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德国IKZ周大顺研究团队---基于MOVPE生长技术的β-Ga₂O₃薄膜原位反射率分 ...: 近期，由德国莱布尼茨晶体生长研究所的研究团队在学术期刊Journal of Applied Physics发布了一篇名为 In-situ reflectance analysis of Si-doped β-Ga2O3 films grown by MOVPE: The influence of doping concentra ...; 分类: 新闻通知 2025-3-21 09:29

最新，安森美/比亚迪在碳化硅功率取得进展！: 近日，安森美和比亚迪相继推出了碳化硅技术/新品，引起市场诸多关注。01.安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模块3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:24

西电郝跃、张进成团队---优化β-Ga₂O₃薄膜晶体质量的新方法: 由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊Journal of Alloys and Compounds发布了一篇名为 Improved crystal quality of β-Ga2O3 on sapphire (0001) substrates by induced-nucleation technique and enhancement o ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:23

行业资讯 | GaN 功率器件如何改进架构并推广应用？: 特别导读GaN与其他材料的集成应用创新 GaN 器件架构的突破GaN 市场，迅速拓围随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:20

宽禁带大讲堂——金刚石: 如何突破性能极限，打开产业新蓝海？: 在全球碳中和与数字化浪潮的双重驱动下，半导体材料正经历从“硅基时代”向“超宽禁带时代”的跃迁。作为“终极半导体材料”的金刚石，凭借超高热导率、超高击穿场强以及宽光谱透过性，成为突破功率电子、光电器件、 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-20 09:10

中国科学技术大学龙世兵教授团队---低温退火改善β-Ga₂O₃二极管界面质量 ...: 由中国科学技术大学的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为 Improvement of interface quality through low-temperature annealing in β-Ga2O3 diode with compounded mesa and junction termi ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:28

SiC MOSFET 与 Si MOSFET 在开关电源中功率损耗的对比分析: 文章来源：辽宁工业大学学报(自然科学版)作者：曹洪奎，陈之勃，孟丽囡（辽宁工业大学电子与信息工程学院，辽宁锦州 121001）摘要：碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件，具有导通电阻低、开关速度极快 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:12

日本SiC模块新技术：MOS开关速度提升10倍: 我们都知道碳化硅功率半导体有很多的优势，而且已经在汽车、光储充等众多的市场大放异彩，但是，碳化硅潜力还未充分被挖掘和利用，例如受限于现有的驱动器设计，SiC功率器件的开关操作速度极其慢，这导致它固有的节 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:08

180万片，斯达半导重庆车规级功率模块项目封顶: 据西部重庆科学城最新消息，3月17日，斯达半导体重庆车规级模块生产基地正式封顶，标志着国内首条年产能达180万片的车规级IGBT与碳化硅（SiC）模块产线进入投产倒计时。公开资料显示，这一项目由长安汽车旗下深蓝汽 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-19 09:04

英国SiC晶圆厂获得印度投资: Clas-SiC获得总部位于金奈的Archean Chemical Industries的1200万英镑投资英国唯一的商用SiC晶圆厂Clas-SiC获得了总部位于金奈的印度化学公司Archean Chemical Industries的1200万英镑投资。作为交换，Archean将获得 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-18 09:06

京东方华灿：布局GaN双压赛道，卡位新能源与AI算力高地: 我们邀请了京东方华灿器件研发专家王瑞博士，更好地解读产业格局，探索未来的前进方向2024 GaN突围三主线：高压、集成、AI驱动行家说三代半：如果用几个关键词总结2024年GaN功率半导体行业的发展状况，您会用哪几个 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-18 09:06

芯粤能半导体成功开发第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台: 据长三角国际半导体博览会消息，近期，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-18 09:03

新商机！SiC MOS是瞬变电磁发射机设计趋势: 近日，中南大学地球科学与信息物理学院和无锡职业技术学院的研究团队发表一篇题为《基于SiC MOSFET的浅层高分辨瞬变电磁发射机研制》论文。瞬变电磁法是无损地球物理探测仪市场的发展趋势，而且应用范围不断在扩大。 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-17 10:46

3.1-3.14氮化镓（GaN）行业新闻: 01功率GaN市场的机遇近年来，化合物半导体在电力电子、射频、光子学和显示器等关键应用领域展现出巨大的潜力，尤其是在功率半导体领域，其重要性日益凸显。根据Yole Group发布的报告，化合物半导体市场预计到2030年 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-17 10:44

NCT打破世界纪录——氧化镓器件性能提高3.2倍！: 氧化镓器件新突破!株式会社 Novel Crystal Technology （总部：埼玉县狭山市，社长仓又朗人）在防卫装备厅安全保障技术研究推进制度（JP004596）“反向 MOS 沟道型氧化镓晶体管的研究开发”项目中，成功开发了功率品 ...; 分类: 新闻通知 2025-3-17 10:41

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