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关于宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会委员增补名单的公示: 为构建进一步提升团体标准对产业生态系统的整体支撑和引领作用，加强多层次标准化人才队伍建设，宽禁带联盟结合实际情况，于2024年2月-4月面向社会增补宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会专家，经各单位自愿申报 ...; 分类: 公告通知 2024-5-22 16:37

近61亿，新增2个SiC工厂Coherent、青岛蓝谷投资发展集团: 近日，据了解，Coherent有新建SiC厂的动作，而国内一SiC项目基地也宣布首栋单体封顶，详情请往下看。Coherent：将在越南投资建SiC厂5月16日，据越南媒体消息，越南同奈工业园区截至2024年5月中旬吸引投资的总资本接 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-21 10:25

涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺: 【摘要】氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-21 10:16

GaN企业EpinovaTech出售股权，曾与大众汽车开展车规合作: 5月14日，美国投资机构Greenbridge宣布，他们将收购瑞典一GaN功率器件厂商EpinovaTech AB超50%的股权，该交易预计在2024 年第二季度完成。据介绍，EpinovaTech成立于2019年，总部位于瑞典隆德，专注于生产制造制造基 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-21 10:04

金刚石热沉与半导体器件连接技术研究现状与发展趋势: 摘要半导体器件的集成化和小型化不可避免地导致散热问题发生。热量的持续累积威胁着电子的性能、稳定性和寿命。因此，提高电子器件的散热能力对其稳定运行至关重要。金刚石作为一种高效的散热衬底，具有众多无可比 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-21 09:53

【邀请函】睿倍特电子邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-21 09:07

6月5-7日北京，2024宽禁带半导体行业领袖共话发展，共创繁荣！: 过去的2023年见证了宽禁带半导体产业的迅猛增长。市场方面需求旺盛，国内龙头企业与国际芯片巨头建立长期合作；技术方面，碳化硅、氮化镓等材料创新突破，8英寸衬底逐步得到市场认可，同时，产能扩张，多家厂商实现 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-21 09:02

「新品」面向主驱应用，芯塔电子正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET: 近日，芯塔电子正式推出新品1200V/14mΩ SiC MOSFET(TM3G0014120)，主要应用于电动汽车主驱功率模块。此举使得芯塔电子跻身为国内极少数可批量提供大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的碳化硅器件厂商之一。芯塔电子团 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-20 10:00

【成员风采】优艾智合机器人强势入围2024 IERA大奖: 近日，2024机器人自动化发明与创业奖（IERA）重磅发布，来自中国的半导体工业物流解决方案商优艾智合从全球机器人竞争者中脱颖而出，获得奖项提名。IERA奖项由IEEE机器人与自动化协会（IEEE/RAS）和国际机器人联合会 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-20 09:59

泰克先进半导体开放实验室再升级，开启功率器件测试新篇章: 　　5月16日，泰克先进半导体开放实验室宣布，经过全面升级后，推出Version 2.0并于当日揭幕。　　“此次升级不仅是技术解决方案的飞跃，更是对创新精神的一次深刻体现，旨在扩展全面的测试能力，提供一站式解决方案 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-20 09:56

天成半导体邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-20 09:24

联合精密/津裕丰/惠丰钻石/众硅科技/中电科风华齐聚！共同邀请您参会2024宽禁带半导体 ...: 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于6月5日-7日在北京格兰云天国际酒店隆重举办，会议将围绕“凝芯聚力，降本增效”主题，聚焦产业链关键领域，涵盖材料、装备、器件等，与业界精英共同探讨降本增效 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-20 09:12

【联盟动态】团体标准《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》正式发布: 2024年5月17日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《碳化硅晶片边缘轮廓检验方法》。近年来，随着碳化硅需求量急剧增加，碳化硅晶片边缘相关问题得到广泛关注，在半导体产业中碳化硅晶片的生产制 ...; 分类: 公告通知 2024-5-20 08:59

英诺赛科发布700V GaN合封系列新品: 5月16日，据英诺赛科官微消息，其宣布推出700V GaN合封系列新品ISG610xQA。据英诺赛科介绍，该系列新品针对消费电子领域定制开发，具备超高集成度，支持45W/60W/100W/140W等手机、平板、笔记本快充应用。据介绍，该 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-17 10:12

SiC单晶生长中位错是如何产生、转变及湮灭的？: 来源：先进半导体材料*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-5-17 10:09

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