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刘朝辉：归国造“芯”，为新能源汽车打造“中国心”: 1995年，我国第一辆自主研发的电动汽车——“远望号”纯电动大客车下线，成为中国新能源汽车的“开山之作”。30年，弹指一挥间。如今，我国新能源汽车年产销量已迈上千万辆级台阶，连续10年位居全球第一，产销量占全 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:19

深圳平湖实验室8英寸1200V增强型Si基GaN HEMT研发取得关键性突破: 在国家科技重大专项支持下，深圳平湖实验室在高压1200V级GaN功率器件领域取得关键性突破，首次在8英寸Si衬底上实现了超过8μm的低翘曲GaN外延，并成功验证了1200V等级科研小器件电性，关键性能达到国际先进水平，为 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-24 09:11

西安电子科技大学张进成教授，香港大学张宇昊教授，北京大学程哲研究员 NC：过异质外 ...: 西安电子科技大学张进成教授、张雅超教授，香港大学张宇昊教授，南京电子器件研究所陈堂胜研究员，北京大学程哲研究员等人发表了题为 High power density gallium nitride radio frequency transistors via enhanced ...; 分类: 新闻通知 2025-12-23 09:43

氧化镓衬底成本直降90% DG法颠覆长晶方法：NCT&NEDO引领行业变革: 日本株式会社 Novel Crystal Technology（总部：埼玉县狭山市，代表取缔役社长：仓又朗人）作为 NEDO“经济安全保障重要技术培育项目／高输出・高效率功率器件／高频器件用材料技术开发／β-Ga2O3 晶圆、功率 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-23 09:35

微电子所在4H/3C-SiC 单晶复合衬底与器件方面取得重要进展: 近日,中国科学院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与香港大学、青禾晶元集团、武汉大学、中国科学院物理研究所等团队合作成功研发出大尺寸4H/3C-SiC 单晶复合衬底，突破低压（600V）4H-SiC 器件比导通电阻极限性 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-23 09:29

【Wolfspeed白皮书】采用先进碳化硅封装技术有效提升系统耐久性: 采用先进碳化硅封装技术有效提升系统耐久性Adam Barkley 博士，Wolfspeed 功率半导体研发副总裁引言众多行业领域的电气化推动着对高性能功率器件的需求不断增长，应用场景日益多样，这也给电源设计工程师带来了新的 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-22 10:08

氮化镓监测系统成功落地国家能源集团项目: 近日，美镓传感在国家能源集团宁夏煤业有限责任公司枣泉煤矿顺利完成“枣泉煤矿氮化镓紫外局放监测系统”项目的安装部署与验收工作。该项目的成功投运，为煤矿电力系统的安全、稳定、高效运行注入了科技新动能。图片 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-22 10:03

SiC外延片规模化进程全景解析：企业格局演变、8英寸产能突破、技术创新路径与价格趋势 ...: 2025年，全球碳化硅（SiC）外延片行业进入“8英寸冲刺年”。从瀚天天成、天域半导体两大代工龙头的产能军备，到湖南三安、安意法等垂直整合者的通线战果，再到6英寸价格逼近成本线、8英寸均价一年腰斩，市场呈现“头 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-22 10:00

新增8吋SiC晶圆线，目标取代数据中心硅光子: 近日，又有一家企业宣布将要建设8英寸GaN/SiC晶圆制造工厂，不过，该晶圆厂生产的不是SiC功率器件或者GaN射频器件，而是光子集成电路或GPU处理器。据推测，这个项目有机会在多个环节中导入SiC和GaN，潜在市场规模约2 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:55

从材料到封装，功率GaN HEMT要关注的8大问题: 近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）凭借其高频率、高效率和高功率密度的优势，正在革新电源管理和射频领域。然而，要将外延片真正转化为高性能芯片，GaN HEMT的制造工艺面临着一系列严峻的工程挑战。对于 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:53

半导体所、新疆理化所采用386nm近紫外GaN基激光器直接倍频实现193nm深紫外激光: 193nm深紫外（DUV）激光因具有高空间分辨率、高光子能量等特点，在半导体器件先进制造、微纳材料分析、生物医学检测等领域具有重要应用价值。目前广泛应用的193nm氟化氩（ArF）准分子气体激光器存在体积大、效率低、 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:51

日本Oxide、名古屋大学等：利用液相法成功制备6英寸P型衬底: 12月16日，援引日刊工业新闻消息，由日本Oxide Power Crystal 株式会社携手名古屋大学等产学研单位组建的联合研发团队，依托名古屋大学在溶液生长法领域积淀的成熟技术经验，成功研制出6英寸P型碳化硅衬底，同时在6 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:50

报告分享 | 碳化硅高速增长的前夕：功率渗透率提升与AI+AR双轮驱动: 2025年11月25日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议系列活动——宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛在郑州成功举办。论坛上，五矿证券研究所半导体行业分析师金凯笛带来了深度解读。她的报告《碳化硅高速增长的 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:48

【会场回顾--超宽禁带半导体专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025 ...: 2025年11月27日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2025）在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:31

【会场回顾--器件与应用专场】第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）: 2025年11月27日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2025）在郑州中原国际会展中心会议中心隆重闭幕。本届会议由中关村天合宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2025-12-19 10:19

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