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《Applied Physics Letters》发表马晓华教授研究组科研成果
《Applied Physics Letters》发表马晓华教授研究组科研成果
氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体材料的代表,其具有超宽的禁带宽度(4.9 eV)和超高的临界击穿场强(8 MV/cm),被认为是制备下一代大功率、高效率及低功耗电力电子系统极具希望的半导体材料。此外,经研究发现β ...
分类:    2024-9-2 11:30
德智新材|半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
德智新材|半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
8月27日,半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区。区长程松出席签约仪式。区领导孟栋、虞洁,湖南德智新材料有限公司董事长柴攀、总经理万强等项目方负责人参加活动。湖南德智新材料有限公司专注于半导 ...
分类:    2024-9-2 11:26
上市公司圆融科技介入GaN芯片制造
上市公司圆融科技介入GaN芯片制造
近日,国内将新增一个GaN功率芯片生产项目——8月8日,圆融光电科技股份有限公司发布公告称,公司董事会已审议通过了关于GaN功率HEMT器件项目建设的议案。据悉,圆融科技与京皖智慧装备研究院(马鞍山)股份有限公司 ...
分类:    2024-9-2 11:21
江苏芯华睿车规级碳化硅功率模块项目实现量产
江苏芯华睿车规级碳化硅功率模块项目实现量产
8月26日,据“东台高新区”官微消息,第七届中国国际新能源汽车功率半导体市场领先企业峰会暨低空飞行前瞻技术与市场峰会近日在江苏东台高新技术产业开发区举办。会上,芯华睿半导体科技有限公司(以下简称芯华睿) ...
分类:    2024-9-2 11:19
化合物半导体领域新增2起战略合作
化合物半导体领域新增2起战略合作
近日,碳化硅相关厂商合盛硅业和氮化镓企业能华半导体分别与合作方签署了新的战略合作协议,推进各自在化合物半导体领域产业布局。01 合盛硅业与桑达股份签署战略合作协议8月26日,据合盛硅业官微消息,合盛硅业与深 ...
分类:    2024-9-2 11:16
关于SiC,这可能是今年最惊艳的报告
关于SiC,这可能是今年最惊艳的报告
在《Power SiC Manufacturing 2024》报告中,Yole Intelligence深入分析了功率硅碳化物(SiC)制造业的现状与未来趋势。报告全面覆盖了从SiC粉末供应商、晶体生长技术、晶圆制造工具,到最终的SiC器件市场应用等多个环 ...
分类:    2024-9-2 11:14
鸿海布局第四代化合物半导体
鸿海布局第四代化合物半导体
近日,鸿海研究院半导体所所长暨阳明交通大学讲座教授郭浩中及半导体所研究团队,携手阳明交大电子所洪瑞华教授团队,在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破。研究成果提高了第四代半导体氧化镓在高压、高温 ...
分类:    2024-9-2 11:09
碳化硅争夺战:光伏龙头们已入局!
碳化硅争夺战:光伏龙头们已入局!
目前,碳化硅产业发展形势喜人,跨界布局碳化硅业务的玩家众多,包括长城汽车、吉利汽车等车企以及三安光电、博蓝特等LED厂商,除车企和LED厂商外,部分光伏厂商已成为跨界布局碳化硅的重要力量。01 光伏龙头跨界布 ...
分类:    2024-9-2 11:08
青禾晶元 | 高质量晶圆级绝缘体上碳化硅(SiCOI)制备取得重大突破
青禾晶元 | 高质量晶圆级绝缘体上碳化硅(SiCOI)制备取得重大突破
近日,国内领先的半导体材料异质集成技术企业青禾晶元宣布,在绝缘体上碳化硅(SiC-on-Insulator,简称SiCOI)材料的制备技术上取得了重大突破,成功实现了高质量晶圆级SiCOI的规模化生产。这一成就不仅标志着青禾晶 ...
分类:    2024-9-2 10:58
实验多尺度结合揭示金刚石中辐照-退火方法制备NV色心的微观机制
实验多尺度结合揭示金刚石中辐照-退火方法制备NV色心的微观机制
研究背景金刚石中的NV色心(Nitrogen-Vacancy),是由一个置换氮原子和一个相邻的碳空位组成的,可以实现纳米级的空间分辨率和皮特斯拉级的高灵敏度,在量子传感、量子计算、生物荧光标记、温度传感和磁场测量等方面 ...
分类:    2024-9-2 10:57
阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率
阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率
译自原文Low contact resistivity at the 10−4 Ω cm2 level fabricated directly on n-type AlN原文作者Haicheng Cao ; Mingtao Nong ; Jiaqiang Li ; Xiao Tang ; Tingang Liu ; Zhiyuan Liu ; ...
分类:    2024-9-2 10:53
升华方法使用CVD-SiC块料源快速生长SiC单晶
升华方法使用CVD-SiC块料源快速生长SiC单晶
摘要通过采用CVD-SiC再生块作为SiC源,成功生长了1.46 mm h的SiC晶体,生长速率高达1.46 mm h通过PVT方法。生长晶体的微管密度和位错密度表明,尽管其生长速率高,但晶体质量良好。碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体 ...
分类:    2024-9-2 10:46
浅述晶圆减薄抛光
浅述晶圆减薄抛光
随着新能源汽车、轨道交通、消费电子等行业的快速发展,市场对于高端芯片和功率器件的性能和需求越来越高。电子信息制造是集成全球前瞻技术、带动范围最广的产业,半导体材料作为集成电路的重要载体,推动着当今经济 ...
分类:    2024-9-2 10:36
普兴电子:积极推进6 英寸碳化硅外延片产业化项目
普兴电子:积极推进6 英寸碳化硅外延片产业化项目
近日,河北普兴电子发布了6英寸低密度缺陷碳化硅外延片产业化项目的环境影响评价第二次公示,项目正在稳步推进中。公司简介:河北普兴电子科技股份有限公司成立于2000年11月,是由中电科半导体材料有限公司控股的一 ...
分类:    2024-9-2 10:33
既要高效又要低损伤,金刚石衬底的精密加工应该怎么做?
既要高效又要低损伤,金刚石衬底的精密加工应该怎么做?
随着量子信息、人工智能等高新技术的飞速发展,半导体技术也在不断更新迭代。从第一代半导体硅(Si)和锗(Ge),到第二代的砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb),再到第三代的碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN),我们现在 ...
分类:    2024-9-2 10:32

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