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研报 | 2025年第四季度全球电动车牵引逆变器装机量创新高: 根据TrendForce集邦咨询最新电动车牵引逆变器研究，2025年第四季因纯电动车(BEV)销量较前一年同期成长，带动全球逆变器市场装机量攀升至965万台左右，创近两年新高，反映出电动化趋势与单车电驱系统搭载率持续提高。 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:25

美国桑迪亚国家实验室在AlN基AlGaN射频与横向功率晶体管领域取得突破性进展: 超宽禁带（UWBG）AlGaN合金（Al组分 xAl 0.50）因其固有的高临界电场强度，以及由此产生的、优于当前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的约翰逊优值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高频（ 90 GHz）射频 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:24

Smart Cut™ SiC衬底工艺研究: 今天这篇，2026年新鲜出炉的文章，来自Soitec公司，主要内容是研究Smart Cut™ SiC衬底工艺，先介绍背景，过去数年，电动汽车市场的快速增长给SiC衬底供应链带来了巨大压力，尽管SiC器件是各类绿色技术的核心部 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:23

氮化镓与英伟达的800V数据中心愿景: 随着人工智能的飞速崛起及其配套数据中心的广泛部署，数据中心的设计模式正在发生根本性变革。这种变化不仅体现在计算密度和散热需求上，更深入到了电力传输的底层架构。过去，单个机柜的功率仅为几十千瓦，而现在正 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:21

西电、武大、青禾晶元联合突破：GaN-on-Diamond技术获重要进展: 随着5G通信、雷达、电动汽车以及航天等领域的发展，氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）正成为高频、高功率器件的核心。然而，随着功率密度不断提升，自热效应已成为制约器件性能的关键瓶颈。在所有散热材料中 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:19

SK｜8英寸SiC foundry怎么做？: 最近，SK keyfoundry发布新闻称：宣布完成 SiC Planar MOSFET 工艺平台，电压覆盖 450V–2300V；并拿到新客户 1200V SiC MOSFET开发订单，标志其“全规模进入”SiC foundry。同时SK keyfoundry把良率90%和定制化工 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:18

超亿元融资加持！晶镓半导体全速推进氮化镓衬底产业化进程: 近日，山东晶镓半导体有限公司圆满完成Pre-A轮融资，本轮融资获得多家知名产业与投资机构加持，山东省新动能、兴橙资本、源创多盈、历城财金、北京芯启航等知名新晋投资机构重磅加盟，济南市产发科创投、深圳合创、 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-19 09:15

天成半导体成功制备出14英寸碳化硅单晶材料: 企业资讯新春伊始，天成半导体以“马力全开”的干劲跑出“加速度”，顺利实现“开门红”。继12英寸双突破后，依托自主研发设备成功研制出14英寸碳化硅单晶材料，有效厚度达30㎜。14英寸碳化硅原生晶锭天成半导体 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:41

宽禁带科技论| 西安交通大学：碳化硅功率器件的封装与集成: 背景介绍碳化硅（SiC）功率器件被誉为电力电子领域的变革性技术。凭借宽禁带（3.26 eV）、高临界击穿场强（2.8 MV/cm）和高饱和电子漂移速度（2×10⁷ cm/s）等材料优势，SiC器件能够在更高电压、更高频率和更 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:39

GaN基极化栅控光电晶体管实现紫外光到蓝光的可视化预警: 广东工业大学张紫辉教授团队：GaN基极化栅控光电晶体管实现紫外光到蓝光的可视化预警紫外线（UV）在杀菌消毒、光通讯、生物传感等领域应用广泛，但其高能量辐射也对人体健康构成严重威胁，可导致DNA损伤、皮肤老化甚 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:35

Bosch 定调 SiC 未来五年：Gen3/4/5 怎么改？什么时候落地？难点在哪: 过去两年，很多人谈碳化硅，还是一句话：被800V 电驱带飞。但如果你最近在项目里真的上过 SiC，就会发现另一个更现实的问题：当器件性能继续往上卷时，限制系统上限的往往不再是“有没有更低的 Rds(on)”，而是能不 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:29

富加镓业外延片助力氧化镓“材料-器件-应用”全产业链深度迭代: 杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）联合上海功成半导体科技有限公司（以下简称“功成半导体”），围绕第四代半导体氧化镓产业化核心技术开展 “材料-器件-应用” 全产业链协同攻关，目前已进入器件验 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-17 09:27

APL丨日本NCT：利用同步辐射X射线拓扑成像与发射显微镜表征HVPE生长(⁠-102) β- ...: 由日本NCT的仓又朗人董事长、佐佐木公平技术总监领导的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Structural and electrical characterization of homoepitaxial (⁠-102) β-Ga2O3 layers g ...; 分类: 新闻通知 2026-3-11 09:56

郑州大学：在纳米金刚石中的非晶化诱导塑性变形领域取得又一突破: 单崇新教授团队刚发完Nature，首次合成纯块体六方金刚石。仅仅相隔一天，单崇新教授团队再发Nature子刊，在纳米金刚石中的非晶化诱导塑性变形领域取得又一突破！第一作者：Jiaqi Zhang通讯作者：程少博、陆洋、单崇 ...; 分类: 新闻通知 2026-3-11 09:52

宽禁带科技论| IEEE：通过金刚石晶圆键合改善氮化物器件散热性能: 论文信息：N. Shigekawa, J. Liang and Y. Ohno, "Wafer Bonding of Diamond for Improving Heat Dissipation of Properties of Nitride Devices," 2025 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ), Kyoto, Japan, 2025, ...; 分类: 新闻通知 2026-3-11 09:49

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