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青禾晶元 | 高质量晶圆级绝缘体上碳化硅（SiCOI）制备取得重大突破: 近日，国内领先的半导体材料异质集成技术企业青禾晶元宣布，在绝缘体上碳化硅（SiC-on-Insulator，简称SiCOI）材料的制备技术上取得了重大突破，成功实现了高质量晶圆级SiCOI的规模化生产。这一成就不仅标志着青禾晶 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:58

实验多尺度结合揭示金刚石中辐照-退火方法制备NV色心的微观机制: 研究背景金刚石中的NV色心（Nitrogen-Vacancy），是由一个置换氮原子和一个相邻的碳空位组成的，可以实现纳米级的空间分辨率和皮特斯拉级的高灵敏度，在量子传感、量子计算、生物荧光标记、温度传感和磁场测量等方面 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:57

阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率: 译自原文Low contact resistivity at the 10−4 Ω cm2 level fabricated directly on n-type AlN原文作者Haicheng Cao ; Mingtao Nong ; Jiaqiang Li ; Xiao Tang ; Tingang Liu ; Zhiyuan Liu ; ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:53

升华方法使用CVD-SiC块料源快速生长SiC单晶: 摘要通过采用CVD-SiC再生块作为SiC源，成功生长了1.46 mm h的SiC晶体，生长速率高达1.46 mm h通过PVT方法。生长晶体的微管密度和位错密度表明，尽管其生长速率高，但晶体质量良好。碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:46

浅述晶圆减薄抛光: 随着新能源汽车、轨道交通、消费电子等行业的快速发展，市场对于高端芯片和功率器件的性能和需求越来越高。电子信息制造是集成全球前瞻技术、带动范围最广的产业，半导体材料作为集成电路的重要载体，推动着当今经济 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:36

普兴电子：积极推进6 英寸碳化硅外延片产业化项目: 近日，河北普兴电子发布了6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目的环境影响评价第二次公示，项目正在稳步推进中。公司简介：河北普兴电子科技股份有限公司成立于2000年11月，是由中电科半导体材料有限公司控股的一 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:33

既要高效又要低损伤，金刚石衬底的精密加工应该怎么做？: 随着量子信息、人工智能等高新技术的飞速发展，半导体技术也在不断更新迭代。从第一代半导体硅(Si)和锗(Ge)，到第二代的砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)，再到第三代的碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)，我们现在 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:32

SiC功率器件之争，8英寸是重要拐点？: 近期，全球主要SiC功率器件供应商英飞凌宣布正式启用其位于马来西亚居林工厂第三厂区的8英寸SiC晶圆制造厂一期产线，并已为接下来的8英寸SiC功率器件的量产做好准备。英飞凌官方透露，这一项目总建筑面积为131477平 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:29

赛米控丹佛斯与罗姆强化深度合作: 8月22日，据赛米控丹佛斯官微消息，赛米控丹佛斯和罗姆将强化合作伙伴关系，双方将基于低功率芯片，扩展低功率模块产品。赛米控丹佛斯和罗姆将这些芯片导入MiniSKiip、SEMITOP E、SEMITRANS等IGBT模块产品中，为客户 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:20

Update!APCSCRM 2024|报告嘉宾、展商名录更新...快来看看都有谁~: 关于会议About APCSCRM 2024亚太碳化硅及相关材料国际会议是亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平国际会议，会议围绕碳化硅等宽禁带半导体材料前沿技术研究、产业链合作发展，为参会企业和观众提供集产品展示 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:19

安森美如何“榨干”SiC器件潜能？这几种封装技术提供了参考范例: 随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅（SiC）产业生态正迅速发展，逐渐成为替代传统硅基功率器件的有力 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 09:40

宽禁带科技论|4英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆成功制备!: CuNi(111)/蓝宝石衬底表面超平整单晶氮化硼的制备示意图（图片来源：深圳理工大学）对于半导体场效应晶体管（MOSFETs）等电子器件而言，高质量的沟道-栅介质界面首先有助于减少电子和空穴捕获效应，从而提高器件的开 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 09:09

SiC的物理特性: 与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:23

AlYN/GaN？新型半导体材料AlYN 有望实现更节能、更高频的电子产品: 近日，弗劳恩霍夫应用固体物理研究所 (IAF)的研究团队成功在4 英寸 SiC 基板上采用低成本的MOCVD 工艺(金属有机化学气相沉积)外延生长出了 AlYN/GaN异质结构。据研究人员称，这为开发新的、更多样化的电子产品应用提 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:22

举办2024第五届“科创中国”科技创新创效大赛半决赛路演的通知: 各相关单位：由中国科协企业创新服务中心，中关村产业技术联盟联合会主办；北京市科委、中关村管委会，北京市科协，北京市欧美同学会（北京市留学人员联谊会），中关村科学城管委会支持的2024第五届“科创中国”科技 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:18

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