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2024年车用碳化硅市场将迎来爆发: 2016年，特斯拉 ;Model 3 成为全球首款采用全碳化硅功率模块主驱逆变器的纯电动汽车，开创了碳化硅应用的先河。基于 IGBT 的诸多优势，在 ;Model 3 之前，世面上的新能源车均采用硅基 IGBT 方案。而 ;Model 3 利用碳 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-17 09:27

8英寸GaN上市公司或+1 台亚半导体拟分拆GaN事业群，或将独立上市: 自2023年英飞凌收购GaN Systems以来，氮化镓（GaN）领域的竞争格局便开始发生变化，在近一年多起出售、并购、倒闭案出现之后，市场动荡的局面达到了一个新的高点，并且目前仍在发酵中。近日，又有一家公司宣布拟调整 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-17 09:21

话题｜碳化硅在新型电力系统中的应用与可靠性研究: 今年两会期间，全国政协委员，国网福建电力董事长、党委书记阮前途表示，新型电力系统是建设新型能源体系、服务碳达峰碳中和的重要载体。实现2035年新型电力系统基本建成的目标，需要应对一些新情况：首先，新能源消 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-17 09:16

【邀请函】联合精密邀您参加2024宽禁带半导体先进技术高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-17 09:12

新技术发布！“万能离子刀”技术为8英寸SiC提供低成本方案: 工作简介近日，上海微系统所异质集成XOI课题组自主研发了基于“万能离子刀”的碳化硅（SiC）复合衬底制造技术，SiC晶圆尺寸最大达到8英寸，并初步通过外延验证。该技术将高质量SiC单晶薄膜与低成本SiC衬底集成在一起 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-16 11:27

SK siltron获美国7700万美元支持扩建SiC晶圆厂: 4月12日消息，近日，韩国SK集团旗下半导体晶圆制造商SK Siltron获得了美国政府的7700万美元补贴，用于扩建其位于密歇根州的碳化硅（SiC）晶圆工厂。这笔补贴包括投资补贴和税收优惠，将有助于SK Siltron加速其在美国 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-16 11:08

【邀请函】中电科风华邀您参加2024宽禁带半导体高峰论坛: 尊敬的各位同仁、合作伙伴与业界朋友：凝芯聚力，降本增效——2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛将于2024年6月5日—7日在北京格兰云天国际酒店隆重举行。此次会议旨在聚焦宽禁带半导体领域关键材料、智能 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-16 11:05

2024前沿技术大讲堂暨 “高精尖”宽禁带半导体产业技能高级研修班: 为探讨宽禁带半导体技术创新与应用的最新进展，深入剖析该领域的关键技术问题及解决方案，进一步推进国内宽禁带半导体产业蓬勃发展。由中华人民共和国科学技术部指导，京津冀国家技术创新中心等主办，中关村天合宽禁 ...; 分类: 公告通知 2024-4-16 11:01

4.8-4.12氮化镓（GaN）行业新闻: 一周新闻速览1HVPE法氮化镓单晶衬底2氮化镓在汽车市场的应用分析3垂直GaN的技术进展4GaN基蓝光激光器5基于超表面调控的氮化镓基发光器件研究01HVPE法氮化镓单晶衬底氮化镓具有高的电高度，禁带宽度达到3.4eV，其相比 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-15 11:01

碳化硅功率器件：从晶圆到封装的技术与成本概览: 随着新能源汽车市场的蓬勃发展，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的性能和效率，正逐渐成为电动汽车（EV）动力系统中的关键组件。本文将探讨SiC功率器件的市场现状、技术进展、以及成本考量，为读者提供一个全面的SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-4-15 10:59

400V SiC MOS即将亮相！这家巨头看到了什么机会？: 众所周知，目前主流的SiC MOSFET器件电压等级主要在650V以上，而且正在向中高压发力，例如从1200V到1700V、2000V、3300V和6500V。但是，最近，英飞凌传出将推出400V低压SiC MOSFET。近日，据德媒elektroniknet.de报 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-15 10:56

快讯｜Coherent获得1500万美元的CHIPS法案资助，用于加速宽禁带和超宽禁带半导体的商 ...: 4 月 10 日消息，Coherent（原II-VI）公司今日宣布，公司已获得基于 CHIPS 法案提供的1500 万美元资金，将被用以加速公司宽带隙和超宽带隙半导体的商业化。2022 年《CHIPS 和科学法案》为美国国防部 (DoD) 提供了 20 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:36

首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布: 今天，国产氮化镓再次实现新的突破——西安电子科技大学联合广东致能科技首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，器件主要包含几个突出优势：● 调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内；● HEMTs器 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:33

6月北京 | 与您相约2024宽禁带半导体技术创新与应用发展高峰论坛: 过去的2023年，是国内外宽禁带半导体产业迅猛发展的一年。市场需求方面，国内龙头企业纷纷获得海外芯片巨头的认可，签下长期供货协议；技术提升方面，碳化硅、氮化镓等材料不断取得技术创新与突破，工艺不断精进，8 ...; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:29

SiC晶圆磨法师 | 3M 8英寸碳化硅研磨方案闪亮登场！: 来源：3M半导体材料*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2024-4-12 09:04

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