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宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（二月）: 为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-7 10:05

华润微、瞻芯电子、重庆青山SiC新动态: 近期，华润微、瞻芯电子、重庆青山公布SiC新动态。01华润微：公司SiC产品可应用于AI服务器电源中华润微披露投资者关系活动记录表显示，该公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模块等产品预计受益于汽车智能化、电子 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-6 09:31

日本佐贺大学将“金刚石半导体”投入实际应用: 随着人工智能（AI）技术的爆发式增长，全球对高算力设备的需求激增，但随之而来的高能耗问题也日益严峻。近日，日本伊藤忠技术解决方案株式会社（CTC）与佐贺大学近期宣布合作，旨在加速“金刚石半导体”技术的实用 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-6 09:17

飞锃半导体：依托SiC全产业链优势，多领域布局迎接发展机遇: 我们邀请到了飞锃半导体产品市场副总裁李和明，为我们更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。SiC市场增速放缓技术突破与应用拓展齐驱行家说三代半：据行家说Research预估，2024年SiC功率半导体市场同比增长14%左 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-6 09:07

山东大学陶绪堂教授研究团队——利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 β-Gà ...: 由山东大学陶绪堂教授课题组在学术期刊Journal of Semiconductors发布了一篇名为 2-inch diameter (010) principal-face β-Ga2O3 single crystals grown by EFG method（利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-5 09:33

山东大学陶绪堂教授研究团队——利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 β-Gà ...: 由山东大学陶绪堂教授课题组在学术期刊Journal of Semiconductors发布了一篇名为 2-inch diameter (010) principal-face β-Ga2O3 single crystals grown by EFG method（利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-5 09:33

山东大学陶绪堂教授研究团队——利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 β-Gà ...: 由山东大学陶绪堂教授课题组在学术期刊Journal of Semiconductors发布了一篇名为 2-inch diameter (010) principal-face β-Ga2O3 single crystals grown by EFG method（利用 EFG 法生长的 2 英寸直径 (010) 主面 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-5 09:33

SiC用量近172颗！小米又一辆汽车卖爆了: 2月27日晚，小米SU7 Ultra以52.99万元的价格横空出世，用“10分钟订单破6900台、2小时大定破万”的爆发式增长，对中高端纯电车市场发起了系统性冲击。这款对标百万级超跑的旗舰轿跑，其颠覆性不仅在于“1.98秒零百加 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-5 09:27

北京量子院基于单晶碳化硅薄膜刷新了国际记录: 据新华网最新消息，近日，我国科学家领衔的一项重要成果突破世界纪录——基于高硬度的单晶碳化硅薄膜，研制出的光声量子存储器，以4035秒的信息存储时长刷新世界纪录。该研究成果已发表于国际学术期刊《自然-通讯》 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-5 09:25

宽禁带科技论|突破色差瓶颈：超表面技术开创AR显示新纪元: 文章导读增强现实（AR）技术正深刻改变我们与数字世界的互动方式，并与人工智能（AI）技术深度融合，推动智能人机交互进入全新时代。从工业制造到智慧医疗，再到教育培训，AR与AI的结合正重新定义各行各业的工作模式 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-5 09:22

【成员风采】深圳平湖实验室刘轩博士在国际知名期刊发表科研成果: 深圳平湖实验室GaN工艺及器件课题组刘轩博士在《Japanese Journal of Applied Physics》发表题为”Subthreshold and turn-on characteristics in Schottky-type p-GaN Gate HEMTs: impact of partially and fully de ...; 分类: 新闻通知 2025-3-4 09:27

士兰微电子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线（一期）全面封顶: 2025年2月28日，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期）正式封顶。封顶仪式现场，海沧台商投资区管委会副主任眭国瑜，士兰微电子董事会秘书、高级副总裁陈越，中建三局（福建 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-4 08:59

天科合达：6/8英寸双线突破，冲刺SiC“平替”新纪元: 我们邀请到了天科合达CTO刘春俊，为我们更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。双线突破+扩产提速天科合达领跑国产SiC突围行家说三代半：2024年贵公司主要做了哪些关键性工作？取得了怎样的成绩?刘春俊：2024年我 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-4 08:55

陈小龙：从气相到液相碳化硅晶体生长技术——攻坚与持续创新: 作为我国在先进材料领域深耕多年的科技工作者，中国科学院物理研究所先进材料与结构分析实验室研究员陈小龙带领团队历经20余年，成功攻克了晶体扩径这一公认的技术难题，保障了高质量2至8英寸碳化硅晶体的稳定生长， ...; 分类: 新闻通知 2025-3-4 08:47

GaN基异质结光电人工突触及存算一体化: 作为模拟人类大脑处理信息的计算技术，神经形态计算被认为是实现通用人工智能的重要方向之一。感存算器件专题探讨“存算一体化”数据计算芯片是未来解决该问题的主流方向，区别传统“冯·诺依曼”计算机架构，用于脉 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-3 09:30

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