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英诺赛科：与联合汽车电子达成GaN合作: 7月30日，英诺赛科在官微透露，他们已与联合汽车电子成立联合实验室，将利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势，开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方还在联合电子（苏州研发中心）举行了联合实验室揭幕仪式。 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:23

迈向氧化镓电力电子：开启超宽禁带新篇章: 引言当前，以硅（Si）为基的电力电子器件已广泛应用于各类电力转换场景。然而，随着全球电气化进程的加速以及对更高效率、更高功率密度电力系统的迫切需求，硅基器件在电压处理能力、开关速度和系统效率方面的局限性 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:22

铁电材料助力突破GaN晶体管性能瓶颈: 加州大学伯克利团队与斯坦福大学团队合作，研发出厚1.8纳米的HZO（铪氧化物/锆氧化物）铁电层，利用负电容效应突破GaN高电子迁移晶体管的肖特基极限，提升开态电流同时抑制关态泄漏。该技术创新解决了绝缘层厚度与门 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-31 09:18

东风也采用碳化硅，混动电驱+SiC已成趋势?: 2025年，混动/增程车型采用碳化硅成为了汽车行业的热点，最近东风汽车也已经在最新的混动变速器上搭载了碳化硅功率模块，并应用于越野车型之中。截止2025年7月，全球已有15家车企在混动变速器、增程系统中导入了碳化 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-30 09:28

东北师范大学李炳生教授宽带隙半导体团队：通过面对面热退火结合氧等离子体处理制备基 ...: 由东北师范大学李炳生教授团队在学术期刊Applied Materials Today发布了一篇名为 High performance solar blind photodetector based on β-Ga2O3 achieved via face-to-face thermal annealing with oxygen plasma ...; 分类: 新闻通知 2025-7-29 09:11

GaN应用｜开关模式电源开始采用GaN开关: 作者：ADI电源管理专家Frederik Dostal摘要在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-29 09:03

博世碳化硅功率半导体的技术开发之路: 博世（Bosch）自2021年底开始在德国Reutlingen工厂开始采用150mm晶圆批量生产第一代碳化硅芯片2025年6月博世发布了其碳化硅功率半导体技术白皮书，对其产品和技术发展做了介绍，值得学习。摘选分享如下：凭借20余年S ...; 分类: 新闻通知 2025-7-29 09:02

安森美x舍弗勒强强联合，双巨头碳化硅合作+1: 7月24日，安森美（onsemi）在官网宣布与舍弗勒扩大合作，双方签署了一项新的设计协议。根据协议，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET产品线将为舍弗勒的牵引逆变器提供动力，该逆变器将应用于某全球领先汽车制造商 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-29 08:57

中国科学院半导体研究所特别研究助理（博士后）招聘启事: 一、研究所简介1956年，在新中国首个中长期科学技术发展的纲领性文件——《1956-1967年科学技术发展远景规划》中，半导体科学技术被确立为国家新技术发展的四大紧急措施之一。为奠定中国半导体科学技术研究的基石、 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:47

【全球顶尖平台】武汉大学彭庆教授团队诚聘 5 名博士后: 一、导师及团队：引领前沿的卓越平台，院士领衔的顶尖力量彭庆教授：国际知名计算材料物理科学家美国康涅狄格大学博士，斯坦福大学与 Elsevier“全球前 2%顶尖科学家”终身影响力榜单入选者。武汉大学动力与机械学院 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:46

镓创未来半导体实现碳化硅衬底氧化镓外延核心指标全球领先: 近日，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司在福建省晋江市正式成立，致力于氧化镓（β-Ga₂O₃）异质外延材料的研发与产业化。创始团队由西安电子科技大学博士团队组建而成，核心成员均拥有十年以上氧化镓 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:41

从电动车到AIGC：碳化硅的价值重估与供应链生存法则: 2025年的碳化硅市场，有点像一位经历情场变故的老将——刚刚被电动车产业“冷处理”，转头就被AI数据中心拉进了新剧本。而这场换道的背后，其实藏着产业策略的重新洗牌、供应链观念的剧烈转向，以及功率半导体厂商在 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:40

中山大学在异质外延ε-Ga₂O₃ MOSFET器件研究中取得系列进展: 研究进展超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）以其卓越的材料特性，正成为下一代大功率电子器件的重要候选材料。在众多晶相中，ε相氧化镓（ε-Ga₂O₃）作为第二稳定相，不仅具备异质外延生长质量 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-28 09:39

技术前沿 | 金刚石与半导体的“联姻”：开启高功率电子设备散热新篇章: 背景概述在当今的电子设备领域，高功率、高频的半导体器件如GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）正变得越来越重要。它们被广泛应用于雷达系统、卫星通信、5G基站、可再生能源、电动汽车等领域。然而，随着设备功率密度的 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-25 09:23

中国科大秦华团队在基于GaN肖特基势垒二极管的太赫兹超表面领域取得新突破！: 基于GaN肖特基势垒二极管的太赫兹超表面论文信息中国科学技术大学 Hua Qin 团队提出了一种基于具有高迁移率二维电子气的氮化镓肖特基势垒二极管的可编程太赫兹超表面 (GaNMS)。作者设计并制作了一个32×25单元阵列。 ...; 分类: 新闻通知 2025-7-25 09:20

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