新闻通知
- 本周五， 共同探讨：宽禁带半导体器件，2024年机会在哪？
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近期中央政治局集体学习提出要“推动新能源高质量发展，加快能源结构转型，有序推进新能源产业链合作，构建能源绿色低碳转型共赢新模式”。宽禁带半导体材料在带隙能量、击穿场强、热导率等参数方面具有优越的特性， ...
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分类: 2024-3-12 10:00
- 6吋！3家企业公布GaN单晶技术新进展
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近期，国内外多家GaN单位在氮化镓单晶扩径上取得突破：● 丰田合成、大阪大学等：已成功制备高质量6英寸GaN衬底，并开发了8吋长晶设备。● 镓数：已顺利生产4吋氮化镓单晶衬底，正在攻克6吋及更大尺寸的单晶生长。● ...
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分类: 2024-3-12 09:59
- “上车”提速，两家SiC企业产品通过车规级可靠性认证
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导 读今日消息，瞻芯电子和蓉矽半导体均有SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证，加速“上车”进程。■瞻芯电子3款第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了 ...
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分类: 2024-3-12 09:57
- 合计投资16亿，两个SiC项目传来新进展
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碳化硅（SiC）是当下的热门赛道之一，投资者纷至沓来。近期，又有两个项目迎来新动态。纬湃科技落子天津根据“天津经开区一泰达”的报道，3月6日，天津经开区与纬湃汽车电子（天津）有限公司（以下简称：纬湃科技） ...
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分类: 2024-3-12 09:51
- 两会直击！关于半导体，政府工作报告说了什么？
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在全国两会如火如荼地进行之际，半导体产业再次成为热议的焦点。作为现代信息技术的基石，半导体产业的进步对国家的科技实力和经济竞争力具有深远影响。中央政治局会议近期指出，新质生产力是创新起主导作用，摆脱传 ...
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分类: 2024-3-11 11:39
- 2024年碳化硅（SiC）外延及供应商报告
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外延是指在碳化硅衬底的表面，生长出的一层质量更高的单晶材料，在导电型碳化硅衬底表面生长一层碳化硅外延层，称为同质外延；在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，则称为异质外延。碳化硅晶体在生长过程中会不 ...
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分类: 2024-3-11 11:30
- 杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究
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IGBT和碳化硅（SiC）模块的开关特性受到许多外部参数的影响，例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感（DC−Link loop inductance）和栅极环路电感（Gate loop induct ...
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分类: 2024-3-11 11:08
- 半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
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氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点，在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以 ...
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分类: 2024-3-11 09:46
- 碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
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摘 要相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点 而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件 最常用的互连形式之一。然而,引线 ...
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分类: 2024-3-8 09:18
- 全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
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近年来，随着碳化硅（SiC）衬底需求的持续激增，降低SiC成本的呼声日益强烈，最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高，达到50%左右。这意味着衬底领域的成本降低和利用率的 ...
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分类: 2024-3-8 09:11
- 2023碳化硅业绩增长超4倍！onsemi CEO的深度洞察与战略规划
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近日，onsemi首席执行官Hassane El-Khoury在Morgan Stanley Technology, Media Telecom Conference上分享了公司的战略转型以及对未来行业发展的独到见解。以下是他在问答环节中提出的一系列重要观点：1. 利润能力的 ...
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分类: 2024-3-8 09:06
- 宽禁带科技论|北大团队研制1200V超低动态电阻GaN功率晶体管
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借助GaN材料高击穿电场、高电子迁移率等优良的物理特性，GaN功率器件有望大量应用于高压大功率领域。目前，GaN功率器件已经在消费电子领域实现商业化，但电压等级仅为650 V。然而，面向电动汽车、工业电机等工业电子 ...
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分类: 2024-3-8 09:05
- 为什么大厂都在「卷」800V？
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文 / 五行在2023年，新能源汽车市场的竞争激烈程度创下历史新高，其中有多个焦点，800V高压平台正是其中之一。有了它的加持，“充电五分钟，通话两小时”就不是梦。目前，比亚迪、华为、吉利、广汽、小鹏和奇瑞等车 ...
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分类: 2024-3-7 09:29
- 干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解
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在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中，在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中，有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“ ...
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分类: 2024-3-7 09:16
- GaN/金刚石功率器件界面的热管理
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来源 |ACS Applied MaterialsMaterials原文 |https://doi.org/10.1021/acsami.3c1777801背景介绍氮化镓(GaN)功率器件中千伏特击穿电压的演示长期以来一直激励着电力电子和其他应用的优化。这是由于电力系统中转换效 ...
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分类: 2024-3-7 09:13
