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总价值约为 2.75 亿美元，Wolfspeed再签单: 1月31日，据Wolfspeed官网消息，Wolfspeed宣布扩大与一家全球领先半导体公司现有的长期碳化硅晶圆供应协议。据悉，扩大后的协议目前总价值约为 2.75 亿美元。协议要求 Wolfspeed 向该公司提供150mm 碳化硅裸片和外延 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-2 09:21

《宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？》成功举办！: 1月31日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社主办的“宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到了中关村联盟联合会、创客总 ...; 分类: 联盟动态 2024-2-2 09:17

厦大物理宽禁带半导体团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展: 近日，厦门大学宽禁带半导体团队基于扫描隧道探针技术在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展，相关成果以“Manipulations of electronic and spin states in Co-quantum dot/WS2 heterostructure on a metal-d ...; 分类: 新闻通知 2024-2-1 09:58

芯联集成与蔚来签署SiC模块生产供货协议: 继2023年12月意法半导体与理想汽车签署一项碳化硅（SiC）长期供货协议、今年1月初安森美与理想汽车续签长期供货协议后，SiC加速上车进程又迎来了一起合作案例。source：拍信网1月30日，芯联集成官宣与蔚来签署了SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-2-1 09:37

接洽3家SiC企业！这家汽车巨头也要加速国产替代？: 最近，国内另一家汽车巨头——奇瑞汽车连续洽会见了3家碳化硅企业，也似乎在加快与国内碳化硅企业的合作，详细情况请往下看。会面昕感、阿基米德奇瑞积极寻求SiC国产替代最近，有2家碳化硅企业透露，他们奇瑞汽车就 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-31 09:12

两个思维导图，关于SiC价值链: 图片1来源：ADVANCED PROPULSION CENTRE UK图片2来源：McKinsey Company; 分类: 新闻通知 2024-1-31 09:07

联合攻关成果！首个1700V GaN HEMT器件发布: 近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-26 09:21

GaN技术，新变局: 目前，以传统半导体硅（Si）为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。但现有的硅基功率技术正接近材料的理论极限，只能提供渐进式的改进，无法满足现代电子技术对耐高压、耐高温、高频率、高功率乃至抗辐 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-26 09:15

技术解析｜采用SiC功率模块的高效逆变器设计: 分类: 新闻通知 2024-1-25 09:29

碳的晶体形态金刚石电子器件有望用于绿色电网: 金刚石半导体器件的尺寸为4 mm x 4 mm。图源：伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校格兰杰工程学院本文是IEEE Spectrum与IEEE Xplore合作的独家IEEE Journal Watch系列的一部分。事实证明，高压电网对于可再生能源来说更加高 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-25 09:25

山东有研半导体与山东粤海金开展碳化硅衬底片业务合作: 据有研官微消息，2024年1月17日，山东有研半导体与山东粤海金正式签署了《碳化硅衬底片业务合作协议》，该协议旨在充分发挥双方各自优势，创新业务合作模式，共同拓展碳化硅衬底片市场与客户。本次合作是山东有研半 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-25 09:24

英飞凌与 Wolfspeed 扩大并延伸多年期碳化硅 150mm 晶圆供应协议: 2024 年 1 月 23 日，德国慕尼黑、美国北卡罗来纳州达勒姆、中国上海市讯 – 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）与全球碳化硅技术引领者 Wolfspeed 公司 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-25 09:23

电子｜功率器件：中低端行业见底，中高端关注SiC产业突破: 文｜徐涛夏胤磊展望功率器件板块2024年发展趋势，我们认为：1）MOS二三极管行业周期底部逐步明确；2）IGBT短期仍有降价压力，相关本土厂商竞争力已得到充分提升，部分厂商已开启出海之路；长期来看，国产厂商的全球 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-24 09:24

大电流下SiC MOSFET功率模块的驱动器研究: 文章来源：电气传动作者:温传新1，朱金大1，武迪1，云阳1，程远2，杜博超2（1.国电南瑞科技股份有限公司，2. 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院)摘要：由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-24 09:16

SiC产业持续升温：年末一波小高潮: 2023年底至2024年初，当人们欢天喜地迎新春之际，SiC产业同样一片火热，扩产、合作、融资、技术突破、新品发布等各种好戏轮番上演，共促SiC全产业链蓬勃发展。SiC项目进展1月18日，浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-24 09:04

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