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电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析: 摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:10

“金刚石+氧化镓”助力更高性能射频器件: 由日本九州大学、日本国家先进工业技术研究所 (AIST)、九州工业大学、埃及阿斯旺大学和日本日埃科技合作中心 (E-JUST 中心) 的组成的联合研究团队，报道了“利用射频磁控溅射在单晶金刚石（111）晶圆上异质外延生长 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:02

日本立命馆大学采用电化学机械抛光技术，SiC抛光效率可提升10倍: 近日，日本立命馆大学（Ritsumeikan University）一研究团队开发了一种新型的ECMP（电化学机械抛光）技术，实现了约15μm/h的材料去除率，使得SiC抛光得到大幅度提升。该团队开发的这种技术，在抛光过程中，碳化硅衬 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 09:07

氮化镓，取得了新的突破: 7月4日，名古屋大学证实，通过GaN和金属镁（Mg）之间的简单热反应形成了独特的超晶格结构，可以提高P型GaN基器件的性能。该成果是YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所Hiroshi Amano教授 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 09:03

爱仕特科技：SiC MOS在新能源汽车上的应用: 近日，深圳爱仕特科技有限公司应用开发总监：余训斐围绕《SiC MOS在新能源汽车上的应用》的主题，针对当前新能源汽车市场趋势、SiC MOS特性与优势、SiC MOS在新能源汽车上的应用等进行演讲分享，对当前半导体行业与 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 08:56

西电广州研究院第三代半导体创新中心攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术: 近期，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN G ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 08:52

吉利学院：宽禁带半导体行业趋势及变化: 近日，吉利学院智能网联与新能源汽车学院：副教授周虎围绕《宽禁带半导体行业趋势及变化》的主题，针对功率半导体发展的路径、SiC碳化硅与GaN氮化镓当前应用背景与技术路线、宽禁带半导体未来的变化趋势以及应用表现 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:16

快讯 | 再增3倍产能，罗姆旗下衬底厂SiCrystal新厂房奠基: 作为加强半导体行业和推广可持续技术的重要一步，SiCrystal GmbH今日发布消息称，公司将在纽伦堡东北部当前场地正对面创建一个新的额外生产空间。新大楼将额外提供6,000平方米的生产空间，并将配备尖端技术，以进一 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:10

技术向 | 浅谈SiC功率器件动态偏压可靠性测试: 1.概述SiC功率器件的动态特性及栅极长期可靠性问题存在诸多挑战，特别是其偏压温度不稳定性（Bias Temperature Instability，BTI）所引起的阈值电压Vth漂移问题更为复杂。因此，需要对SiC功率器件的可靠性进行测试， ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:08

宽禁带科技论|使用激光图案化衬底方法在Ir/YSZ/Si (001)复合衬底上制备2英寸自支撑金 ...: 作为一种超宽带隙半导体材料，金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高、载流子饱和漂移速度大、临界击穿场强大、热导率高等优点，非常适合用于制备高频、大功率、耐高温、抗辐照的电子学器件以及深紫外波段的光电子器 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 08:59

SiC MOSFET驱动特性及器件国产化后的影响分析: 文章来源：电源学报作者：姚常智（中国电源学会学生会员），张昊东，申宏伟，王建军（北京航天发射技术研究所）摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET作为一种新型，广泛应用的开关器件，在实际应用 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-5 11:16

美国利哈伊大学：开发新型半导体材料，为更军事雷达系统提供动力: 美国宾夕法尼亚州的利哈伊大学（Lehigh University）的材料科学与工程系助理教授Siddha Pimputkar博士获得了来自DEVCOM陆军研究实验室的110万美元资助。这笔资金将用于开发用于雷达系统的超宽带隙（UWBG）半导体材料 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-5 11:08

SiC抛光又有新技术，效率可提升10倍: 在追求高性能电子器件的今天，碳化硅以其卓越的物理和电学性能，成为了制造电力电子器件的理想材料。然而，碳化硅衬底在抛光工艺上还面临着成本、环保等方面的难题，一直是制约其广泛应用的瓶颈。传统CMP（化学机械 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-5 11:07

宽禁带联盟第八批团体标准立项评审会顺利召开: 2024年7月4日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第八批团体标准立项评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对《氧化镓单晶位错密度的测试方法》等6项团体标准立项申请进 ...; 分类: 联盟动态 2024-7-5 11:04

从电力电子的发展趋势看功率器件的未来: 摘要从功率器件和电力电子应用趋势的角度讨论了功率器件的前景。功率器件市场的驱动力已从家用电器和工业机器人转变为电动汽车 (EV)，其中最重要的趋势是通过降低功率损耗、提高运行温度和降低热阻来提高功率模块的 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:47

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