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合作 | 芯动半导体与意法半导体签署碳化硅战略合作协议
合作 | 芯动半导体与意法半导体签署碳化硅战略合作协议
3月8日,芯动半导体与意法半导体在深圳签署战略合作协议。长城汽车零部件董事长郑立朋、芯动半导体总经理姜佳佳,意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery,执行副总裁、中国区总裁曹志平,中国区市场及应用副总 ...
分类:    2024-3-13 09:10
又出大招!深圳布局第三代半导体,狂飙百亿级赛道
又出大招!深圳布局第三代半导体,狂飙百亿级赛道
本文经授权转自芯师爷(ID:gsi24-xinshiye)作者:Kelvin近年来,在政策的激励以及市场的推动下,第三代半导体产业在全国范围内实现了迅猛发展,各地纷纷加大投资力度,扩产热潮不断升温。进入2024年,多个国内第三 ...
分类:    2024-3-13 09:04
本周五, 共同探讨:宽禁带半导体器件,2024年机会在哪?
本周五, 共同探讨:宽禁带半导体器件,2024年机会在哪?
近期中央政治局集体学习提出要“推动新能源高质量发展,加快能源结构转型,有序推进新能源产业链合作,构建能源绿色低碳转型共赢新模式”。宽禁带半导体材料在带隙能量、击穿场强、热导率等参数方面具有优越的特性, ...
分类:    2024-3-12 10:00
6吋!3家企业公布GaN单晶技术新进展
6吋!3家企业公布GaN单晶技术新进展
近期,国内外多家GaN单位在氮化镓单晶扩径上取得突破:● 丰田合成、大阪大学等:已成功制备高质量6英寸GaN衬底,并开发了8吋长晶设备。● 镓数:已顺利生产4吋氮化镓单晶衬底,正在攻克6吋及更大尺寸的单晶生长。● ...
分类:    2024-3-12 09:59
“上车”提速,两家SiC企业产品通过车规级可靠性认证
“上车”提速,两家SiC企业产品通过车规级可靠性认证
导 读今日消息,瞻芯电子和蓉矽半导体均有SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证,加速“上车”进程。■瞻芯电子3款第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了 ...
分类:    2024-3-12 09:57
合计投资16亿,两个SiC项目传来新进展
合计投资16亿,两个SiC项目传来新进展
碳化硅(SiC)是当下的热门赛道之一,投资者纷至沓来。近期,又有两个项目迎来新动态。纬湃科技落子天津根据“天津经开区一泰达”的报道,3月6日,天津经开区与纬湃汽车电子(天津)有限公司(以下简称:纬湃科技) ...
分类:    2024-3-12 09:51
两会直击!关于半导体,政府工作报告说了什么?
两会直击!关于半导体,政府工作报告说了什么?
在全国两会如火如荼地进行之际,半导体产业再次成为热议的焦点。作为现代信息技术的基石,半导体产业的进步对国家的科技实力和经济竞争力具有深远影响。中央政治局会议近期指出,新质生产力是创新起主导作用,摆脱传 ...
分类:    2024-3-11 11:39
2024年碳化硅(SiC)外延及供应商报告
2024年碳化硅(SiC)外延及供应商报告
外延是指在碳化硅衬底的表面,生长出的一层质量更高的单晶材料,在导电型碳化硅衬底表面生长一层碳化硅外延层,称为同质外延;在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,则称为异质外延。碳化硅晶体在生长过程中会不 ...
分类:    2024-3-11 11:30
杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究
杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究
IGBT和碳化硅(SiC)模块的开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感(DC−Link loop inductance)和栅极环路电感(Gate loop induct ...
分类:    2024-3-11 11:08
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点,在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以 ...
分类:    2024-3-11 09:46
碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
摘 要相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点 而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件 最常用的互连形式之一。然而,引线 ...
分类:    2024-3-8 09:18
全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高,达到50%左右。这意味着衬底领域的成本降低和利用率的 ...
分类:    2024-3-8 09:11
2023碳化硅业绩增长超4倍!onsemi CEO的深度洞察与战略规划
2023碳化硅业绩增长超4倍!onsemi CEO的深度洞察与战略规划
近日,onsemi首席执行官Hassane El-Khoury在Morgan Stanley Technology, Media Telecom Conference上分享了公司的战略转型以及对未来行业发展的独到见解。以下是他在问答环节中提出的一系列重要观点:1. 利润能力的 ...
分类:    2024-3-8 09:06
宽禁带科技论|北大团队研制1200V超低动态电阻GaN功率晶体管
宽禁带科技论|北大团队研制1200V超低动态电阻GaN功率晶体管
借助GaN材料高击穿电场、高电子迁移率等优良的物理特性,GaN功率器件有望大量应用于高压大功率领域。目前,GaN功率器件已经在消费电子领域实现商业化,但电压等级仅为650 V。然而,面向电动汽车、工业电机等工业电子 ...
分类:    2024-3-8 09:05
为什么大厂都在「卷」800V?
为什么大厂都在「卷」800V?
文 / 五行在2023年,新能源汽车市场的竞争激烈程度创下历史新高,其中有多个焦点,800V高压平台正是其中之一。有了它的加持,“充电五分钟,通话两小时”就不是梦。目前,比亚迪、华为、吉利、广汽、小鹏和奇瑞等车 ...
分类:    2024-3-7 09:29

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