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北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器 ...: 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在日本熊本市举行。北京大学集成电路学院两篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:41

精准测量新利器！Map 2530：大尺寸兼容，微电阻缺陷无处遁形！: 在半导体、光伏、先进材料研发与生产领域，对导电材料电阻率及微小缺陷的精准、高效测量，是确保产品质量和性能的关键环节。传统测量设备常面临两大挑战：难以兼顾超大尺寸样品的兼容性与微小电阻缺陷的高精度定位。 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:24

技术向 | 浅谈SiC MOSFET栅极串扰抑制: 化硅（SiC）材料凭借其宽禁带、高饱和电子漂移速度以及高热导率等卓越的物理特性，使得SiC功率开关器件在性能上显著超越传统的硅（Si）基器件。具体优势体现在：更高的阻断电压能力，更快的开关速度，更低的工作损耗 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-4 10:36

世界GaN日｜GaN可能从哪些细分应用市场挑战SiC: 世界氮化镓日定为每年7月31日，源于氮化镓（GaN）的两种组成元素在元素周期表中的排序：氮（N）为第7号元素，镓（Ga）为第31号元素。这一日期由第三代半导体行业公认，旨在彰显氮化镓作为战略材料的科技地位，表达 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-4 10:34

刘胜院士：AI芯片必须同时满足“算得快”与“传得快”: 刘胜中国科学院院士，武汉大学集成电路学院院长、工业科学研究院执行院长、高端芯片产业创新发展联盟理事长长期致力于芯片封装及可靠性研究，推动我国封装技术实现从“跟跑”到“并跑”的跨越式发展。2024年，带领武 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-4 10:32

【产业新闻】“氧化镓”材料崛起，地方创新与产业实践同频共振: 青岛“10+1”产业体系加速推进氧化镓等前沿半导体材料发展提速在科技创新空前密集活跃的当下，青岛正坚持以科技创新为引领，加快推进“10+1”创新型产业体系建设。聚焦优先发展2个先导产业、突破发展5个新兴产业、 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-1 14:52

追投500亿元，英飞凌拟建全球最大200mm SiC功率半导体工厂: 7月28日，德国半导体巨头英飞凌科技（Infineon）宣布，将在马来西亚额外投资300亿令吉（约508亿RMB），在吉打居林高科技工业园兴建全球最大200毫米碳化硅功率半导体工厂。这一举动进一步巩固大马作为全球半导体制造 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-1 14:50

三代半电力领域“大显身手”，安森美x英伟达、浩思动力加速布局: 在全球能源转型与科技升级的浪潮下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体技术凭借高功率密度、低能耗、小体积等卓越特性，正成为驱动各行业能效提升与技术革新的核心引擎，在AI数据中心供电、新能源汽车电力电子系 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-1 14:49

宽禁带科技论|西安电子科技大学郝跃院士、马晓华教授、郑雪峰教授团队：基于热电冷却 ...: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Electron Devices 发布了一篇名为 Active Thermal Management for β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Based on Thermoelectric Coolers（基于热电冷却 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-1 14:43

山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式圆满举行: 7月30日，中电科半导体材料有限公司所属山西烁科晶体有限公司年产100万毫米碳化硅单晶项目启动仪式在山西省太原市举行。年产100万毫米碳化硅单晶项目是中国电子科技集团有限公司与山西省人民政府战略共建的央地合作 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:37

广东省科学院半导体研究所——高层次人才＆青年骨干火热招募中: 02 需求专业方向材料学、材料物理与化学、凝聚态物理、微电子学光电子技术、光学工程、数学与应用数学、计算机图形学集成电路工程、机械工程、仪器科学、微波工程半导体镀膜、微波无源器件、毫米波天线、相控阵列天 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:25

【成员招聘】山东力冠-半导体装备期待你的加入！: 山东力冠微电子装备有限公司成立于2013年，同年6月正式成为中国电子专用设备工业协会会员；作为一家国家高新技术企业，公司常年与国内知名半导体企业、科研院校等保持密切合作，公司产品涵盖第一代至第四代半导体材 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:24

英诺赛科：与联合汽车电子达成GaN合作: 7月30日，英诺赛科在官微透露，他们已与联合汽车电子成立联合实验室，将利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方还在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:23

迈向氧化镓电力电子：开启超宽禁带新篇章: 引言当前，以硅（Si）为基的电力电子器件已广泛应用于各类电力转换场景。然而，随着全球电气化进程的加速以及对更高效率、更高功率密度电力系统的迫切需求，硅基器件在电压处理能力、开关速度和系统效率方面的局限性 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:22

铁电材料助力突破GaN晶体管性能瓶颈: 加州大学伯克利团队与斯坦福大学团队合作，研发出厚1.8纳米的HZO（铪氧化物/锆氧化物）铁电层，利用负电容效应突破GaN高电子迁移晶体管的肖特基极限，提升开态电流同时抑制关态泄漏。该技术创新解决了绝缘层厚度与门 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:18

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