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中国科学院半导体研究所特别研究助理（博士后）招聘启事: 一、研究所简介1956年，在新中国首个中长期科学技术发展的纲领性文件——《1956-1967年科学技术发展远景规划》中，半导体科学技术被确立为国家新技术发展的四大紧急措施之一。为奠定中国半导体科学技术研究的基石、 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:47

【全球顶尖平台】武汉大学彭庆教授团队诚聘 5 名博士后: 一、导师及团队：引领前沿的卓越平台，院士领衔的顶尖力量彭庆教授：国际知名计算材料物理科学家美国康涅狄格大学博士，斯坦福大学与 Elsevier“全球前 2%顶尖科学家”终身影响力榜单入选者。武汉大学动力与机械学院 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:46

镓创未来半导体实现碳化硅衬底氧化镓外延核心指标全球领先: 近日，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司在福建省晋江市正式成立，致力于氧化镓（β-Ga₂O₃）异质外延材料的研发与产业化。创始团队由西安电子科技大学博士团队组建而成，核心成员均拥有十年以上氧化镓 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:41

从电动车到AIGC：碳化硅的价值重估与供应链生存法则: 2025年的碳化硅市场，有点像一位经历情场变故的老将——刚刚被电动车产业“冷处理”，转头就被AI数据中心拉进了新剧本。而这场换道的背后，其实藏着产业策略的重新洗牌、供应链观念的剧烈转向，以及功率半导体厂商在 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:40

中山大学在异质外延ε-Ga₂O₃ MOSFET器件研究中取得系列进展: 研究进展超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）以其卓越的材料特性，正成为下一代大功率电子器件的重要候选材料。在众多晶相中，ε相氧化镓（ε-Ga₂O₃）作为第二稳定相，不仅具备异质外延生长质量 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:39

技术前沿 | 金刚石与半导体的“联姻”：开启高功率电子设备散热新篇章: 背景概述在当今的电子设备领域，高功率、高频的半导体器件如GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）正变得越来越重要。它们被广泛应用于雷达系统、卫星通信、5G基站、可再生能源、电动汽车等领域。然而，随着设备功率密度的 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-25 09:23

中国科大秦华团队在基于GaN肖特基势垒二极管的太赫兹超表面领域取得新突破！: 基于GaN肖特基势垒二极管的太赫兹超表面论文信息中国科学技术大学 Hua Qin 团队提出了一种基于具有高迁移率二维电子气的氮化镓肖特基势垒二极管的可编程太赫兹超表面 (GaNMS)。作者设计并制作了一个32×25单元阵列。 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-25 09:20

英飞凌有望在2025年第四季度基于300mm晶圆向客户交付GaN样品: 德国慕尼黑的英飞凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）表示，其基于300mm晶圆的可扩展氮化镓（GaN）制造正按计划进行，首批样品将于2025年第四季度提供给客户，随着需求的持续增长，英飞凌将扩大其客户群 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-25 09:18

芯联集成｜董事长赵奇专访：“冷”赛道“热”突围: 7月18日，芯联集成公司于2025年7月18日收到中国证监会出具的《关于同意芯联集成电路制造股份有限公司发行股份购买资产注册的批复》。批复同意芯联集成向绍兴滨海新区芯兴股权投资基金合伙企业（有限合伙）等15名交易 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-25 09:06

【项目申报】关于申报2025年度国家第三代半导体技术创新中心（苏州）“揭榜挂帅”的通 ...: 为深入贯彻党中央关于加快发展新质生产力的重要要求，落实党的二十大和二十届二中、三中全会精神，推动国家第三代半导体技术创新中心(苏州)(以下简称“国创中心(苏州)”)创新平台高质量发展，现面向全国发布2025 年 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-24 13:16

GaN HEMT 与 SiC MOSFET 生产设备核心差异分析: 材料特性与外延生长设备差异GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）与 SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）的生产设备差异首先体现在材料特性和外延生长环节。GaN HEMT 通常采用异质外延技术，在硅（Si ...; 分类: 新闻通知 2025-7-24 13:14

5分钟快充的GaN密码 x 诺奖级LED照明革命 | 了解半导体与未来科技: 看不见却无处不在！从LED照明到闪电快充，从太阳能板到5G通信……半导体悄然驱动着现代文明的每一次跃迁。今天，我们就来聊聊有着“现代科技基石”之称的半导体。1半导体通常被定义为导电性介于导体与绝缘体之间的材 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-24 11:37

哈工大深圳宋清海/周宇团队碳化硅色心集成的动态可调微环腔: 导读4H-碳化硅（4H-SiC）作为一种新兴的量子材料，因其长寿命、可光调谐的色心以及与CMOS工艺兼容的特性，成为量子信息处理领域的理想平台。特别是4H-碳化硅-绝缘体（4H-SiCOI）平台，能够支持高质量的单光子源和自 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-23 10:12

氮化镓x机器人，中科半导体发布新品: 7月21日，中科半导体宣布正式发布氮化镓机器人智能快充芯片。据了解，本次发布的氮化镓（GaN）ASIC智能快充芯片（包括：CT-3602、CT1020、CT1007与CT-1901）四个型号，通过“氮化镓ASIC芯片+GaN功率管”集成的差异设 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-23 10:11

总投资约30亿！又一MPCVD金刚石材料及高端晶圆项目正式动工: 2025年7月18日，辽宁沈抚改革创新示范区迎来集成电路产业的重要进展。由氢基新能科技集团与主投方上海卓远方德半导体有限公司联合投资的“第四代半导体MPCVD金刚石材料及高端晶圆生产基地”正式破土动工。项目最新动 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-23 10:08

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