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哈工大团队：金刚石肖特基二极管研究获新进展: 在瑞士日内瓦举行的第50届国际发明展上，哈尔滨工业大学光电薄膜与晶体团队研发的“金刚石同位素电池技术”荣获评审团特别嘉许金奖。这一奖项被誉为“金奖中的金奖”，需要全票通过才能获得，含金量极高。此次获奖项 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 09:52

2Q25全球牵引逆变器装机量年增19%，增程式电动车助力SiC机种普及: 根据TrendForce集邦咨询最新发布的《全球电动车逆变器市场数据》，2025年第二季受惠纯电动车(BEV)销售成长，全球电动车（注1）牵引逆变器装机量达766万台，年增19%。从动力模式分析，BEV的装机比例为52%，继2024年第 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 09:29

中科大:龙世兵教授团队打造电控可调Ga₂O₃深紫外GAA光电晶体管: 中国科学技术大学龙世兵教授，赵晓龙教授，侯小虎副研究员等人发表了题为“Tunable Superlinear Gallium Oxide Gate-All-Around Deep-Ultraviolet Phototransistor for Near-Field Imaging” 的工作于ACS Nano期刊上 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-11 09:26

5000字长文讲透，你可以这样优化SiC栅级驱动电路: 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。SiC MOSFET 很好地兼顾了高压、高频和开关性能优势。它是电压控制的场效应器件，能够像 IGBT 一样进行高压开关，同时开关频 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-10 09:27

对β-Ga₂O₃与β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃的块 ...: 由德国莱布尼茨晶体生长研究所（IKZ）的研究团队在学术期刊IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing发布了一篇名为 Current Status of Bulk β-Ga2O3 and β-(AlxGa1-x)2O3 Crystal Growth（β-Ga2O3 与 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-10 09:24

星钥半导体8英寸硅基氮化镓Micro-LED芯片中试线在光谷通线: 9月8日上午，星钥半导体微型发光二极管（Micro-LED）生产线在光谷正式通线，成为国内首条8英寸硅基氮化镓Micro-LED芯片中试线。市委常委、东湖高新区党工委书记沈悦，星钥半导体（武汉）有限公司创始人骆薇薇出席通 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-10 09:19

发力化合物半导体，合肥高新区出台新方案！: 近日，合肥高新区出台《合肥高新区化合物半导体产业发展实施方案》。主要目标是围绕碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(lnP)及氧化镓(Ga203)、金刚石等材料，到2027年，合肥高新区形成以衬底和外延材料 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:48

国联万众8英寸晶圆产线成功通线: 近日，位于中关村顺义园的第三代半导体领军企业——北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）成功实现8英寸碳化硅（SiC）芯片晶圆工艺线通线。这一技术突破标志着我国在第三代半导体领域取得了重要进 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:45

宽禁带科技论|芯三代： 8英寸晶圆上生长4H-SiC外延层及重复性研究: 引言第三代半导体碳化硅(Silicon Carbide, SiC)材料从2英寸、3英寸、4英寸到6英寸的发展历程，已经证明了扩大尺寸可以显著提升SiC芯片和器件生产的经济性，目前碳化硅产业已经在推动开发8英寸晶圆，晶圆直径增加50m ...; 分类: 新闻通知 2025-9-9 09:34

【APCSCRM 2025】Registration is now open!: 分类: 公告通知 2025-9-9 09:31

SiC中介层，成为新热点: 过去几个月，台湾半导体产业的碳化硅产业链快速升温，原因竟和英伟达有关。今年5月，全球碳化硅龙头Wolfspeed宣布破产，但是，同一个月，环球晶董事长徐秀兰却表示，环球晶将和客户共同开发碳化硅新产品。加码碳化硅 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-5 09:14

镓仁半导体 8 英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓，国际领先！: 2025年7月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。第三方检测结果表明，8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽30 arcsec，达到国际领先水平。8 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-5 09:12

【学术进展】 Si基AlGaN/GaN功率半导体器件的研制和TCAD模型研究: 背景与亮点以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体功率器件具有优异的高频特性、高功率密度和能量转换效率，因此在数据中心、消费电子、电动汽车、光伏等领域展现出广阔前景；也为GaN在低成本和大规模Si衬底上的异质外延技 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-5 09:05

新增6起SiC合作，聚焦主驱应用、高压超结等: 近日，碳化硅领域新增多起合作，涉及基本半导体、东芝电子元件、宏微科技、英搏尔、芯华睿、新洁能等企业，有望持续推动碳化硅技术降本增效与规模化落地：基本半导体：与东芝、中汽芯达成SiC合作近日，基本半导体在 ...; 分类: 新闻通知 2025-9-4 09:11

宽禁带科技论|北方工业大学和西安交通大学实现在金刚石/LaB6 SBD宽能级范围界面态的精 ...: 近日，北方工业大学张旭芳副教授和西安交通大学王玮副教授在表界面领域权威学术期刊Surfaces and Interfaces发布了一篇名为Interface state extraction in LaB6/O-diamond SBDs by temperature-dependent C–V and J ...; 分类: 新闻通知 2025-9-4 09:10

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