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SIC器件在新能源汽车的应用: 来源：功率半导体技术实验室*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-6-17 09:10

英飞凌8英寸SiC晶圆厂一期工程完工: 据外媒报道，近日，英飞凌完成了位于马来西亚居林的8英寸碳化硅（SiC）晶圆厂第一阶段建设。source：英飞凌英飞凌计划于今年8月正式启用居林Module 3厂区，并于2024年底开始生产SiC。据了解，该晶圆厂总投资为70亿欧 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-17 09:07

【成员风采】浅析昕感科技在沟槽SiC MOSFET方向的研究专利: 在硅和碳化硅功率MOSFET领域，我们可以根据它们的栅极结构分成两类:平面结构和沟槽结构。图1.平面MOSFET（左）和沟槽MOSFET（右）典型结构1相比较于传统平面型（planar）结构，沟槽（trench）SiC MOSFET能发挥压缩 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-17 09:03

【成员风采】眉山博雅丨顶部籽晶溶液法生长碳化硅单晶及其关键问题研究进展: 为缓解全球面临的能源安全问题，实现“双碳”目标，当前电力电子器件正往高频化、集成化、标准模块化和智能化方向发展，而传统硅基器件的物理极限瓶颈日益凸显，难以适应未来终端应用更为复杂的电子电气架构需求。相 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-17 09:00

SiC功率模块厂商悉智科技完成近亿元融资: 近日，车规级功率与电源模块厂商苏州悉智科技有限公司（以下简称悉智科技）完成近亿元天使++轮融资，投资方为上汽集团旗下私募股权投资平台尚颀资本和高瓴创投，融资资金将主要用于产品、技术开发和市场推广。作为一 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-14 09:27

投资超50亿元！印度拟建8英寸碳化硅工厂: 据外媒消息，总部位于英国苏格兰的碳化硅（SiC）晶圆制造公司Clas-SiC正在与几家公司商讨，合作在印度建立一个或多个碳化硅功率半导体晶圆厂。Clas-SiC公司成立于2017年，是世界上首批规模化生产碳化硅的晶圆厂，当 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-14 09:23

英诺赛科拟香港上市，GaN营收近6亿元: 6月12日，据香港证券交易所公告，英诺赛科已正式递交上市申请，并公布IPO招股说明书（申请版），拟香港主板挂牌上市。英诺赛科的招股书（申请版）主要透露了以下重点信息：● 募集资金计划用于产能扩充目前，英诺赛 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-14 09:13

出货大增！国产碳化硅衬底将占半壁江山: 碳化硅功率器件具备优越的耐高压、耐高温、低损耗等特性，解决了传统硅基器件难以满足的性能需求，受到市场广泛欢迎。在过去1年多的时间里，国内碳化硅产业经历了快速发展。6月5-7日，宽禁带联盟主办的2024宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-14 09:02

氮化镓大举上车！与碳化硅同场竞技？: 「看好车载充电器、车载激光雷达市场潜力」当前，氮化镓商业化最好的应用是消费电子快充赛道。在大功率、小体积、高性能成为消费类电源产品主要发展趋势的情况下，具备更大禁带宽度、更低导通电阻，以及更高转换效率 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-13 11:36

名古屋大学天野浩团队Nature发文：氮化镓的2D-Mg掺杂现象: ·研究背景—0D-Mg（1989年）1989年，名古屋大学的赤崎勇和天野浩成功利用镁（Mg）原子置换Ga位（0D-Mg掺杂），实现了GaN的p型掺杂，开发了蓝光LED，引领世界走向LED照明时代。2014年，因表彰蓝色LED的发明，赤崎勇 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-13 11:34

中国科大在功率电子器件领域取得重要进展: 中国科大微电子学院龙世兵教授课题组的五篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议报告。能源、信息、国防、轨道交通、电动汽车等领域的快速发展，对功率半导体器件性能提出了更高的要求，高耐压、低损耗、 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-13 11:31

【成员风采】优睿谱成功交付客户SICE200设备: 近日，上海优睿谱半导体设备有限公司（简称“优睿谱”）成功交付客户一款晶圆边缘检测设备SICE200，设备可用于硅基以及化合物半导体衬底及外延晶圆的边缘缺陷检测。图1：优睿谱成功交付客户SICE200设备图2：SICE200 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-13 11:27

三菱电机｜推出两款新型 SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 模块: 三菱电机株式会社昨日宣布，该公司已于 6 月 10 日起开始为大型工业设备（包括机车车辆和电力系统）出货低电流 3.3kV/400A 和 3.3kV/200A 版本的肖特基势垒二极管 (SBD) 嵌入式碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-12 09:58

韩国RFHIC向外延片供应商SweGaN投资: 瑞典林雪平的SweGaN AB与韩国的RFHIC公司建立了战略合作伙伴关系，后者主要设计并制造GaN射频和微波大功率半导体元件及混合模块，应用于无线通信、国防和航空航天、射频能源（工业、科学、医疗）。新协议包括RFHIC未 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-12 09:54

韩国首座8英寸SiC工厂开建: 6月5日，韩国首座8英寸SiC工厂在釜山开建，投资方为EYEQ Lab，规划产能为14.4万片/年，投产时间预计为2025年9月。EYEQ Lab成立于 2018 年 5 月，是一家功率半导体无晶圆厂公司。2022年，EYEQ Lab 实现营收 69 亿韩元 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-12 09:53

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