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SiC功率器件之争，8英寸是重要拐点？: 近期，全球主要SiC功率器件供应商英飞凌宣布正式启用其位于马来西亚居林工厂第三厂区的8英寸SiC晶圆制造厂一期产线，并已为接下来的8英寸SiC功率器件的量产做好准备。英飞凌官方透露，这一项目总建筑面积为131477平 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:29

赛米控丹佛斯与罗姆强化深度合作: 8月22日，据赛米控丹佛斯官微消息，赛米控丹佛斯和罗姆将强化合作伙伴关系，双方将基于低功率芯片，扩展低功率模块产品。赛米控丹佛斯和罗姆将这些芯片导入MiniSKiip、SEMITOP E、SEMITRANS等IGBT模块产品中，为客户 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:20

Update!APCSCRM 2024|报告嘉宾、展商名录更新...快来看看都有谁~: 关于会议About APCSCRM 2024亚太碳化硅及相关材料国际会议是亚太地区宽禁带半导体产业与学术并重的高水平国际会议，会议围绕碳化硅等宽禁带半导体材料前沿技术研究、产业链合作发展，为参会企业和观众提供集产品展示 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 10:19

安森美如何“榨干”SiC器件潜能？这几种封装技术提供了参考范例: 随着全球对可再生能源和清洁电力系统的需求不断增长，光储充一体化市场为实现能源的高效利用和优化配置提供了创新解决方案。在此趋势引领下，碳化硅（SiC）产业生态正迅速发展，逐渐成为替代传统硅基功率器件的有力 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 09:40

宽禁带科技论|4英寸超平整单晶六方氮化硼晶圆成功制备!: CuNi(111)/蓝宝石衬底表面超平整单晶氮化硼的制备示意图（图片来源：深圳理工大学）对于半导体场效应晶体管（MOSFETs）等电子器件而言，高质量的沟道-栅介质界面首先有助于减少电子和空穴捕获效应，从而提高器件的开 ...; 分类: 新闻通知 2024-9-2 09:09

SiC的物理特性: 与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:23

AlYN/GaN？新型半导体材料AlYN 有望实现更节能、更高频的电子产品: 近日，弗劳恩霍夫应用固体物理研究所 (IAF)的研究团队成功在4 英寸 SiC 基板上采用低成本的MOCVD 工艺(金属有机化学气相沉积)外延生长出了 AlYN/GaN异质结构。据研究人员称，这为开发新的、更多样化的电子产品应用提 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:22

举办2024第五届“科创中国”科技创新创效大赛半决赛路演的通知: 各相关单位：由中国科协企业创新服务中心，中关村产业技术联盟联合会主办；北京市科委、中关村管委会，北京市科协，北京市欧美同学会（北京市留学人员联谊会），中关村科学城管委会支持的2024第五届“科创中国”科技 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:18

成员风采｜士兰微自有SiC Mos已批量应用于主驱，产能达9000片/月: 8月19日晚，功率半导体IDM龙头士兰微(600460)发布半年度业绩报告，2024年上半年营业收入约52.74亿元，同比增加17.83%，创出历史同期新高。公司营业利润为 14,743 万元，比 2023 年同期增加亏损 8,755 万元；公司利润 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-22 09:14

时代电气——始于轨交、兴于功率半导体: 在“双碳”背景下，国内新能源车、发电产业“风-光-储-氢”市场多点耦合爆发，市场前景巨大，蕴含无限商机。伴随着新能源行业的快速发展，功率半导体近几年也在实现快速的国产替代，今天我们来分析一家老牌国企—— ...; 分类: 新闻通知 2024-8-21 09:15

康乃尔大学基于AlN单晶衬底实现高漏极电流密度及击穿电场强度AlN/GaN/AlN HEMT器件: 译自原文：AlN/GaN/AlN HEMTs on Bulk AlN Substrates with High Drain Current Density 2.8 A/mm and Average Breakdown Field 2 MV/cm原文作者：Eungkyun Kim , Yu-Hsin Chen , Jimy Encomendero , Debdeep Jena ...; 分类: 新闻通知 2024-8-21 09:10

8英寸SiC 外延炉及同质外延工艺研究: 摘要目前SiC 产业正由 150 mm(6 英寸)向 200 mm(8 英寸)转型，为满足行业对大尺寸、高质量 SiC 同质外延片的迫切需求，采用自主研制的 200 mmSiC 外延生长设备在国产衬底上成功制备出 150 mm、200 mm 4H-SiC 同质外 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-21 09:08

纬湃携手英飞凌，可否加速氮化镓上车？: 最近，纬湃科技和英飞凌在氮化镓领域传来最新进展。纬湃科技将采用英飞凌CoolGaN™晶体管来打造功率密度更高的12V DCDC转换器。据悉，本次纬湃科技基于氮化镓设计的DCDC为其Gen5系列，采用隔离式半桥拓扑结构， ...; 分类: 新闻通知 2024-8-20 09:25

SiC纳米材料: 碳化硅纳米材料碳化硅纳米材料（SiC nanomaterials）是指由碳化硅（SiC）构成的，在三维空间中至少有一维的尺寸处于纳米级别（通常定义为1-100nm）的材料。碳化硅纳米材料可根据结构被分类为零维、一维、二维和三维 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-20 09:19

SiC超结的一种卓越工艺: 多轮超高能注入和外延生长能够让SiC超结器件阻断数千伏电压作者：Reza Ghandi，GE Research减少全球碳足迹，必须大力改善电力基础设施。除了需要增加可再生能源发电比例相关的优先事项以外，还需要提高从发电地到使 ...; 分类: 新闻通知 2024-8-20 09:16

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