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国际首发！深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延: 近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）。该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:28

氧化镓HFET结合了多晶型: 台湾国立中山大学宣布首次成功演示由ε多晶型层和α多晶型层构成的氧化镓（Ga2O3）异质结场效应晶体管（HFETs），两层之间通过掺锡（Sn）过渡层连接。相较于仅由α多晶型材料构成的类似同质结构金属-半导体场效应晶 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:28

Novel Crystal Technology与Kyma合作开发氧化镓外延片: 位于美国北卡罗来纳州罗利市的 Kyma Technologies 公司和位于日本埼玉县狭山市的 Novel Crystal Technology Inc (NCT) 正在合作开发氧化镓 (Ga2O3) 外延片，旨在加速 Ga2O3 器件在高压电力电子应用（包括电动汽车、 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:22

九峰山实验室新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品发布！: 导读 /Preview九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:21

宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（七月）: 为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:11

破局“脱硅翘曲”——荣盛集团实现金刚石热沉片批量化“零翘曲”: 在高端半导体散热领域，金刚石凭借2000 W/mK的超高热导率被誉为“终极散热材料”。然而，金刚石生长时受热应力及生长应力的影响，导致金刚石薄膜从生长衬底（如硅）剥离后产生严重的翘曲问题，翘曲度是决定金刚石热 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-6 09:19

onsemi ｜EliteSiC M3e技术将搭载在小米 YU7车型中: 今日，安森美半导体在官网宣布，小米YU7电动SUV车型将搭载安森美EliteSiC M3e技术的先进800V驱动平台。EliteSiC M3e平台拥有卓越的性能和效率，使汽车制造商能够为电动汽车（EV）设计更小、更轻、更坚固的牵引系统。 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-6 09:16

芯联集成上半年营收增长24.93%，国内首条8英寸SiC MOSFET产线已实现批量量产: 8月4日，芯联集成发布了2025年半年度业绩公告，公司实现营业收入34.57亿元，同比增长24.93%。这一增长主要得益于公司在新能源汽车和工控领域的强劲表现，其中车载领域营收同比增长23%，工控领域同比增长35%。同时，A ...; 分类: 新闻通知 2025-8-6 09:15

如何选择合适的MOSFET？: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一类主要用于开关应用的半导体器件，其核心特性是能够承受高电压和大电流。凭借更高的效率以及在高速开关场景下的卓越性能，MOSFET成为电源设计中的最优选择。下面我们将探 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:51

西电郝跃院士、张进成教授团队：具有高功率密度和低微波噪声系数的C波段β-Ga₂O ...: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices发布了一篇名为 C-Band β-Ga2O3-on-SiC RF Power MOSFETs With High Output Power Density and Low Microwave Noise Figure（具有高 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:44

北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器 ...: 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在日本熊本市举行。北京大学集成电路学院两篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:41

精准测量新利器！Map 2530：大尺寸兼容，微电阻缺陷无处遁形！: 在半导体、光伏、先进材料研发与生产领域，对导电材料电阻率及微小缺陷的精准、高效测量，是确保产品质量和性能的关键环节。传统测量设备常面临两大挑战：难以兼顾超大尺寸样品的兼容性与微小电阻缺陷的高精度定位。 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:24

技术向 | 浅谈SiC MOSFET栅极串扰抑制: 化硅（SiC）材料凭借其宽禁带、高饱和电子漂移速度以及高热导率等卓越的物理特性，使得SiC功率开关器件在性能上显著超越传统的硅（Si）基器件。具体优势体现在：更高的阻断电压能力，更快的开关速度，更低的工作损耗 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-4 10:36

世界GaN日｜GaN可能从哪些细分应用市场挑战SiC: 世界氮化镓日定为每年7月31日，源于氮化镓（GaN）的两种组成元素在元素周期表中的排序：氮（N）为第7号元素，镓（Ga）为第31号元素。这一日期由第三代半导体行业公认，旨在彰显氮化镓作为战略材料的科技地位，表达 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-4 10:34

刘胜院士：AI芯片必须同时满足“算得快”与“传得快”: 刘胜中国科学院院士，武汉大学集成电路学院院长、工业科学研究院执行院长、高端芯片产业创新发展联盟理事长长期致力于芯片封装及可靠性研究，推动我国封装技术实现从“跟跑”到“并跑”的跨越式发展。2024年，带领武 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-4 10:32

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