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镓未来：预计GaN芯片收入超1亿: 8月6日，据“36氪”报道，镓未来已经完成亿元级B+轮融资，由北海山旁边独家投资，资金将主要用于高压/大功率产品研发、供应链建设、业务拓展等方面。此外，他们预计今年芯片销售收入将超过1亿元。值得关注的是，据镓 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-11 09:22

项目申报 | 涉及碳化硅，氧化镓，金刚石多个项目！: 上海市科学技术委员会关于发布2025年度基础研究计划“集成电路”（第二批）项目申报指南的通知沪科指南〔2025〕25号各有关单位：为深入实施创新驱动发展战略，加快建设具有全球影响力的科技创新中心，根据《上海市建 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-11 09:21

两步生长技术如何突破高压GaN HEMT性能瓶颈: GaN器件展现出硅基器件难以企及的优势，例如高击穿电压、快速开关、低开关损耗以及卓越的功率转换效率。然而，GaN材料的生长过程，特别是如何在非原生衬底上实现高质量的外延生长，一直是科研人员面临的巨大挑战。本 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:34

通过液态金属封装提升SiC功率模块可靠性: 将液态金属（LM）封装集成至SiC半桥功率模块，是解决长期存在技术挑战的一项创新方案。SiC功率器件的优势与封装挑战碳化硅（SiC）功率器件凭借其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，在电力电子领域展现出卓越性 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:30

国际首发！深圳平湖实验室研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延: 近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）。该成果打破了大尺寸GaN与SiC材料单片集成的技术瓶颈，为GaN/SiC混 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-8 09:28

氧化镓HFET结合了多晶型: 台湾国立中山大学宣布首次成功演示由ε多晶型层和α多晶型层构成的氧化镓（Ga2O3）异质结场效应晶体管（HFETs），两层之间通过掺锡（Sn）过渡层连接。相较于仅由α多晶型材料构成的类似同质结构金属-半导体场效应晶 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:28

Novel Crystal Technology与Kyma合作开发氧化镓外延片: 位于美国北卡罗来纳州罗利市的 Kyma Technologies 公司和位于日本埼玉县狭山市的 Novel Crystal Technology Inc (NCT) 正在合作开发氧化镓 (Ga2O3) 外延片，旨在加速 Ga2O3 器件在高压电力电子应用（包括电动汽车、 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:22

九峰山实验室新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品发布！: 导读 /Preview九峰山实验室（JFS Laboratory）推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，旨在满足产业及科研机构对具有完全自主知识产权的SiC沟槽新型器件的测试、分析及应用探索需求，进一步推动下一代碳化硅沟槽型 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:21

宽禁带半导体前沿速递 | 产业信息简报（七月）: 为助力宽禁带半导体产业生态圈建设，推动技术创新与资源高效对接，宽禁带联盟特别推出《产业信息简报》，本刊聚焦政策风向解读、前沿技术追踪、产业链合作动态、创新产品技术发布、重大项目建设及投融资热点等核心板 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-7 09:11

破局“脱硅翘曲”——荣盛集团实现金刚石热沉片批量化“零翘曲”: 在高端半导体散热领域，金刚石凭借2000 W/mK的超高热导率被誉为“终极散热材料”。然而，金刚石生长时受热应力及生长应力的影响，导致金刚石薄膜从生长衬底（如硅）剥离后产生严重的翘曲问题，翘曲度是决定金刚石热 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-6 09:19

onsemi ｜EliteSiC M3e技术将搭载在小米 YU7车型中: 今日，安森美半导体在官网宣布，小米YU7电动SUV车型将搭载安森美EliteSiC M3e技术的先进800V驱动平台。EliteSiC M3e平台拥有卓越的性能和效率，使汽车制造商能够为电动汽车（EV）设计更小、更轻、更坚固的牵引系统。 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-6 09:16

芯联集成上半年营收增长24.93%，国内首条8英寸SiC MOSFET产线已实现批量量产: 8月4日，芯联集成发布了2025年半年度业绩公告，公司实现营业收入34.57亿元，同比增长24.93%。这一增长主要得益于公司在新能源汽车和工控领域的强劲表现，其中车载领域营收同比增长23%，工控领域同比增长35%。同时，A ...; 分类: 新闻通知 2025-8-6 09:15

如何选择合适的MOSFET？: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一类主要用于开关应用的半导体器件，其核心特性是能够承受高电压和大电流。凭借更高的效率以及在高速开关场景下的卓越性能，MOSFET成为电源设计中的最优选择。下面我们将探 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:51

西电郝跃院士、张进成教授团队：具有高功率密度和低微波噪声系数的C波段β-Ga₂O ...: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Electron Devices发布了一篇名为 C-Band β-Ga2O3-on-SiC RF Power MOSFETs With High Output Power Density and Low Microwave Noise Figure（具有高 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:44

北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD发表2项宽禁带半导体功率器 ...: 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在日本熊本市举行。北京大学集成电路学院两篇高水平论文入选，向国际功率器件与功率集成电路领域 ...; 分类: 新闻通知 2025-8-5 09:41

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