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技术前沿｜一文解读氧化镓外延技术: 氧化镓（Ga₂O₃）作为新兴的第四代半导体材料，因其超宽的禁带宽度（~4.9eV）、高击穿场强（8MV/cm）和优异的Baliga品质因数（约为SiC的10倍、GaN的4倍），在高压功率器件、深紫外光电器件及极端环境电子 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-28 09:58

芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约: 4月24日，芯片级金刚石封装基板制造总部项目签约落户江阴霞客湾科学城，为江阴加快培育新质生产力、增强集成电路产业发展支撑力注入强劲动能。无锡市委常委、江阴市委书记许峰出席签约仪式，并与华泰国际能源开发有 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-28 09:56

3~4英寸Fe掺高阻β-Ga₂O₃单晶的制备及其性能研究: β-Ga2O3作为超宽禁带半导体材料，因优异的耐高压性能（理论击穿场强达8 MV/cm）和低成本制备潜力，在高压功率电子器件领域备受关注。然而，β-Ga2O3高熔点（约1800 ℃）、各向异性强、易解理等特性使得大尺寸高质量 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-28 09:35

超30款SiC新车型亮相！上海车展呈现3大新风向: 4月23日至5月2日，第二十一届上海国际汽车工业展览会在上海如约举行，吸引了来自26个国家和地区的近1000家中外知名企业参展。据上海国展集团等统计，展会首日展出车辆近1300辆，其中新能源汽车约占7成，且首发新车超 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-27 09:55

2条SiC生产线投产在即，年产能超3万片！: 近日，小编发现茂硅、谱析光晶、鬃晶科技等企业接连传来产线落地、园区入驻等消息，为SiC产业链注入新动力：茂硅：SiC制程产线即将投产，产能达3000片/月4月23日，据中国台湾媒体报道，中国台湾晶圆代工厂茂硅透露， ...; 分类: 新闻通知 2025-4-27 09:41

南京IGBT/SiC功率模块项目投产，年产250万只: 4月23日，丹佛斯动力系统官方宣布，他们的南京功率模块园区正式启用,总投资超8亿元，可年产IGBT/SiC功率模块250万只，电机及电驱动产品10万套。当天，丹佛斯在南京经开区举行了“南京园区启用仪式”，出席启动仪式的 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-27 09:40

强强联合，华润微和美的签署战略合作协议: 近日，华润微电子与美的集团在美的总部（广东佛山）全球创新中心正式签订了战略合作协议，双方将在半导体创新技术、行业智能化升级应用、供应链完善等多个关键领域展开深度合作。source：华润微电子据悉，双方将共同 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-25 09:15

GaN-on-diamond技术，开启功率器件散热新纪元: 近日，深圳大学刘新科团队以“GaN-on-diamond technology for next-generation power devices”为题在MaM上发表综述文章，详细阐述了氮化镓-金刚石（GaN-on-diamond）技术在下一代功率器件中的应用，系统介绍了该技 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-25 09:06

格力电器：SiC装机量突破100万台: 4月22日，据“第一财经”消息，格力电器2025年第一次临时股东大会首次在其珠海碳化硅芯片工厂举行。据称，由该工厂生产的碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。早在2024年11月，格力电器就对外透露， ...; 分类: 新闻通知 2025-4-25 09:01

保时捷/博世：碳化硅嵌入式逆变器亮相，功率达720kW: 近期，弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所 (IZM) 的研究人员宣布，他们与保时捷和博世合作开发了一种新型逆变器Dauerpower，目标是突破传统主驱逆变器不可能实现的界限。据介绍，Dauerpower的峰值效率高达98.7%，其瞬时 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-25 09:00

利用p型氧化物提高GaN二极管的性能: 瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）报告称，通过在漂移层与高空穴密度p型非晶氧化镍层之间插入p型掺锂氧化镍（p-LiNiO）晶状层，p型氧化物/氮化镓（GaN）异质结（HJ）PiN双极二极管的性能有了显著提高。整个器件实现了1. ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 10:06

特斯拉专家访谈：GaN车载应用已成趋势: 2024年10月，特斯拉技术专家接受了国外咨询机构的调研，其深度解析了氮化镓技术在汽车领域的应用前景与挑战，同时还对D-mode / E-mode/直驱/单片集成等技术路线以及氮化镓主流玩家进行了点评。“行家说三代半”对该 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 10:02

基于n+-GaN 盖帽层的 Si 基 AlGaN/GaN 凹槽阳极功率器件的设计与研制: 近期，河北工业大学、广东工业大学展开联合研究，成功研制出具有沟槽n+-GaN盖帽层Si基AlGaN/GaN凹槽阳极肖特基势垒二极管（SBD），同时开发出仿真物理模型。借助沟槽n+-GaN盖帽层与薄Si3N4介质层的协同效应，实现了 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 09:56

【免费报名】如何破解宽禁带半导体"产-测-用"挑战，领航器件新发展？——宽禁带 ...: 在全球新能源汽车产业爆发式增长背景下，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为材料的宽禁带半导体器件在5G/6G通信，新能源领域逐渐带来更高性能的应用。当前，宽禁带半导体在材料生长工艺、器件参数测试标准、车规级可 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-24 09:50

哈工大最新成果，高导热金刚石复合材料异构成型技术: AI、新能源汽车等领域的高速发展，带动电子芯片功率不断上升，高功率散热技术成为了未来芯片技术的关键领域之一。为应对复杂高热流密度散热应用场景，立足于金刚石超高导热性，高导热金刚石复合材料异构成型技术备受 ...; 分类: 新闻通知 2025-4-23 09:39

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