中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

2条SiC线、年产60万只，该项目已投产: 7月23日，据“厦门市光电半导体行业协会”官微消息，协会会员单位——厦门三优光电股份有限公司投建的“厦门三优光电产业园”已于7月19日顺利投产。资料显示，该产业园位于厦门市同翔高新城同安片区，生产规模达5万 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:18

SiC和GaN功率半导体市场将从2024年的14.1亿美元增至2034年的110.8亿美元，复合年均增 ...: 据Fact.MR的报告预测，全球SiC和GaN功率半导体市场将以22.9%的复合年均增长率从2024年的14.1亿美元增长至2034年的110.8亿美元。SiC和GaN功率半导体具有适合高温和高频应用的特性，因此在汽车、可再生能源、工业和消 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-25 09:17

一文了解SiC MOSFET 鲁棒性原理: 在绝大多数电力电子应用中，功率器件主要用于导通和截止状态之间的切换，为了获得最佳效率，需要降低开关损耗，并且减少过冲情况。针对安全工作区（SOA）的功率器件工作状态示意图如图1所示。导通和截止状态之间的转 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:36

碳化钽技术突破，SiC外延污染减少75%？: 近日，德国研究所Fraunhofer IISB在碳化钽涂层技术的研发上取得了突破，开发了一种喷雾涂层方案，具有优于CVD沉积方案的灵活性及环保性，并且已实现商用。Fraunhofer IISB：开发全新TaC涂层技术3月5日，据媒体“Comp ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:27

半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件领域取得新进展 2024-07-24 08:46· ...: III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长，由于大的晶格失配和热失配，导致高密度穿透位错（108-1010），极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:25

安森美和大众汽车再签SiC多年合作协议: 新闻要点安森美（onsemi）与大众汽车集团签署了一项多年期协议，为集团旗下多个品牌的车系提供解决方案。安森美将提供全套碳化硅（SiC）技术，作为可扩展至所有电源平台的集成模块解决方案的一部分。大众集团将受益 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-24 09:20

RF GaN，前景广阔: 国防和电信基础设施推动了 GAN-ON-SIC 市场的发展势头，也为 GAN-ON-SI 技术带来了新的机遇。尽管 2023 年 5G 电信基础设施领域的需求疲软，但 RF GaN 正稳步超越 LDMOS，而国防和卫星通信市场的持续增长则抵消了这 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-23 09:24

1200V 800A 车规级HPD封装三相全桥碳化硅模块双脉冲测试: 一.HPD功率模块功率模块作为电控中最为核心的部件，其性能和可靠性直接关系到电控，甚至是电驱总成的整体性能。功率模块的优劣直接决定了新能源汽车的核心性能，例如加速度、最高时速、能耗、安全性等。随着电控的模 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-23 09:17

碳化硅设备厂商正在闷声发大财: IPO数量多寡，在一定程度上显示了产业热度高低。2024年上半年以来，不时有碳化硅相关厂商IPO传出新进展，彰显了当前碳化硅产业的蓬勃发展态势。据集邦化合物半导体不完全统计，今年上半年共有纳设智能、邑文科技、芯 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-23 09:09

国内新建2条GaN晶圆线，规划产能合计32万片: 近日，江西和浙江的2个GaN项目迎来新进展：●万年晶：氮化镓车载功率器件项目已投产，年产达20万片。●衢州智造新城：新增GaN晶圆制造项目，计划产能1万片/月。万年晶：GaN项目已投产7月16日，据“大美上饶”公众号 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-23 09:05

第三代半导体，距离顶流差了什么: 潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以GaN、SiC为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole数据显示，2026年GaN市场规模预计可达6.72 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-22 09:16

瑞霏光电、中瑞宏芯等6家半导体企业融资新消息: 瑞霏光电完成B+轮融资近日，苏州瑞霏光电科技有限公司（以下简称：瑞霏光电）完成B+轮融资，由深圳高新投领投。瑞霏光电CEO张华表示，本次融资将主要用于研发新技术、扩大产品线、提升品牌影响力以及市场拓展等方面 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-22 09:12

安森美｜推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，加速碳化硅创新: 今日，安森美推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，可显著提高高耗电应用。onsemi 电源解决方案集团总裁 Simon Keeton 表示：“电气化的未来取决于先进的功率半导体。如果没有重大的电力创新，当今的基础设施就无法满 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-22 09:10

剑桥大学｜SiC 电力电子封装：浮动芯片结构和液态金属流体连接: 剑桥大学研究人员发表了一篇题为“液态金属流体连接和浮动模具结构用于碳化硅电力电子封装超低热机械应力”的新技术论文。“封装结构层中各种材料的热膨胀系数 (CTE) 差异很大，导致电力电子封装在运行过程中产生显 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-22 09:07

台湾晶圆大厂：不排除在美国进行碳化硅长晶: 7月17日，环球晶圆宣布旗下子公司GlobalWafers America (GWA)及MEMC LLC基于《晶片与科学法案》，将获得美国政府最高4亿美元（折合人民币约29亿元）的补助，公司将用该笔资金在德州谢尔曼市(Sherman, Taxes)及密苏里 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 10:12

1 ... 45 46 47 484950 51 52 53 ... 254 / 254 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部