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氨热法 GaN 单晶生长及位错演变: 1.GaN单晶衬底制备方法介绍目前，制备GaN单晶衬底的方法主要有氢化物气相外延 (hydride vapor phase epitaxy，HVPE)法、氨热法和助熔剂法。HVPE 中可以用侧向外延生长技术和增加晶体生长厚度来降低位错密度，可将位 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:27

氨热法 GaN 单晶生长及位错演变: 1.GaN单晶衬底制备方法介绍目前，制备GaN单晶衬底的方法主要有氢化物气相外延 (hydride vapor phase epitaxy，HVPE)法、氨热法和助熔剂法。HVPE 中可以用侧向外延生长技术和增加晶体生长厚度来降低位错密度，可将位 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:27

GaN厂商合作案+2: 近期，GaN产业各类动态让人目不暇接，涉及技术进展、新品发布、项目建设、融资并购、厂商合作等方方面面，而在近日，GaN产业链又新增两起合作案例，这在-定程度上显示了GaN产业热度正在持续上涨CGD与ITRI签署GaN电源 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:21

产值将破5亿！该SiC企业投资10亿新建项目: 近日，浙江嘉兴再引进一个SiC相关项目，总投资达10亿元。据不完全统计，今年以来该地已经新签了3个SiC相关项目。致瞻科技：投资10亿建SiC器件项目5月27日，据“嘉善发布”官微消息，浙江嘉兴市嘉善县举办了2024投资 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:19

碳化硅芯片的设计和制造: 首先，下图是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。图一.制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆芯片表面一般是如图二所示，由源极焊盘(Source pad)，栅极焊盘(Gate Pad)和开尔文源极焊盘(Kelvin Source Pad)构 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:16

谱育科技邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 10:07

北方华创/晟光硅研/赛尔科技/优睿谱/青禾晶元齐聚北京高峰论坛: 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于6月5日-7日在北京格兰云天国际酒店隆重举办，会议将围绕“凝芯聚力，降本增效”主题，聚焦产业链关键领域，涵盖材料、装备、器件等，与业界精英共同探讨降本增效 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 09:56

倒计时5天 | 报名持续走高！2024宽禁带半导体北京峰会参会攻略: 凝芯聚力降本增效宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛6月5日-7日，宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于北京·亦庄格兰云天国际酒店召开。感谢您一路以来的支持与陪伴！本次论坛，将以“凝芯聚力，降本增 ...; 分类: 新闻通知 2024-6-3 09:03

什么是SiC涂层石墨基座？: 在半导体产业的快速发展中，SiC涂层石墨基座作为一项关键技术，正逐渐走进人们的视野。今天，让我们一起来揭开SiC涂层石墨基座的神秘面纱，探索它在半导体制造中的重要性。什么是SiC涂层石墨基座？SiC涂层石墨基座， ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:15

英飞凌推出400V CoolSiC MOSFET，满足AI服务器电源需求: 近日，英飞凌科技公司（Infineon Technologies）扩展了其碳化硅（SiC）MOSFET产品线，推出电压低于650V的新产品，以满足人工智能（AI）服务器电源的需求。新推出的400V CoolSiC MOSFET系列基于今年早些时候发布的第 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:11

【成员风采】镓和半导体——立志成为氧化镓产业的引领者: 专访人唐为华南京邮电大学教授、博导，苏州镓和（原北京镓和）半导体有限公司创始人半导体在计算机、通讯等领域都有重要作用，无异于是信息产业的坚实基石。不仅如此，先进半导体行业还和现代军事力量息息相关。正 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:10

【成员风采】碳化硅单晶液相法生长及器件技术专题研讨会成功举办: 2024年5月25-26日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会（以下简称“专委会”）主办，中国科学院物理研究所承办的碳化硅单晶液相法生长及器件技术专题研讨会在北京成功举行。专委会常务副主任委员、北京大学沈 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:08

赛尔科技邀您参加2024宽禁带半导体先进技术创新与应用高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 14:06

上海央米/金伟集团/唐古环境/大华—千野/幄肯科技齐聚高峰论坛: 2024宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛将于6月5日-7日在北京格兰云天国际酒店隆重举办，会议将围绕“凝芯聚力，降本增效”主题，聚焦产业链关键领域，涵盖材料、装备、器件等，与业界精英共同探讨降本增效 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 13:57

砂轮参数对SiC减薄工艺的影响: 0 引言SiC器件正面工艺完成后，需要用到减薄工艺对衬底进行减薄加工，降低器件的导通电阻。尤其对于600-1200V的中低压SiC器件，衬底电阻带来的损耗影响了SiC器件的高效使用。同时，衬底减薄还能降低封装体积、提 ...; 分类: 新闻通知 2024-5-30 13:45

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