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研制成功！我国团队在氧化镓领域取得重要进展: 2月27日，从兰州大学获悉，该校物理科学与技术学院联合中科大组成的研究团队在宽禁带半导体光电探测领域取得重要进展，成功开发出一种同时具备超快、超灵敏响应的氧化镓（Ga₂O₃）日盲光电探测器，有效破 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-3 09:16

研究论文 | 面向增强型HEMT功率器件的高质量6英寸氮化铝单晶复合衬底: 近年来，氮化铝以其超宽直接带隙 (~6.2 eV) 和c轴高声速等优异物理特性备受行业关注，特别是其与氮化镓材料的物理兼容性，使得氮化铝缓冲层成为氮化镓基LED外延过程中降低外延成本的最有力解决方案。但氮化铝固有的 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-28 09:22

英飞凌预测2025年GaN功率半导体应用趋势: 近期，英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》，针对氮化镓（GaN）功率半导体在消费电子、储能、移动出行、电信基础设施等领域的应用以及未来前景展望做出了详细解读。source：英飞凌官网英飞凌指出，氮化镓功率 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-28 09:06

三个SiC相关项目迎来最新进展，投产/封顶/签约落地...: 近期，碳化硅相关领域项目进展不断，从博来纳润 CMP 材料项目封顶，到智新半导体 SiC 模块封装产线取得新进展，以及高裕电子签约落地第三代半导体可靠性测试设备生产基地项目，各项目纷纷迎来重要节点。博来纳润：CM ...; 分类: 新闻通知 2025-2-27 09:23

飞仕得：精研SiC测试方案，为器件全生命周期保驾护航: 我们邀请到了飞仕得设备事业部CTO刘伟博士,更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。SiC产业链需探索降本路径器件测试与筛选为关键环节行家说三代半：据行家说Research预估，2024年SiC功率半导体市场同比增长14%左 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-27 09:22

单机SiC用量超480颗！eVTOL市场未来可期？: 2月20日，国外媒体“RealIZM 博客”报道了一个eVTOL垂直升降飞行器的碳化硅电控设计，在碳化硅技术方面，该电控有2个亮点：▲ 单个电控的SiC MOSFET芯片用量合计60颗，而且整个eVTOL需要用到8个电机电控，合计芯片用 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-27 09:21

欢迎新成员——浙江星辉新材料科技股份有限公司: 浙江星辉新材料科技股份有限公司（以下简称“星辉新材”）成立于2019年6月，是一家拥有碳纤维保温材料和碳/碳复合增强材料完整产业链的国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业。公司的主营产品有高性能碳纤 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-27 09:15

1000公里续航：小鹏飞行汽车背后的SiC黑科技: 引言：当碳化硅遇上飞行汽车，一场出行革命正在上演2024年2月23日，小鹏汇天宣布其“陆地航母”陆行体在牙克石完成冬季测试，正式进入验收阶段。这款集陆行与飞行于一体的未来交通工具，不仅凭借六电机驱动、全域800 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-26 09:06

富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能优异，同步推出长晶设备: 杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。在高精度的热场仿真技术强力支持下 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-26 09:05

征世科技成功研发2英寸单晶金刚石晶圆: 2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下简称：征世科技）宣布成功研发出2英寸（1英寸=2.54 cm）单晶金刚石晶圆，如图1所示。这一重大突破标志着征世科技在单晶金刚石领域的技术已达到国际先进水平，为未来宽 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-26 08:58

征世科技成功研发30 mm×55 mm单晶金刚石散热片: 2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下简称：征世科技）宣布在单晶金刚石散热片领域取得重大突破，成功研发出尺寸达30 mm×55 mm的单晶金刚石散热片。这一成果标志着征世科技在散热材料领域的技术已达到国 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-25 10:00

宽禁带科技论|湖南大学&湖南师范大学：构建氧化镓薄膜的可控掺杂方法和高性能光电探 ...: 研究背景超宽禁带半导体Ga2O3因其卓越的光电性能（较高的击穿场强、良好的热稳定性以及直接对应日盲紫外波段的光谱响应范围）而成为下一代功率电子和光电器件的关键材料。而无意掺杂的Ga2O3薄膜通常含有许多深能级缺 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-25 09:55

转折点到来：GaN正一步步超越传统Si MOSFET: GaN功率晶体管正处于一个转折点。在这个关头，任何微小的变化或行动都会导致重大且通常不可逆转的影响，这些器件的未来已经到了不归路，情况发生了巨大变化。这个转折点是在GaN晶体管十多年的批量生产之后出现的。自 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-24 09:19

SiC MOSFET：了解等离子体氮化的优势: 通过等离子体氮化工艺形成的SiC和SiO2退火界面可减少界面态并提高对正栅极偏置应力的抗扰性大阪大学的工程师们对形成SiC MOSFET关键界面的新方法的优势提出了新见解。该团队刚刚确定，其方法（包括SiC表面的等离子体 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-24 09:13

Resonac（力森诺科）：迎接8英寸SiC机遇，开拓更广阔市场: 我们邀请到了Resonac（力森诺科）SiC事业部统括部长Mr. Daisuke Shiomi，为我们更好地解读产业格局，探索未来的前进方向。电动汽车持续增长SiC发展路径愈发清晰行家说三代半：据行家说Research预估，2024年SiC功率半 ...; 分类: 新闻通知 2025-2-24 09:12

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