中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟 › 首页 ›新闻通知

新闻通知

下级分类: 公告通知|联盟动态

APCSCRM 2023|硬科技路演主题活动：推动宽禁带半导体成果转化: 2023年11月8日-10日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)在中国北京朗丽兹西山花园酒店盛大召开。会议聚焦宽禁带半导体（SiC, GaN, Ga2O3, AlN, 金刚石等）相关材料及器件多学科主题，围绕宽禁带半导 ...; 分类: 联盟动态 2023-11-27 16:05

【入盟邀请】宽禁带半导体技术创新联盟欢迎您加入: PART.1关于宽禁带联盟中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）成立于2016年，是在国家科技部、北京市科委、新疆生产建设兵团科技局和北京市民政局的大力支持下，由从事宽禁带半导体研发、生产 ...; 分类: 联盟动态 2023-11-27 14:50

【器件与应用专场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 11月9日-10日器件与应用专场由中国台湾英飞凌旗下事业GaN Systems 业务开发副总裁 Andy Chuang、北京智慧能源研究院功率半导体研究所所长金锐、株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家刘国友、宽禁带半导体技术创 ...; 分类: 联盟动态 2023-11-27 13:25

【材料与装备专场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 11月9日-10日材料与装备专场报告由厦门大学张峰教授、北京镓和半导体有限公司董事长唐为华教授、山东大学贾志泰教授、奥趋光电技术(杭州 )有限公司创始人兼CEO吴亮主持。材料与装备专场邀请了中国科学院苏州纳米技术 ...; 分类: 联盟动态 2023-11-27 11:18

【主会场报告】第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议 APCSCRM 2023: 2023年11月8日-10日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院物理研究所、中国电子材料行业协会半导体材料分会、中国晶体学会主办，北京天科合达半导体股份有限公司承办的第四届亚太碳化硅及相关材料国际 ...; 分类: 联盟动态 2023-11-27 09:45

开放联通，共筑未来-第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2023)圆满闭幕！: 2023年11月8日-10日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议(Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials，APCSCRM 2023)在中国北京朗丽兹西山花园酒店盛大召开。本次会议由中关村天合宽禁带半 ...; 分类: 联盟动态 2023-11-27 09:28

【技术】薄 SiC 肖特基功率二极管如何提高功率转换应用的性能: 使用碳化硅 (SiC)，肖特基二极管可以在功率转换应用中比硅 (Si) P/N 二极管提高效率和性能。在本文中，我们将重点介绍Nexperia新推出的 PSC1065K SiC 650V 肖特基二极管的一些特性和性能。SiC肖特基二极管的优点由于 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-17 10:13

AI时代下的数据中心：氮化镓成为能效关键: 数字时代正经历一场由两大趋势驱动的巨大变革，实时数据分析的庞大需求为其一，另一则是生成式人工智能 (Generative AI) 的快速发展。一场激烈的生成式AI竞赛正如火如荼的进行中，科技巨头如亚马逊 (Amazon)、谷歌 ( ...; 分类: 新闻通知 2023-10-17 10:09

【成员风采】乾晶半导体（衢州）中试线主厂房封顶: 10月13日，乾晶半导体（衢州）有限公司（下文简称乾“乾晶半导体”）发文称，公司SiC衬底项目中试线主厂房封顶。据悉，乾晶半导体（衢州）作为杭州乾晶半导体有限公司的全资子公司及生产基地，仅用4个月中试车间金顶 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-17 10:01

【硬科技项目路演观众报名开始啦】APCSCRM 2023系列活动: 为进一步发挥宽禁带联盟桥梁纽带作用，提升宽禁带半导体领域的专业与产业优势，强化技术创新与产业赋能效果，推动宽禁带半导体产业链条上各企业、高校、院所间跨界融合创新，全面实现降本增效，由中关村天合宽禁带半 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-17 09:59

大会主席@三会嘉宾集体亮相第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议: 亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM）自2018年在中国北京举办首届会议以来，目前已经成功举办三届，每届会议均吸引来自欧美日等十余个国家或地区的权威代表参加，历届出席人数累计超过2000人次，共发表近200个报 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-16 09:45

双向 SiC 和 GaN 开关技术: 本期话题:双向 SiC 和 GaN 开关技术◎报告来源：Bidirectional SiC and GaN Switch Technology◎报告作者：报告作者：Dr. Victor VeliadisExecutive Director and CTO, PowerAmericaProfessor ECE North Carolina St ...; 分类: 新闻通知 2023-10-16 09:41

GaN和SiC，是共存还是替代？: 如今，追求功率密度和效率是当今众多行业创新的最大动力，包括数据中心、可再生能源、消费电子产品、电动汽车和自动驾驶汽车等。而在宽带隙（WBG）材料行业，目前有两种主要材料平台——GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-16 09:33

SiC MOSFET 偏置 C-V 曲线：温度研究: *文章编译仅供参考由于碳化硅（SiC）具有高热导率和高带隙等优异特性，碳化硅（SiC）MOSFET 正在取代硅（Si）IGBT。尽管这项技术在过去几年取得了显著进步，但仍面临一些挑战。其中，SiC/SiO2 接口的高密度缺陷会影 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-12 10:37

中科院物理所：8英寸碳化硅单晶扩径区域的微管缺陷研究: 碳化硅（SiC）功率器件在各个领域具有巨大的应用潜力，包括电动汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、5G通信等。然而，这些器件的广泛应用受到其高成本的阻碍。因此，降低SiC晶片的成本对于最大限度地降低SiC基功率 ...; 分类: 新闻通知 2023-10-12 10:31

1 ... 72 73 74 757677 78 79 80 ... 245 / 245 页下一页

相关分类

平等、合作、互助、互惠

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟京ICP备17067035号

© 2001-2013 Comsenz Inc. Powered by Discuz! X3.2

返回顶部