中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

74款SiC车型亮相北京！产业格局悄然大变: 根据官方信息，本次北京车展上的新能源车型达到278款。“行家说三代半”花费了2天时间统计，发现本次车展上的碳化硅车型约有74款，占整个车展新能源车型的26.6%。透过本次车展，“行家说三代半”窥视到与碳化硅产业 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-29 10:04

精进电动：高功率碳化硅三合一电驱动总成: 精进电动高功率高效高安全性三合一电驱动总成系列，集成方导体电机，碳化硅控制器和高效减速器，系统最高输出扭矩6100Nm，输出功率可达300kW；总成采用主动润滑油水复合冷却技术，增强系统在高速阶段的持续功率输出 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-29 09:41

力冠微电子邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-29 09:20

利润同比增长 209%！这家外延设备厂商为什么这么赚钱？: 今日，Aixtron发布公司季度报告，继 2023 年第四季度出货量创纪录之后， 2024 年第一季度Aixtron收入同比增长 53%，达到 1.183 亿欧元（2023 年第一季度：7720 万欧元）。之前发布的第一季度收入在 1 亿欧元至 1.2 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-28 09:28

光伏头部企业禾望电气宣布：全系采用SiC，还投资了2家SiC企业: 4月25日，光伏逆变器头部企业——禾望电气发文称，“目前，禾望电气已率先将第三代宽禁带半导体-碳化硅材料应用于光伏逆变器。”据介绍，目前，禾望电气已实现3kW~385kW组串式逆变器全系列搭载碳化硅，最大单路MPPT ...; 分类: 新闻通知 2024-4-28 09:07

【邀请函】新东方晶体邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-28 09:03

议程来啦！2024前沿技术大讲堂暨“高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班: 为探讨宽禁带半导体技术创新与应用的最新进展，深入剖析该领域的关键技术问题及解决方案，进一步推进国内宽禁带半导体产业蓬勃发展。由中华人民共和国科学技术部指导，京津冀国家技术创新中心等主办，中关村天合宽禁 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-28 08:58

厚德钻石邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 14:02

碳化硅很火，但不挣钱？: 最近，一则消息引发芯片圈和投资圈集体焦虑，全球最大碳化硅（SiC）制造商Wolfspeed股价自1月以来已暴跌近50%，而美国激进投资公司Jana Partners给Wolfspeed北美总部董事会发了一封信，敦促这家公司探索一切提高股东 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 13:59

SiC MOSFET方案：5kW 高效率无风扇逆变电路: 文章来源：罗姆（ROHM）半导体摘要：采用了发挥碳化硅(SiC)MOSFET 高频特性的 Trans-link 交错型逆变电路(1)、实现了 5kW 时的功率转换效率达到 99%以上。在该电路拓扑中，平滑电抗器的电感量可以减小。由于电抗器的 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 13:56

【成员动态】2个SiC工厂有新动态，均宣布扩产: 近期：有2个SiC工厂有新动态，均宣布扩产：● 泰科天润：扩建6吋SiC项目，新增投资1亿元；● Vishay：完成对安世半导体NWF晶圆厂的收购，已购置爱思强SiC设备正式扩产。泰科天润：追投1亿扩建SiC项目近日，泰科天润 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-26 13:47

氮化镓功率器件的技术路线: 氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于使用较低的Rds ...; 分类: 新闻通知 2024-4-25 10:19

双沟槽SiC MOSFET重离子单粒子效应: 摘要：本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验, 分析了器件产生单粒子效应的物理机制。实验结果表明, 辐照过程中随着初始偏置电压的增大, 器件漏极电流增长更明显; ...; 分类: 新闻通知 2024-4-25 10:09

【邀请函】广州粤升邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-25 09:58

衬底“突围”，碳化硅五巨头的产能博弈: 4月22日，ROHM 和意法半导体宣布，双方将在意法半导体与罗姆集团旗下SiCrystal公司现有的150mm（6英寸）碳化硅（SiC）衬底晶圆多年长期供货协议基础上，继续扩大合作。根据新签署的长期供货协议，SiCrystal公司将对 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-24 11:26

1 ... 61 62 63 646566 67 68 69 ... 253 / 253 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部