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极氪/沃尔沃：新型SiC设计可使400V汽车电控能耗降低58%: 近日，极氪和沃尔沃研究团队发表了一篇题为《基于最佳直流链路电压和同步升压转换器的电动汽车SiC电驱设计》文献。该团队通过对电驱系统中的功率损耗进行了全面的系统级分析，包括对电机损耗进行有限元分析，以及对 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-13 09:19

助力科技中国战略！盖泽参编的《埋层硅外延片》国家标准正式实施: 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会发布的GB/T 44334-2024《埋层硅外延片》国家标准，已于2025年3月1日正式实施。盖泽半导体参与了此次国家标准的起草工作，并与多家半导体产业龙头企业携手，共同完成了标 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-13 09:16

西湖大学孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法: 西湖大学未来产业研究中心、西湖大学工学院孔玮研究员开发出一种新方法，首次实现了β-Ga₂O₃ (100)面无斜切衬底上的单晶同质外延，展示了在β-Ga₂O₃基功率器件中的巨大应用潜力。相关工作以 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-13 09:13

论文推介丨超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展: 氧化镓(Ga2O3)作为一种超宽禁带半导体材料，禁带宽度达到4.9 eV，高于碳化硅的3.2 eV和氮化镓的3.39 eV。更宽的禁带宽度意味着电子需要更多的能量从价带跃迁到导带，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-12 09:35

Yole Power GaN 2024 报告解读: 近期，知名市场调研机构Yole发布了《2024年氮化镓市场报告》，“Power GaN 2024” 报告深入分析了氮化镓(GaN)功率器件的市场和技术趋势。报告预测了GaN功率器件在消费电子、通信基础设施、汽车和工业等领域的应用前 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-12 09:32

西电张进成教授等在金刚石高压功率器件领域取得重要进展: 近日，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、张金风教授研究组在超宽禁带半导体金刚石功率器件方向取得重要进展。在国际知名期刊《IEEE Electron Device Letters》上发表了题为“Integration of Oxidized Silico ...; 分类: 新闻通知 2025-3-12 09:30

“终极半导体”破局之路：大尺寸单晶金刚石衬底制备技术突破与挑战: 金刚石是由单一碳原子组成的具有四面体结构的原子晶体，属于典型的面心立方(FCC)晶体，空间点群为 oh7-Fd3m。每个碳原子以 sp3杂化的方式与其周围的 4 个碳原子相连接，碳原子密度 1.77×1023 cm-3，碳-碳键长 0.15 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-11 09:36

META 现实实验室 | 碳化硅填补了电子学和光子学之间的空白: 最近碳化硅半绝缘衬底被应用在AR眼镜市场的新闻热度持续走高，今日，META 现实实验室发布了一篇文章，来介绍增强现实（AR）设备有望加速碳化硅（SiC）采用的具体情况，我们先来看看这篇文章的内容：以下是原文转译： ...; 分类: 新闻通知 2025-3-11 09:28

瀚天天成：8英寸SiC产线已建成，正式采购设备: 3月7日，据“中国（福建）自由贸易试验区厦门片区管理委员会”发文，瀚天天成的8英寸碳化硅外延晶片厂房已完成建设。据该报道，2月28日，瀚天天成董事长赵建辉对外表示，该公司新的8英寸碳化硅外延晶片厂房已完成建 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-11 09:20

英飞源：充电+储能双突破，2025年剑指46亿: 我们邀请到了英飞源战略营销高级总监鲁力，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。充电桩呈现三大特征：英飞源市占率、超充合作、国际化成绩显著行家说：如果用三个关键词来概括过去一年充电桩行业的发展情况， ...; 分类: 新闻通知 2025-3-10 10:32

政府工作报告提及具身智能，氮化镓大有可为: 3月5日，国务院总理李强作政府工作报告，提出因地制宜发展新质生产力，建立未来产业投入增长机制，培育生物制造、量子科技、具身智能、6G等未来产业。资料显示，具身智能（Embodied Intelligence）是指智能系统通过 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-10 10:26

北京企业自研高性能SiC检测设备填补国内空白: 据京报网最新消息，近日，在国内电气检测设备领域，北京博电新力电气股份有限公司（以下简称“博电科技”）取得了一项重大突破。该公司董事长陈卫近日透露：博电科技自主研发的高性能SiC电网模拟器等产品，成功填补 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-10 10:19

比亚迪、长安自研SiC新进展：1200V沟槽、流片下线: 近日，比亚迪及长安汽车在车规SiC MOSFET主驱芯片的研制上均宣布了新进展——比亚迪：开始瞄准高耐压领域，宣布将开发1200V 沟槽SiC MOSFET；长安汽车：SiC功率芯片进入了流片下线新阶段，加速产业化落地。比亚迪、 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-10 09:22

GaN车规应用提速，比亚迪、广汽埃安布局: 近期，比亚迪、广汽埃安两家车企又相继公布了氮化镓应用进展：比亚迪大疆：车载无人机采用氮化镓技术3月2日，比亚迪、大疆共同发布了智能车载无人机系统——灵鸢，作为全球首款高度集成的车载无人机系统，灵鸢系统具 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-7 10:32

加码中国市场，碳化硅龙头博世汽车苏州基地正式建成投产！: 近日，据博世汽车电子事业部最新消息，博世汽车电子中国区（ME-CN）在苏州五厂建成碳化硅（SiC）功率模块生产基地，这标志着其碳化硅（SiC）功率模块生产进入新阶段。据悉，该基地总投资约70亿人民币，聚焦新一代碳 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-7 10:30

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