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爱仕特科技：SiC MOS在新能源汽车上的应用: 近日，深圳爱仕特科技有限公司应用开发总监：余训斐围绕《SiC MOS在新能源汽车上的应用》的主题，针对当前新能源汽车市场趋势、SiC MOS特性与优势、SiC MOS在新能源汽车上的应用等进行演讲分享，对当前半导体行业与 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 08:56

西电广州研究院第三代半导体创新中心攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术: 近期，西安电子科技大学广州研究院第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN G ...; 分类: 新闻通知 2024-7-9 08:52

吉利学院：宽禁带半导体行业趋势及变化: 近日，吉利学院智能网联与新能源汽车学院：副教授周虎围绕《宽禁带半导体行业趋势及变化》的主题，针对功率半导体发展的路径、SiC碳化硅与GaN氮化镓当前应用背景与技术路线、宽禁带半导体未来的变化趋势以及应用表现 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:16

快讯 | 再增3倍产能，罗姆旗下衬底厂SiCrystal新厂房奠基: 作为加强半导体行业和推广可持续技术的重要一步，SiCrystal GmbH今日发布消息称，公司将在纽伦堡东北部当前场地正对面创建一个新的额外生产空间。新大楼将额外提供6,000平方米的生产空间，并将配备尖端技术，以进一 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:10

技术向 | 浅谈SiC功率器件动态偏压可靠性测试: 1.概述SiC功率器件的动态特性及栅极长期可靠性问题存在诸多挑战，特别是其偏压温度不稳定性（Bias Temperature Instability，BTI）所引起的阈值电压Vth漂移问题更为复杂。因此，需要对SiC功率器件的可靠性进行测试， ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 09:08

宽禁带科技论|使用激光图案化衬底方法在Ir/YSZ/Si (001)复合衬底上制备2英寸自支撑金 ...: 作为一种超宽带隙半导体材料，金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高、载流子饱和漂移速度大、临界击穿场强大、热导率高等优点，非常适合用于制备高频、大功率、耐高温、抗辐照的电子学器件以及深紫外波段的光电子器 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-8 08:59

SiC MOSFET驱动特性及器件国产化后的影响分析: 文章来源：电源学报作者：姚常智（中国电源学会学生会员），张昊东，申宏伟，王建军（北京航天发射技术研究所）摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET作为一种新型，广泛应用的开关器件，在实际应用 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-5 11:16

美国利哈伊大学：开发新型半导体材料，为更军事雷达系统提供动力: 美国宾夕法尼亚州的利哈伊大学（Lehigh University）的材料科学与工程系助理教授Siddha Pimputkar博士获得了来自DEVCOM陆军研究实验室的110万美元资助。这笔资金将用于开发用于雷达系统的超宽带隙（UWBG）半导体材料 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-5 11:08

SiC抛光又有新技术，效率可提升10倍: 在追求高性能电子器件的今天，碳化硅以其卓越的物理和电学性能，成为了制造电力电子器件的理想材料。然而，碳化硅衬底在抛光工艺上还面临着成本、环保等方面的难题，一直是制约其广泛应用的瓶颈。传统CMP（化学机械 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-5 11:07

宽禁带联盟第八批团体标准立项评审会顺利召开: 2024年7月4日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第八批团体标准立项评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，旨在对《氧化镓单晶位错密度的测试方法》等6项团体标准立项申请进 ...; 分类: 联盟动态 2024-7-5 11:04

从电力电子的发展趋势看功率器件的未来: 摘要从功率器件和电力电子应用趋势的角度讨论了功率器件的前景。功率器件市场的驱动力已从家用电器和工业机器人转变为电动汽车 (EV)，其中最重要的趋势是通过降低功率损耗、提高运行温度和降低热阻来提高功率模块的 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:47

深度解读：MOSFET是什么高科技？: 导语晶体管是电子学和逻辑电路中的基本构件，用于开关和放大。MOSFET是场效应晶体管(FET)的一种，其栅极通过使用绝缘层进行电隔离。因此，它也被称为IGFET(绝缘栅场效应晶体管)。#1什么是MOSFET?MOSFET或金属氧化物 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:43

北大王玮教授团队在芯片热管理领域取得进展: 随着GaN为代表的新一代宽禁带半导体材料的广泛应用，功率器件的性能大幅度提高。然而受限于器件热管理性能，目前GaN功率器件仅能发挥其理论性能的20%~30%。嵌入式微流体冷却技术将微流体集成在器件内部，避免了近乎 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:24

多方协同破卷出新助力国产碳化硅行业高质量发展: “半导体产业的迅猛发展，正引领着全球科技革命和产业变革的新浪潮，碳化硅在全球新能源产业发展中扮演着至关重要的角色，是我国在全球半导体产业竞争格局中实现重要突破的关键。”6月26日，中国科学院院士、武汉大 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-4 09:20

2亿美元！安世半导体将投资碳化硅、氮化镓: 6月27日，安世半导体宣布将在德国汉堡投资2亿美元（约合 1.84 亿欧元）开发第三代半导体，包括碳化硅和氮化镓。除研发外，还将在汉堡投资建设生产工厂。此外，除第三代半导体外，此次投资还包括扩建硅基半导体产能。 ...; 分类: 新闻通知 2024-7-3 10:07

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