮化镓功率器件辐照效应研究成果
南京大学团队在国际功率半导体会议ISPSD上发布两项宇航用氮化镓功率器件辐照效应研究成果近期在日本熊本市举办的第37届国际功率半导体器件和集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices ...
分类:    2025-6-19 09:29
卷不动的新能源汽车,要不要试试新方案?来听听的专家怎么说
卷不动的新能源汽车,要不要试试新方案?来听听的专家怎么说
在上周结束的TMC2025这场备受瞩目的高层互动论坛上,一场围绕“混动模块、嵌入式技术与逆变砖,谁才是未来三年降本增效首选技术”的讨论,汇集了来自产业链各环节的顶尖专家。此次讨论由Yole分析师 杨宇博士主持,旨 ...
分类:    2025-6-18 10:00
金刚石:何以铸就下一代辐射探测利器?
金刚石:何以铸就下一代辐射探测利器?
金刚石拥有超宽的禁带宽度(~5.5 eV),这赋予了它极低的本征载流子浓度和暗电流,使其能在室温甚至高温下高效工作,避免了传统半导体探测器(如硅、锗)对低温冷却的苛刻依赖。此外,金刚石还具有极高的载流子迁移 ...
分类:    2025-6-18 09:34
芯聚能 x 芯粤能|实现主驱碳化硅芯片-模块全链条自主量产上车
芯聚能 x 芯粤能|实现主驱碳化硅芯片-模块全链条自主量产上车
近日,芯聚能半导体在官微发表文章称:芯聚能半导体完成碳化硅(SiC)功率半导体领域关键一跃。其自主设计的车规级SiC芯片正式规模化导入主驱模块产线,标志着国内首次实现 “芯片设计-模块制造-整车验证”全链条自 ...
分类:    2025-6-17 09:25
面向“十五五”的半导体装备的挑战与机遇
面向“十五五”的半导体装备的挑战与机遇
原文刊载于《中国科学院院刊》2025年第5期专刊“建设世界科技强国”——专题"高端制造的现状与未来思考”叶甜春1*朱煜2张国铭3杜晓黎4雷震霖5苑朋朋11 中国科学院微电子研究所2 清华大学3 集成电路装备创新联盟4 ...
分类:    2025-6-17 09:22
SiC如何让新能源汽车“电力十足”?
SiC如何让新能源汽车“电力十足”?
在全球能源结构转型与碳中和目标的推动下,新能源汽车产业正迎来爆发式增长。据行业预测,到2030年,全球新能源汽车销量占比将超过50%,这一趋势对电驱动系统的性能提出了前所未有的高要求。碳化硅(SiC)凭借其耐高 ...
分类:    2025-6-17 09:18
GaN HEMT: 未来智能驾驶的“超能之眼”,让激光雷达看得更远、更准!
GaN HEMT: 未来智能驾驶的“超能之眼”,让激光雷达看得更远、更准!
当你在高速公路上轻松享受智能巡航,或者在复杂路况下被自动泊车系统精准引导时,你的爱车是如何做到“眼观六路、耳听八方”?除了无处不在的摄像头和,还有一位“深藏不露”的关键角色——激光雷达(LiDAR)。它就 ...
分类:    2025-6-16 09:52
GaN驱动电源革新,多款氮化镓电源产品发布
GaN驱动电源革新,多款氮化镓电源产品发布
在科技飞速发展的当下,#氮化镓(GaN)技术正以其卓越的性能,为电源领域带来一场深刻变革。近期,#MPS芯源系统 和#小米生态链企业酷态科,分别推出集成氮化镓技术的新产品,引发行业广泛关注。1 MPS发布集成氮化镓 ...
分类:    2025-6-16 09:50
新成果!深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
新成果!深圳大学在宽禁带半导体功率器件领域取得突破性进展
在刚刚结束的第37届功率半导体器件与集成电路国际会议(IEEE ISPSD 2025,全称为:IEEE 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)上,深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室、材料 ...
分类:    2025-6-16 09:49
清华大学在碳化硅领域最新研究成果公布
清华大学在碳化硅领域最新研究成果公布
“清华电机”消息,近日,第37届功率半导体器件和集成电路国际会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ISPSD)举办,电机系先进电能变换与电气化交通系统团队的研究论文“The Latest ...
分类:    2025-6-16 09:40

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