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AI带火的不仅是存储，碳化硅氮化镓“闷声发大财”: 近日，中国科学院院士郝跃、西安电子科技大学教授张进成团队首创“离子注入诱导成核”技术，基于该技术制备的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段输出功率密度分别达42瓦/毫米和20瓦/毫米，将国际纪录提升30%~40%， ...; 分类: 新闻通知 2026-1-27 09:20

2025氧化镓产业发展图景：全球多点突破与中国协同跃升: 引言2025年，全球氧化镓产业格局持续深化演进。在国际层面，日本、德国、美国、韩国等多国企业在产能扩张、战略合作与市场布局上动作频仍，推动全球产业生态加速完善。与此同时，中国氧化镓产业依托长期积累与协同发 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-26 10:29

国内可量产的最大8英寸金刚石热沉片来了，即将量产！: 据河南省科学技术厅消息，河南作为我国超硬材料产业的核心区，正通过持续创新，在半导体芯片制造、高端芯片散热等关键领域实现技术突破与国产化替代，推动产业向高端化、集群化发展。在半导体芯片制造领域，位于郑州 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-26 09:43

【行业人才招聘】江苏第三代半导体研究院招聘启事: 文章来源：江苏第三代半导体研究院*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2026-1-23 10:05

GaN 技术取得重大里程碑！: 德国亚琛工业大学（RWTH Aachen University ）与爱思强（AIXTRON SE）成功在200 mm 蓝宝石衬底上展示了N 极性（N-polar）III-氮化物 HFET（高电子迁移率晶体管），标志着高频 GaN 器件在可扩展、低成本制造道路上迈 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 10:03

SiC渗透率稳步提升，产业将迈向融合普及: 回顾2025年，碳化硅与氮化镓行业在诸多领域斩获亮眼成果，同时历经产业格局的深度调整与迭代。展望2026年，行业正站在新的发展节点，既迎来技术突破与场景扩容的新机遇，也面临产业优化与市场竞争的新挑战。为解读当 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 09:58

慕德微纳亮相 2026 SPIE Photonics West，全矩阵AR光波导引全球瞩目: 前言当地时间2026年1月，全球光电领域顶级盛会SPIE Photonics West在美国旧金山盛大启幕。慕德微纳（杭州）科技有限公司携全系列AR光波导核心技术与量产成果重磅亮相，以硬核技术实力与前瞻性量产布局，吸引了全球光 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 09:57

西电-中科院团队新成果：航天级封装单晶金刚石辐射探测器: 随着深空探测任务的快速发展，人类探测范围正从近地轨道扩展至月球、火星、木星及太阳附近等极端空间环境。这些区域辐射强度高、温度剧烈波动（温差可超120℃），对粒子探测器的辐射硬度、高温稳定性和长期可靠性提 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-23 09:52

MPCVD金刚石：高品质与高速率能否同行？: 微波等离子体化学气相沉积技术( MPCVD)被认为是制备大尺寸高品质单晶金刚石的理想手段之一。然而其较低的生长速率以及较高的缺陷密度是阻碍 MPCVD单晶金刚石应用的主要因素。沉积的金刚石样品01高速率生长MPCVD单晶 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-22 09:43

肖特基与欧姆接触栅极GaN HEMT，在长期硬开关应力下的性能表现: 在追求高功率密度的电力电子领域，氮化镓（GaN）HEMT正面临从“好用”到“耐用”的关键跨越。本文基于最新的DHTOL（动态高温工作寿命）测试研究，深入对比了肖特基栅极与欧姆接触栅极两种主流p-GaN器件。通过创新的 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-22 09:39

宽禁带联盟2026年度第一次团标评审会顺利召开: 2026年1月21日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）2026年度第一次团体标准评审会于中国科学院半导体研究所3号楼332会议室及线上同步召开。此次会议旨在对《β相氧化镓单晶位错密度的测 ...; 分类: 联盟动态 2026-1-22 09:31

2025年碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）领域市场变化及国产替代进展: 2025年，碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）的领域变化挺大的。汽车电动化和人工智能基础设施建设加速推进，电源管理从幕后走向前台，成为系统性能、效率和可靠性的核心变量。碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）这两种宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-21 15:53

VisIC公司CEO：特斯拉/现代GaN汽车即将发布: 近日，VisIC公司在北京举行新闻发布会，其首席执行官（CEO）Tamara Baksht博士接受了媒体采访，谈到了他们的车规级GaN技术的商用化进展，其中提到：GaN产品已通过头部车企的长期验证，现代汽车的GaN车型将于2029年量 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-21 15:52

东北师范大学宽带隙半导体外延团队：通过MOCVD法生长的适用于深紫外光电子学应用的高 ...: 由东北师范大学的MOCVD外延研究团队在学术期刊 Applied Physics Reviews 发布了一篇名为MOCVD-grown α-Ga2O3 with increased growth rate and improved crystal quality for deep UV optoelectronics application（ ...; 分类: 新闻通知 2026-1-21 15:43

格力车用SiC芯片将量产，董明珠称未来供广汽半数芯片: 1月20日电，格力电器总裁助理、珠海格力电子元器件有限公司总经理冯尹在大湾区化合物半导体生态应用大会上透露，格力电器碳化硅芯片工厂在量产家电用碳化硅芯片后，今年光伏储能用、物流车用碳化硅芯片也将量产。格 ...; 分类: 新闻通知 2026-1-21 14:45

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