中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

通用半导体：SiC晶锭激光剥离全球首片最薄(130um)晶圆片下线: 江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度的超薄SiC晶圆片。该设备可以实现6寸和8寸SiC晶锭的全自动 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:53

住友推出孔隙辅助自支撑GaN: 日本住友化学工业株式会社开发了一种孔隙辅助分离（PAS）法，用于制造自支撑氮化镓（GaN）衬底。研究人员评论道：“我们预计，所提出的方法将为实现具有良好生产率的更大尺寸自支撑GaN衬底开辟一条道路。”住友认为 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:52

GaN正在加速电机驱动中的应用: 无刷直流电机（BLDC）在机器人、电动工具、家电和无人机中的应用越来越多。这些应用要求设备具备轻便、小巧、低转矩脉动、低噪音和极高的精度控制。为了满足这些需求，驱动电机的逆变器需要以更高频率运行，同时需要 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:18

8英寸SiC晶圆线或达30条，衬底磨抛有哪些痛点？: 今天，我们将聚焦8英寸碳化硅的切磨抛环节，并邀请到京创先进、惠丰钻石2家设备端材料端企业，为我们来解答8英寸时代加工难点与降本路径。究竟8英寸碳化硅会在切磨抛环节面临哪些问题？目前的工艺技术如何实现降本增 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:11

宽禁带科技论|北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展: 近日，功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)在德国不来梅市举行。本届ISPSD共收到论文投稿338篇，录用141篇，其中口头报告录用42篇。北京大学 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-15 09:06

SiC MOS新技术，沟道迁移率有望提升5倍: 众所周知，SiC MOSFET的研发重点之一就是提高栅氧界面（SiO2/SiC）的沟道迁移率，以及降低界面缺陷以提升器件可靠性。近日，业界又有一项新技术在这方面实现了新的突破。东京大学、三菱电机的研究人员在《AlP Advanc ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:40

CMP抛光垫热销揭秘：不是所有垫子都“爆卖”！: CMP抛光垫：抛光液的天生“搭档”化学机械抛光(CMP)可实现整个晶片表面上行的全局和局部平坦化。在CMP的操作模式中，由抛光垫表面粗糙度、浆料研磨剂纳米颗粒和晶片表面引起的三体接触导致晶片表面材料均匀地去除， ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:39

6月碳化硅行业“看点”：8英寸入局“混战”: 碳化硅，正受到越来越多新能源汽车厂商的重视。碳化硅器件在高温、高压、高频等方面的优异性能与消费者对新能源汽车快充和续航方面的需求相吻合，并逐渐成为新能源汽车逆变器及充电设备的首选材料，融合程度持续加深 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:34

宽禁带科技论|电子科技大学研究团队在NiO/β-Ga2O3异质结晶体管退化模型和可靠性加固 ...: NiO/β-Ga2O3异质结的形成在一定程度上缓解了氧化镓p型掺杂缺失这一关键问题，然而，突变的NiO/β-Ga2O3异质结可能带来的非理想因素如界面态和空间电荷区中的缺陷等可能产生严重的陷阱效应，因此，研究NiO/β-Ga2O3 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-11 09:15

全12种！ | CVD 技术全介绍！: 来源：先进半导体材料*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:22

谁将赢得宽带隙之战？: 氮化镓和碳化硅正在争夺主导地位，它们将减少数十亿吨温室气体排放。先进的半导体能减少温室气体排放，在遏制气候变化的斗争中发挥重要作用吗？答案是非常肯定的。这种变化实际上正在发生。大约从2001年开始，化合物 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:14

电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析: 摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:10

“金刚石+氧化镓”助力更高性能射频器件: 由日本九州大学、日本国家先进工业技术研究所 (AIST)、九州工业大学、埃及阿斯旺大学和日本日埃科技合作中心 (E-JUST 中心) 的组成的联合研究团队，报道了“利用射频磁控溅射在单晶金刚石（111）晶圆上异质外延生长 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-10 09:02

日本立命馆大学采用电化学机械抛光技术，SiC抛光效率可提升10倍: 近日，日本立命馆大学（Ritsumeikan University）一研究团队开发了一种新型的ECMP（电化学机械抛光）技术，实现了约15μm/h的材料去除率，使得SiC抛光得到大幅度提升。该团队开发的这种技术，在抛光过程中，碳化硅衬 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 09:07

氮化镓，取得了新的突破: 7月4日，名古屋大学证实，通过GaN和金属镁（Mg）之间的简单热反应形成了独特的超晶格结构，可以提高P型GaN基器件的性能。该成果是YLC特聘助理教授王佳和名古屋大学先端研究所/未来材料与系统研究所Hiroshi Amano教授 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 09:03

1 ... 61 62 63 646566 67 68 69 ... 267 / 267 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部