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深度解读：MOSFET是什么高科技？: 导语晶体管是电子学和逻辑电路中的基本构件，用于开关和放大。MOSFET是场效应晶体管(FET)的一种，其栅极通过使用绝缘层进行电隔离。因此，它也被称为IGFET(绝缘栅场效应晶体管)。#1什么是MOSFET?MOSFET或金属氧化物 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:43

北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展: 随着GaN为代表的新一代宽禁带半导体材料的广泛应用，功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件热管理性能，目前GaN功率器件仅能发挥其理论性能的20%~30%。嵌入式微流体冷却技术将微流体集成在器件内部，避免了近乎 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:24

多方协同破卷出新助力国产碳化硅行业高质量发展: “半导体产业的迅猛发展，正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮，碳化硅在全球新能源产业发展中扮演着至关重要的角色，是我国在全球半导体产业竞争格局中实现重要突破的关键。”6月26日，中国科学院院士、武汉大 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:20

2亿美元！安世半导体将投资碳化硅、氮化镓: 6月27日，安世半导体宣布将在德国汉堡投资2亿美元（约合 1.84 亿欧元）开发第三代半导体，包括碳化硅和氮化镓。除研发外，还将在汉堡投资建设生产工厂。此外，除第三代半导体外，此次投资还包括扩建硅基半导体产能。 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-3 10:07

X-Trinsic：碳化硅市场趋势及展望: X-Trinsic 是一家初创公司，致力于提供专注于 SiC 晶圆的工艺服务，同时还帮助提高基于 SiC 设备的采用率。下面对 X-Trinsic 的总裁兼首席技术官Robert Rhoades 关于碳化硅市场趋势及展望的报告进行详细解析。市场增 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-3 10:06

GaN进攻家电、光储等赛道？华硕等7家企业已采用: 最近，GaN领域新增了多起应用案例，GaN为光伏/储能/电源充电器等注入发展新动能，详情请往下看：昱能科技：推出GaN光伏逆变器6月13-15日，昱能科技携手其控股子公司领储宇能闪耀亮相2024年SNEC展会，带来光储充全场 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-3 09:55

Welcome to APCSCRM 2024: Information01Conference02DateVenue03Website04Organizations05Highlights06Program at a glance07TopicsCall for PapersScopeRequirement:Business CooperationSponsorship PackagesIndividual SponsorshipsExhibi ...; 分类: 公告通知 2024-7-3 09:49

盛大启幕 | 第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）: 近几年，宽禁带半导体材料（SiC，GaN，Ga2O3，AlN，金刚石等）以其独特的物理和化学性能成为制造耐高温、耐高压、高频高功率、低损耗半导体器件的首选材料。从消费电子到工业电子，从新能源汽车到轨道交通，从光伏、 ...; 分类: 公告通知 2024-7-3 09:38

氧化镓携手碳化硅，杭州镓仁与苏州迈姆思签订战略合作协议: 据苏州纳米城官微消息，近日，苏州纳米城企业—苏州迈姆思半导体科技有限公司（以下简称“迈姆思 ”）与杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁”）于杭州签订战略合作协议。双方将依托各自的资源和技术优势，在先 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-2 09:07

中科院物理所&晶格领域：晶圆级高晶体质量p型碳化硅单晶的制备: 研究背景碳化硅（SiC）因其优异的性能，成为电动汽车、光伏和轨道交通等领域的重要材料。特别是n沟道绝缘栅双极型晶体管（n-IGBT）因其高电压和低导通电阻性能，广泛应用于基于4H-SiC的器件。然而，n-IGBT的发展受限 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-2 09:05

纳芯微：高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级: 今日，纳芯微功率器件总监高金萍在“2024第四届全球xEV驱动系统技术暨产业大会”上纳芯微功率器件总监高金萍以《高性能高可靠栅极驱动及SiC器件助力新能源汽车三电升级》为主题做了相关报告，以下为文字转录：本次报 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-1 09:05

韩国电子通信研究院开发出3kV级氧化镓外延层和器件技术: 在韩国文化体育观光部的支持下，韩国政府资助的非营利性电子通信研究院（ETRI）与韩国陶瓷工程技术研究所（KICET）合作，开发出了氧化镓（Ga2O3）功率半导体的核心材料和器件工艺技术，即韩国开发的首款3kV级氧化镓 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-1 09:04

论文推介丨重掺杂P型SiC的熔融KOH刻蚀行为研究: SiC具有带隙宽、击穿电场强度高和热导率高等优异的物理性能，成为制备半导体功率器件和微波射频器件的理想材料。但是，SiC晶体中存在大量的位错，如穿透型螺位错(TSD)在外延时会产生Frank型堆垛层错或胡萝卜缺陷，大 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-1 09:03

纳米金刚石抛光液：SiC超精抛光的“白月光”: SiC作为衬底材料，单晶SiC的表面粗糙度直接影响其在电子器元件中工作的效果与性能。为确保单晶SiC在半导体、衬底材料中的应用的稳定性，其表面粗糙度往往要达到纳米级或以下（工业要求Ra0.3nm）。众所周知，SiC很硬 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-28 09:55

氧化镓异质结界面: 金属、绝缘层和其他半导体等不同材料之间的各种类型的电接触是构建器件结构的基础。β-Ga2O3等材料之间的不同接触类型和界面质量充分发挥β-Ga2O3材料的优点，目前 β-GA2O3均匀PN结的实现仍然是一个很大的挑战，其 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-28 09:48

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