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SiC 和 GaN 市场格局的演变: 随着电源管理成为汽车电气化和人工智能数据中心等新兴电子应用的基本方面，碳化硅和氮化镓等宽禁带化合物半导体成为行业动态强劲的研究对象。本文将简要概述近期影响SiC和GaN行业格局演变的一些事件和趋势，重点关注 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-26 10:35

大连理工大学：基于β-Ga₂O₃/Si异质结的超高效率日盲紫外检测: 由大连理工大学梁红伟教授、常玉春教授的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Ultrahigh-efficiency solar-blind ultraviolet detection with a β-Ga2O3/Si heterojunction（基于 β-Ga2O3/ ...; 分类: 新闻通知 2025-12-25 09:58

南理工联合昕感科技突破SiC开关损耗预测难题：AI模型4.95毫秒精准预测，误差低至1.13%: 近日，南京理工大学微电子学院（集成电路学院）教师王酉杨以第一作者身份在功率半导体领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Power Electronics》发表了题为“ANN-assisted Switching Loss Prediction for SiC MOS ...; 分类: 新闻通知 2025-12-25 09:52

GaN行业进入分化时代：告别技术狂热，走向成本与场景的终极博弈: 在半导体市场，氮化镓（GaN）作为第三代半导体的核心材料，凭借宽禁带特性、高电子迁移率以及卓越的耐高温、耐高压性能，近年来被视作通信、新能源、消费电子等众多领域的终极解决方案，引得全球半导体巨头纷纷重兵 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-25 09:50

中国定义SiC新周期：占据全球40%晶圆产能，设备国产化加速新格局: 功率型碳化硅（SiC）市场正持续转型。在经历了2019年至2024年间前所未有的投资浪潮后，该行业目前正进入调整期。Yole Group最新发布的报告对这一转变进行了深入分析。他们表示，汽车市场的放缓降低了对碳化硅的需求 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:46

破局芯未来：臻晶半导体携手南昌大学，共筑液相法碳化硅技术高地: 近日，常州臻晶半导体有限公司与南昌大学国际材料创新研究院正式签署战略合作协议。臻晶半导体将向研究院提供自主研发的液相法碳化硅长晶炉及全套工艺技术支持，双方将重点围绕 “8英寸厚SiC单晶的低成本制备” 这一 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:40

Cell子刊│哈工大（深圳）孙华锐团队：通过多模热成像校准了电压和温度依赖的肖特基势 ...: 近日，哈尔滨工业大学（深圳）孙华锐教授团队在氧化镓二极管肖特基势垒研究中取得新进展，揭示了电压和温度依赖的肖特基势垒高度及其非均匀性的的动态调控规律，显著提升了电流预测精度，为高功率电子器件的热管理与 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:32

刘朝辉：归国造“芯”，为新能源汽车打造“中国心”: 1995年，我国第一辆自主研发的电动汽车——“远望号”纯电动大客车下线，成为中国新能源汽车的“开山之作”。30年，弹指一挥间。如今，我国新能源汽车年产销量已迈上千万辆级台阶，连续10年位居全球第一，产销量占全 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:19

深圳平湖实验室8英寸1200V增强型Si基GaN HEMT研发取得关键性突破: 在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，并成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:11

西安电子科技大学张进成教授，香港大学张宇昊教授，北京大学程哲研究员 NC：过异质外 ...: 西安电子科技大学张进成教授、张雅超教授，香港大学张宇昊教授，南京电子器件研究所陈堂胜研究员，北京大学程哲研究员等人发表了题为 High power density gallium nitride radio frequency transistors via enhanced ...; 分类: 新闻通知 2025-12-23 09:43

氧化镓衬底成本直降90% DG法颠覆长晶方法：NCT&NEDO引领行业变革: 日本株式会社 Novel Crystal Technology（总部：埼玉县狭山市，代表取缔役社长：仓又朗人）作为 NEDO“经济安全保障重要技术培育项目／高输出・高效率功率器件／高频器件用材料技术开发／β-Ga2O3 晶圆、功率 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-23 09:35

微电子所在4H/3C-SiC 单晶复合衬底与器件方面取得重要进展: 近日,中国科学院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与香港大学、青禾晶元集团、武汉大学、中国科学院物理研究所等团队合作成功研发出大尺寸4H/3C-SiC 单晶复合衬底，突破低压（600V）4H-SiC 器件比导通电阻极限性 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-23 09:29

【Wolfspeed白皮书】采用先进碳化硅封装技术有效提升系统耐久性: 采用先进碳化硅封装技术有效提升系统耐久性Adam Barkley 博士，Wolfspeed 功率半导体研发副总裁引言众多行业领域的电气化推动着对高性能功率器件的需求不断增长，应用场景日益多样，这也给电源设计工程师带来了新的 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-22 10:08

氮化镓监测系统成功落地国家能源集团项目: 近日，美镓传感在国家能源集团宁夏煤业有限责任公司枣泉煤矿顺利完成“枣泉煤矿氮化镓紫外局放监测系统”项目的安装部署与验收工作。该项目的成功投运，为煤矿电力系统的安全、稳定、高效运行注入了科技新动能。图片 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-22 10:03

SiC外延片规模化进程全景解析：企业格局演变、8英寸产能突破、技术创新路径与价格趋势 ...: 2025年，全球碳化硅（SiC）外延片行业进入“8英寸冲刺年”。从瀚天天成、天域半导体两大代工龙头的产能军备，到湖南三安、安意法等垂直整合者的通线战果，再到6英寸价格逼近成本线、8英寸均价一年腰斩，市场呈现“头 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-22 10:00

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