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【成员风采】天科合达总经理杨建：碳化硅晶片的“换道超车”: 2006年，杨建作为创业团队带头人，和中国科学院物理研究所研究团队紧密合作，创立了天科合达，在国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品的研发、生产和销售。1月24日，杨建站在天科合达位于北京大兴的公 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-12 09:53

宽禁带半导体硬科技路演主题活动成功举办！: 为进一步发挥宽禁带联盟桥梁纽带作用，凸显宽禁带半导体领域的专业与产业优势，强化技术赋能效果，推动产业链条上各企业间创新合作，搭建企业与用户对接交流平台，宽禁带半导体技术创新联盟特别推出宽禁带半导体硬科 ...; 分类: 联盟动态 2024-6-12 09:37

成功举办 | 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛圆满闭幕！: 2024年6月5日-7日，2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛在北京·亦庄格兰云天国际酒店盛大召开。本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟主办，北京北方华创微电子装备有限公司、北京天科合达半导 ...; 分类: 联盟动态 2024-6-11 10:18

金刚石晶格，Science！精确度前所未有！: 近日，慕尼黑大学Gregor Posnjak和Tim Liedl等人展示了由 DNA 折纸自组装而成的三维光子晶体，其充当精确可编程的斑片胶体。研究人员基于DNA的纳米级四足体结晶成棒状连接的金刚石立方晶格，周期为170纳米。这种结构 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-11 09:43

一批半导体企业重要签约&融资&项目新进展: 获悉：近日苏州紫芯微电子有限公司开业项目签约，蔚来获15亿战略投资能源总部落户武汉，通嘉宏瑞宣布完成Pre-B轮融资，博特蒙电机新建二期项目开工，大马丁科技车载柔性玻璃显示面板项目投产，长高智汇电子信息产业 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-11 09:41

思锐智能完成B+轮融资: 近日，ALD镀膜等半导体前道工艺设备厂商思锐智能完成B+轮融资，本轮投资方为青松资本，中金资本、中车四方所、中车资本、石溪资本、千帆资本等知名机构。思锐智能主要聚焦关键半导体前道工艺设备的研发、生产和销售 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-11 09:39

吉利汽车与半导体龙头签署SiC长期供应协议: 6月4日，意法半导体（ST）官微宣布，公司已与吉利汽车签署碳化硅（SiC）器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。source：吉利按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-11 09:18

SiC抛光材料厂商普瑞昇完成数千万元融资: 6月1日，据中南创投基金官微消息，无锡普瑞昇新材料科技有限公司（以下简称普瑞昇新材料）于5月30日完成数千万元PreA轮融资。普瑞昇新材料本轮融资中，其老股东诺延资本、中南创投基金、无锡云林基金继续加持。sourc ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:23

这座8英寸SiC晶圆厂三菱电机将提前5个月开始运营: 近日，三菱电机在业绩说明会上表示，为响应强劲的市场需求，公司位于熊本县正在建设的SiC晶圆厂将提前开始运营。该工厂的运作日期从2026年4月变更为2025年11月，运营时间提前了约5个月。据悉，2023年3月，三菱电机宣 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:20

意法半导体在欧洲建设8英寸全集成碳化硅工厂: 5月31日，意法半导体宣布将在意大利卡塔尼亚将新建一座大批量 200 毫米碳化硅制造工厂，总投资50亿欧元，其中意大利政府在欧盟芯片法案框架下提供 20 亿欧元支持。新工厂计划于 2026 年开始生产，到 2033 年达到满负 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:19

对话芯联集成总经理赵奇：8英寸碳化硅“器件制造”难在哪里？: 5月30日，国内晶圆代工巨头芯联集成总经理赵奇接受了《每日经济新闻》在内的媒体的采访。芯联集成为汽车、新能源、工控、家电等领域提供完整的系统代工解决方案，其为国内具备车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）/SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:17

【参会须知】倒计时2天！2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: ——凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛尊敬的各位参会代表：欢迎您参加凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰，会议将于6月5日-7日，北京·亦庄格 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-4 09:14

氨热法 GaN 单晶生长及位错演变: 1.GaN单晶衬底制备方法介绍目前，制备GaN单晶衬底的方法主要有氢化物气相外延 (hydride vapor phase epitaxy，HVPE)法、氨热法和助熔剂法。HVPE 中可以用侧向外延生长技术和增加晶体生长厚度来降低位错密度，可将位 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:27

氨热法 GaN 单晶生长及位错演变: 1.GaN单晶衬底制备方法介绍目前，制备GaN单晶衬底的方法主要有氢化物气相外延 (hydride vapor phase epitaxy，HVPE)法、氨热法和助熔剂法。HVPE 中可以用侧向外延生长技术和增加晶体生长厚度来降低位错密度，可将位 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:27

GaN厂商合作案+2: 近期，GaN产业各类动态让人目不暇接，涉及技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等方方面面，而在近日，GaN产业链又新增两起合作案例，这在-定程度上显示了GaN产业热度正在持续上涨CGD与ITRI签署GaN电源 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:21

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