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GaN临界点将至，汽车/工业/航天领域应用多点开花: 随着外延技术迭代与成本曲线下探，氮化镓的应用版图已覆盖消费电子、数据中心、新能源汽车等高成长性赛道。EPC、英飞凌等头部厂商一致认为——GaN技术已迎来规模化爆发的临界点本文汇总了最新的具体案例分享，展示Ga ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:10

基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计: 文章来源：舰船电子工程作者：李楠（中航工业雷华电子技术研究所无锡 214100）摘要：论文介绍了一种利用 3.3 kV 碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二极管实现 22 Vdc 至 2.5 kVdc 宽电压的 1 kW 电源方案。电源为舰 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-8 09:07

论文推介丨氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究: 如何同质外延生长出具有原子级平整的氧化镓(Ga2O3）单晶薄膜，是制备高性能Ga2O3基功率电子器件或紫外光电器件的基础。由于通用衬底存在非理想整数指数表面，二维“台阶流”生长被广泛认为是实现上述高质量单晶薄膜 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:51

中科大微电子学院在GaN器件辐照效应研究方向取得重要进展: 近日，中国科大微电子学院杨树教授和龙世兵教授课题组在GaN器件辐照效应研究方向取得新进展，共同研制的垂直型GaN功率电子器件在高能质子辐照下具有1700V以上的阻断电压及电导调制能力。相关研究成果以“kV-Class Ve ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:45

中关村“火花”活动之“设备-材料-制造-工艺”半导体产业链协同创新沙龙顺利举办: 在全球半导体产业竞争加剧与技术创新迭代的背景下，材料与设备作为产业链的“基石”环节，正面临从第三代半导体（碳化硅、氮化镓）向第四代（氧化镓、金刚石）的跨越。技术革新与产业应用呈现双向驱动趋势：材料端加 ...; 分类: 联盟动态 2025-4-7 09:37

宽禁带科技论|低漏电Si基MIS-AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管物理模型构建与研制: 凭借硅衬底的低成本和优异的散热性能，硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延已经成为高功率密度电子器件的关键技术方案。然而，GaN-on-Si外延层因晶格失配和热膨胀系数差异存在高密度缺陷/位错（较蓝宝石衬底高1~2个数量级） ...; 分类: 新闻通知 2025-4-7 09:29

宽禁带联盟2025年度第一次团标评审会顺利召开: 2025年4月2日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2025年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开，此次会议旨在对《SiC器件功率循环试验方法》一 ...; 分类: 联盟动态 2025-4-7 09:27

综述与述评 | 超宽禁带半导体材料发展现状与展望: 文章摘要文章分析了以金刚石、氧化镓、氮化铝等为代表的超宽禁带半导体材料的主要特点及战略需求，系统梳理了国内外超宽禁带半导体材料的主要技术和产业进展，提出了当前待突破的关键技术问题和发展建议，以期为后续 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:23

从AOS布局看第三代半导体发展新范式: 2025年，碳化硅（SiC）功率器件已深入渗透到各个高科技产业领域，其卓越性能助力高效能电力电子系统的发展。作为第三代半导体的代表，SiC技术不仅持续赋能新能源汽车的三电系统革新，更在光伏发电、智能电网等新型基 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:20

意法半导体：推进8英寸SiC战略，引领行业规模化发展: 我们邀请到了意法半导体意法半导体中国区-功率分立和模拟产品器件部-市场及应用副总裁 Francesco MUGGERI，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向SiC需求受多重因素影响但市场机遇仍不断扩大行家说三代半：据行家 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:17

科技部：重点新材料研发及应用国家科技重大专项，启动申报！: 今日，科技部发布国家科技重大专项申报通知：重点新材料研发及应用国家科技重大专项，详情如下：重点新材料研发及应用国家科技重大专项（科技创新2030重大项目）关于组织申报重点新材料研发及应用国家科技重大专项（ ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:14

意法半导体重磅官宣与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议: 4月1日，意法半导体重磅宣布与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议，双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。source：意法半导体中国技术方面，两家厂商的合作致力于为AI数据中心、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:12

科研动态 | 采用金属有机化学气相沉积原位脉冲铝原子辅助法生长的（001）β-Ga2O3外延 ...: 近日，宽禁带半导体国家工程研究中心马晓华教授团队何云龙副教授、陆小力教授等人在Elsevier旗下权威期刊《Journal of Materiomics》发表题为“(001) β-Ga2O3 epitaxial layer grown with in-situ pulsed Al atom a ...; 分类: 新闻通知 2025-4-3 09:12

【免费报名】下周三 | 金刚石: 如何突破性能极限，打开产业新蓝海？: 在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下，半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石，凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性，成为突破功率电子、光电器件、 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-2 09:14

又一车企官宣GaN合作，携手打造新能源汽车核心部件: 随着电动汽车对高效能、轻量化需求的爆发，氮化镓正加速从消费电子迈向汽车产业核心战场。昨天，马自达宣布与罗姆联手开发氮化镓汽车组件；“行家说三代半”追踪发现，以比亚迪、广汽埃安、长安汽车为代表的主机厂也 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-1 09:41

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