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GaN基低温外延技术: 1、概述GaN基材料的重要性GaN基半导体材料因其宽禁带特性、高击穿场强、高热导率等优异性能，被广泛应用于光电子器件、电力电子器件及射频微波器件的制备。这些器件在半导体照明、固态紫外光源、太阳能光伏、激光显 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 10:05

基本半导体：铜烧结在碳化硅功率模块领域大有可为: 近日，基本半导体发布了铜烧结方案进展。信息显示，基本半导体目前已经对多款铜烧结浆料进行了选型评估，印刷、烘烤、贴片、烧结等工艺环节已趋于稳定。主要从三个方面来考量其可行性。一是烧结后的连接强度达到80Mp ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 10:00

清纯半导体|雷光寅：碳化硅MOSFET助力高效率新能源汽车驱动系统: 日前，在宽禁带半导体技术创新联盟主办的2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛上，复旦大学研究员、清纯半导体首席科学家雷光寅老师带来了以“碳化硅MOSFET助力高效率新能源汽车驱动系统”为题的主题演讲 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 09:58

三代半相关企业逍遥科技融资数千万元: 据中南创投基金官微消息，近日，逍遥(成都)科技有限公司（下文简称逍遥科技）宣布完成数千万天使轮融资，由中南创投基金、成都天府科创投、深圳高新投、华芯程联合投资。资料显示，逍遥科技成立于2021年，是一家具备 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 09:48

SiC MOSFET：800V 三相输出 LLC DC/DC 共振转换器电路: 对采用碳化硅（SiC）MOSFET 作为开关元件，且使用绝缘变压器的三相输出的 5kW LLC 谐振类型 DC/DC 转换器进行介绍。依靠 SiC MOSFET 所具有的 1200V 的耐压特性，输入电压可以提高到 800V，晶体管的开关频率为 600V ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 09:47

镓仁半导体制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底: 近日，据镓仁半导体官微消息，镓仁半导体于今年7月成功制备出3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，据称为目前国际上已报导的最大尺寸。source：镓仁半导体据镓仁半导体介绍，在氧化镓单晶衬底常见的主流晶面中，（010 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 09:34

新增6起SiC大订单：超亿元、出口境外！: 近期，SiC领域又达成了多起订单合作：●爱思强：将为安世半导体提供8英寸G10-SiC/G10-GaN系统，助力其8英寸器件的量产。●Aehr：收到碳化硅测试和老化客户的约9200万人民币的订单。●北京和崎：自研首台6/8吋兼容Sto ...; 分类: 新闻通知 2024-7-19 09:34

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟关于同意《氧化镓单晶位错密度的测试方法》等5项 ...: 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第八批团体标准立项评审会于2024年7月4日通过腾讯会议的形式召开，经联盟标准化委员会与会委员表决，本次5项团体标准通过评审并获准立项：（1）《氧化镓单晶位错密度的测试方法》 ...; 分类: 公告通知 2024-7-17 09:18

自动化图像技术在4H-SiC晶圆缺陷分析中的应用: 研究背景检测和分析半导体材料中的各种缺陷对于理解其基础机制和优化生产过程至关重要。传统的显微图像分析方法，如手动检测裂缝、晶粒或位错，既耗时又需要丰富的专业知识。随着实验数据量的不断增加，手动处理这些 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-17 09:17

美国碳化硅晶圆激光加工企业获8000万美元融资: 7月15日，碳化硅激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布，公司在超额认购的B轮融资中筹集了高达8000万美元（折合人民币约5.81亿元）的资金。本轮融资由美国创新技术基金（USIT）牵头，8VC、SAIC跟投。该笔资金将帮助H ...; 分类: 新闻通知 2024-7-17 09:10

年产2.6亿颗！又一硅/碳化硅半导体器件项目投产: 7月15日，据“温岭品质新城”官微消息，晶能微电子车规级半导体封测基地一期项目暨年产2.6亿颗功率半导体器件封装项目近日全线投产。source：温岭品质新城据悉，该项目通过对浙江益中封装技术有限公司（以下简称益中 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-17 09:09

三端GaN二极管可提升光电性能: 三端二极管的结构示意图及对应符号为发光或探测过程中利用外加电场控制载流子传输开启新的可能性从LED到探测器，光电二极管都是基本元件。然而，光电二极管需采用外部驱动电路，这一传统方法会阻碍信号传输速度、带 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-17 09:07

GaN极化理论重大更新，教科书要改写？: 近日，在美国密歇根大学研究团队的主导下，氮化镓极化理论从传统的极化概念更新为现代极化理论（MTP），为氮化镓的电子性能优化提供了新的理论基础。具体来看，美国密歇根大学的研究人员通过更新模型，重新审视了氮 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:35

达新半导体 | 张海涛：Si/SiC/GaN 功率器件技术路线对比浅析: 日前，达新半导体副总经理张海涛发表了《Si/SiC/GaN 功率器件技术路线对比浅析》主题演讲。演讲围绕三种功率器件的多个技术路线进行对比，包括器件参数与测试、材料与工艺、可靠性思考及器件应用、未来发展预期等多 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:33

SiC上车高光时刻，牵引逆变器成主战场: 以碳化硅（SiC）为核心的功率半导体，正以其优越的性能，在汽车电气化浪潮中迎来规模化发展。2018年，特斯拉Model 3主驱逆变器将SiC MOSFET替代传统的硅基IGBT，一举将SiC送上新能源汽车的舞台中心。此后，越来越多 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-16 10:23

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