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芯时代·芯机遇 | 第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议邀您参会！: 近几年，宽禁带半导体材料（SiC，GaN，Ga2O3，AlN，金刚石等）以其独特的物理和化学性能成为制造耐高温、耐高压、高频高功率、低损耗半导体器件的首选材料。从消费电子到工业电子，从新能源汽车到轨道交通，从光伏、 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-31 09:38

徐军专访 | 氧化镓与蓝宝石产业发展具有相似性: 氧化镓作为超宽禁带半导体材料，其高耐压高功率的潜力使其有望在未来的功率器件市场大放异彩。正因如此，各国对于这一新材料的研究都在如火如荼地进行中。如今，在氧化镓研究上，我国已经实现了从无到有的巨大进步。 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-31 09:27

芯合半导体：碳化硅MOSFET/SBD系列产品重磅发布: 7月25日，芯合半导体有限公司在北京国家信息技术应用创新展示中心举办了产品发布会，对外宣告了重要里程碑：正式发布自主研发生产的多款碳化硅功率芯片产品，包括SiC SBD、SiC MOSFET两个系列。现场共有30多位功率半 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-30 09:19

碳化硅竞逐“8英寸”，垂直腔外延设备为什么热度持续上升？: 碳化硅晶圆制造尺寸正朝着8英寸快速迈进，这一产业变化，材料和装备的企业可能感知的更为强烈一些。以外延环节为例，在去年头部企业瀚天天成就已对外宣布公司实现8英寸外延技术的突破，已具备量产能力。东莞天域也在 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-30 09:16

英博电气|李东坪：功率器件在新型储能变流器中的应用: 日前，在宽禁带半导体技术创新联盟主办的2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛上，北京英博电气股份有限公司储能事业部总经理李东坪带来了以“功率器件在新型储能变流器中的应用思考”为题的主题演讲， ...; 分类: 新闻通知 2024-7-30 09:14

3C-SiC异质外延简介: 壹 3C-SiC的发展历The Development History of 3C SiC3C-SiC作为碳化硅的一个重要形态，其发展历程体现半导体材料科学的不断进步。上世纪80年代，Nishino等人首次通过化学气相沉积(CVD)在硅衬底上获得4um后的3C-SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-7-30 09:09

解密CMP抛光垫：表面结构如何决定抛光效果？: 在现代半导体制造工艺中，化学机械抛光（CMP）是至关重要的一步，它决定了晶圆表面平坦度和抛光质量，对最终产品性能有直接影响。而CMP工艺的核心之一便是抛光垫。抛光垫的表面结构及材料特性直接影响抛光效果，进而 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:07

论文推介丨浙大 · 半导体碳化硅衬底的湿法氧化: 半导体碳化硅（4H-SiC）材料具有宽禁带、高饱和电子漂移速率、高临界击穿电场、高热导率等优异性能，已在高频和高功率电子器件、新能源汽车、智能电网等领域展现出广阔的应用前景。随着4H-SiC应用的推进，人们对4H-S ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:06

融资2.6亿，Apro semi1200V氮化镓将量产落地: 近日，又有一家GaN企业宣布实现了1200V GaN器件的突破，并已将量产计划提上日程。7月24日，韩国半导体企业Apro semi宣布，他们成功开发了8英寸1200V级的氮化镓（GaN）外延片技术，现如今公司已成功吸引了大规模投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:03

宽禁带科技论|SiC功率器件封装互连用TLP技术（Cu-Sn全金属间化合物）: 摘要随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流。但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料，成为了制约行业发展的瓶颈。Cu-Sn全 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-29 09:02

东京工业大学等利用金刚石量子传感器，实现全球最高灵敏度的低频磁场测量: 近日，东京工业大学关口直太特任副教授、岩崎孝之副教授、波多野睦子教授等联合研究团队称，利用金刚石中的氮-空位中心开发出了金刚石量子传感器，在低频磁场下成功实现了9.4pT/√Hz的高灵敏度检测。该团队表示该技 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-26 09:28

GaN应用｜将GaN和液冷技术相结合，提升AI 数据中心能效: 实现解决方案的协同效应，自然减少功率损耗并提高投资回报率作者: 英飞凌战略营销副总裁Paul Wiener；应用业务开发总监Julian Styles由于生成式AI和其他新兴技术的激增，数据中心行业正处于十字路口，面临着前所未有 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-26 09:27

单晶SiC抛光液里都有什么？: 为第三代半导体材料，由于具备卓越的热导率、高硬度和宽禁带特性，被广泛应用于制造高效能的功率电子器件中，使其成为现代科技发展的关键材料之一。比如说碳化硅MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由单晶SiC制 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-26 09:24

这个国产车规级碳化硅模块项目正式投产: 7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。source：悉智科技据介绍，此次下线的首批量产模块，是悉智科技自研的高端电驱碳化硅（SiC）塑封功率模块产品 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:21

韩国首个1200V 氧化镓SBD问世: 7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓（Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）。source：Siegtronics据悉，氧化镓是一种宽带隙（WBG）材料，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:20

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