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武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割:理论与实验研究
武汉大学刘胜院士团队 ——β-Ga₂O₃激光隐形切割:理论与实验研究
武汉大学刘胜院士、吴改副研究员、沈威副研究员团队在学术期刊Journal of Materials Science Technology发布了一篇名为 Laser stealth dicing of β-Ga2O3: Theoretical and experimental studies(β-Ga2O3 激光隐 ...
分类:    2025-5-8 09:50
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
衬底晶面对MOCVD同质外延生长n-Ga₂O₃薄膜性质的影响研究
β-Ga2O3作为一种超宽禁带半导体材料,因优异的物理特性(如禁带宽度4.2~4.9 eV、高击穿电场强度8 MV/cm)在功率器件、日盲紫外探测等领域展现出巨大潜力。然而,高质量、大厚度、高迁移率的Ga2O3薄膜生长工艺仍面临 ...
分类:    2025-5-7 10:05
揭秘上海车展“隐形主角”:碳化硅如何让新能源车跑得更远更快?
揭秘上海车展“隐形主角”:碳化硅如何让新能源车跑得更远更快?
2025年上海车展已经圆满闭幕,近百款新车型在上海车展首发,吸引全球汽车行业目光。据知名咨询机构Yole预测,2030年碳化硅市场规模将突破100亿美元,而在本次上海车展展出的数十款全新发布的新能源车型中,据行家说R ...
分类:    2025-5-7 09:39
免费报名 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?
免费报名 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?
在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信,新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前,宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...
分类:    2025-5-7 09:32
西湖大学:开发新型碳化硅超透镜,解决高功率激光领域热管理难题
西湖大学:开发新型碳化硅超透镜,解决高功率激光领域热管理难题
西湖大学仇旻教授课题组成功开发出一种新型的同质碳化硅(4H-SiC)超透镜,为解决高功率激光加工中的热漂移问题提供了全新的解决方案。与传统商用物镜相比,该超透镜不仅能够实现衍射极限的聚焦,还能在长时间高功率 ...
分类:    2025-5-7 09:29
特斯拉专家:希望车规级GaN供应商更丰富
特斯拉专家:希望车规级GaN供应商更丰富
前段时间,我们推送了第一篇《特斯拉技术专家访谈》,今天继续访谈后半段部分的报道,分享特斯拉专家他是如何看待英诺赛科、纳微、英飞凌和TI等氮化镓供应商,如何看待不同的氮化镓技术路线。以下是他的核心观点节选 ...
分类:    2025-5-6 09:28
无锡:全力抢占“三代半”制高点
无锡:全力抢占“三代半”制高点
4月25日,《无锡日报》发表题为《以应用作牵引、加快前瞻布局、锻长项强弱项——无锡全力抢占“三代半”制高点》。文章表示,无锡第三代半导体产业链条逐步完善,具备一定发展基础,如今已初步形成从衬底、外延、晶 ...
分类:    2025-5-6 09:22
SiC收入破10亿!芯联集成等企业披露业绩
SiC收入破10亿!芯联集成等企业披露业绩
近期,芯联集成、斯达半导体及快克智能公布了最新业绩,同时披露了其碳化硅业务进展,详情如下:芯联集成:碳化硅业务收入为10.16亿元,同比增长100%以上。斯达半导体:IGBT单管、SiC 模块等其他产品的收入约为2.7亿 ...
分类:    2025-5-6 09:21
面向高性能、低成本UVC-LED外延的超薄氮化铝单晶复合衬底
面向高性能、低成本UVC-LED外延的超薄氮化铝单晶复合衬底
氮化铝(AlN)单晶材料因其超宽直接带隙(~6.2 eV)特性,成为高铝组分AlGaN基深紫外LED(UVC-LED)外延生长的理想衬底/缓冲层材料。然而,AlN固有的高结晶温度特性使得晶圆级单晶块体材料的制备极具挑战性。尽管高温热 ...
分类:    2025-5-6 09:18
连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平
连科半导体八吋硅区熔炉及碳化硅电阻炉成果鉴定达到国际领先水平
4 月 27 日,中国有色金属工业协会在无锡组织召开科技成果评价会。由中科院技物所褚君浩院士,有研科技集团周旗钢教授以及来自东南大学,南京航空航天大学,浙大科创中心等的五位专家组成的专家组,对由连科半导体有 ...
分类:    2025-4-30 09:36
破局 2025 邀您共赴:宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
破局 2025 邀您共赴:宽禁带半导体先进技术创新与应用发展高峰论坛
· 会议背景·回顾2024年,宽禁带半导体产业在挑战与机遇并存的道路上取得了显著进展。在新能源汽车,光储充,工业控制,大功率电源等行业,人们对宽禁带半导体器件的接受度大幅提升。从成本角度看,随着技术的不断 ...
分类:    2025-4-30 09:28
详解AR眼镜技术方向:碳化硅SiC+SRG光波导+刻蚀工艺+大尺寸衬底
详解AR眼镜技术方向:碳化硅SiC+SRG光波导+刻蚀工艺+大尺寸衬底
分类:    2025-4-29 09:38
新型SiC模块,可将安装面积减少一半
新型SiC模块,可将安装面积减少一半
ROHM宣称其新型SiC模块已“达到业界顶级水平”,这使得安装面积显著减少。ROHM是业内首家量产SiC功率元器件的公司,这些产品在工业、汽车、铁路以及消费类电子产品等各种领域中被广泛采用。罗姆在SiC功率元器件和模 ...
分类:    2025-4-29 09:26
欢迎新成员——声达半导体设备(江苏)有限公司
欢迎新成员——声达半导体设备(江苏)有限公司
声达半导体设备(江苏)有限公司成立于2023年2月,总公司为张家港市超声电气有限公司,迄今总公司已在行业内深耕20余年,积累了丰富的技术经验,声达半导体设备(江苏)有限公司作为新成立的子公司,自成立以来始终 ...
分类:    2025-4-29 09:23
【免费报名】 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?——宽禁带 ...
【免费报名】 如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战,领航器件新发展?——宽禁带 ...
在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信,新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前,宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...
分类:    2025-4-29 09:18

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