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下级分类:  公告通知|联盟动态
碳化硅相关厂商吉盛微完成A轮融资
碳化硅相关厂商吉盛微完成A轮融资
12月24日,据华芯资本消息,吉盛微(上海)半导体技术有限公司(下文简称:吉盛微)近日完成A轮融资,由瑞芯投资、深创投、无锡创投等12家机构共同投资。公开资料显示,吉盛微前身是盛吉盛精密技术(宁波)有限公司 ...
分类:    2024-12-27 08:55
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
宁波材料所与郑州大学实现金刚石/氧化镓异质结器件突破
近期,中国科学院宁波材料技术与工程研究所硅基太阳电池及宽禁带半导体团队与郑州大学金刚石材料与器件团队、南京大学以及哈尔滨工业大学的研究团队紧密合作,在国际权威期刊Nano Letters上,以“Ultrawide Bandgap ...
分类:    2024-12-27 08:52
中南钻石联合中国电科十三所在金刚石NV色心领域取得重要进展
中南钻石联合中国电科十三所在金刚石NV色心领域取得重要进展
近日,中南钻石有限公司和中国电科第十三研究所在《物理学报》发表了题为“MPCVD法制备高浓度金刚石NV色心及其性能研究”的研究文章。文章指出MPCVD法可在金刚石中定量掺杂高浓度氮元素,经电子辐照后金刚石NV色心浓 ...
分类:    2024-12-26 08:55
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
GaN基功率器件具有临界击穿电场高、电子迁移率高、极限工作温度高等特性,在新一代移动通讯、服务器集群、新能源技术、电动汽车等领域有重大应用, 是半导体科学技术的研究前沿和全球高科技竞争的关键领域之一。北京 ...
分类:    2024-12-26 08:46
投资近30亿!新增2个SiC项目
投资近30亿!新增2个SiC项目
近日,国内外又新增2个SiC项目动态,公开投资金额将近30亿:科瑞半导体:推进SiC封测产线建设12月24日,据天门市融媒体中心透露,科瑞半导体正在推进第三代半导体等功率器件封测产线的升级,于6月投资启动实施一期项 ...
分类:    2024-12-26 08:43
利用SiC提高低压工业电机驱动器的性能
利用SiC提高低压工业电机驱动器的性能
基于碳化硅(SiC)的电力电子器件正在改变电动汽车和工业应用中的电源转换。在本文中,我们将回顾Wolfspeed公司战略市场开发人员Pranjal Srivastava就基于SiC的电力电子器件在低压工业电机驱动中的优势所做的网络研讨 ...
分类:    2024-12-25 11:13
吉利混动车SiC供应商曝光!20000台产品已下线
吉利混动车SiC供应商曝光!20000台产品已下线
近日,阳光电动力官微接连宣布2大喜讯:第200万台产品成功下线;此次下线的SiC电机控制器成功搭载于吉利银河混动车型——星舰7 EM-i。从吉利与阳光电动力的合作可以窥见,如今SiC半导体的主驱应用场景又进一步扩大, ...
分类:    2024-12-25 11:09
这家SiC/GaN检测设备公司创锐光谱 完成近亿元PreA轮融资
这家SiC/GaN检测设备公司创锐光谱 完成近亿元PreA轮融资
近日,泛半导体缺陷检测创新型企业创锐光谱宣布完成近亿元PreA轮融资,由光速光合领投,老股东君联资本跟投。融资资金将主要用于技术研发和产能扩容。据悉,创锐光谱成立于2016年,是全球领先的瞬态光谱技术产业化企 ...
分类:    2024-12-25 11:06
团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》正式发布
团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》正式发布
2024年12月23日,中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟正式发布团体标准《SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法》。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)为代表的宽禁带半导体器件突破了传统Si ...
分类:    2024-12-25 10:23
VisIC与AVL就用于电动汽车的氮化镓逆变器展开合作
VisIC与AVL就用于电动汽车的氮化镓逆变器展开合作
以色列耐斯茨奥纳的VisIC Technologies Ltd(无晶圆厂供应商,主要供应基于氮化镓晶体管的功率转换器件)与奥地利格拉茨的交通技术公司AVL(为汽车行业以及铁路、船舶、能源等领域提供开发、模拟和测试服务)展开合 ...
分类:    2024-12-24 08:58
动态|宏微科技上海子公司开业,加速三代半“芯”征程
动态|宏微科技上海子公司开业,加速三代半“芯”征程
12月18日,上海宏微爱赛半导体有限公司(简称“宏微爱赛”)迎来开业庆典,标志着宏微科技在高质量发展的道路上迈出了坚实的一步。2024年11月,宏微科技控股并主导设立的子公司——上海宏微爱赛半导体有限公司正式成 ...
分类:    2024-12-24 08:57
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展
近日,微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。当前,碳化硅(SiC)晶圆行业正持续扩大产能以满足不 ...
分类:    2024-12-24 08:55
中国厂商占据全球SiC专利申请量的70%!
中国厂商占据全球SiC专利申请量的70%!
近日,法国市场研究机构KnowMade最新发布的一份针对碳化硅(SiC)的知识产权 (IP) 报告显示,2021 年至 2023 年期间,中国参与者披露的SiC发明专利数量增加了约 60%,是全球主要国家和地区当中增长更快的,同时也 ...
分类:    2024-12-24 08:53
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备和超精密加工技术
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备和超精密加工技术
本文针对新一代半导体材料氧化镓单晶的制备和超精密加工技术进行研究。文章分析国内外氧化镓单晶制备与加工技 术的发展现状,研究氧化镓单晶制备技术,包括氧化镓单晶基本性质、氧化镓单晶生长方法分类及原理,探究 ...
分类:    2024-12-23 10:00
北大东莞光电研究院在金刚石薄膜材料制备和应用领域取得重大突破
北大东莞光电研究院在金刚石薄膜材料制备和应用领域取得重大突破
北京大学东莞光电研究院的王琦研究员与南方科技大学的李携曦教授、香港大学的Yuan Lin教授以及褚智勤教授等研究人员组成的联合研究团队,在金刚石薄膜材料制备和应用方面取得重要进展。成功开发一种能够批量生产大尺 ...
分类:    2024-12-23 09:59

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