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下级分类:  公告通知|联盟动态
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
氮化镓(GaN)基材料被称为第三代半导体,其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段,在光电子学领域有重要的应用价值。GaN基紫外激光器由于波长短、光子能量大、散射强等特点,在紫外光刻、紫外固化、病毒检测以 ...
分类:    2024-3-11 09:46
碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
摘 要相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点 而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用。传统的引线键合是功率器件 最常用的互连形式之一。然而,引线 ...
分类:    2024-3-8 09:18
全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
全球8英寸SiC晶圆厂将达11座
近年来,随着碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,降低SiC成本的呼声日益强烈,最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本在整个成本结构中占比最高,达到50%左右。这意味着衬底领域的成本降低和利用率的 ...
分类:    2024-3-8 09:11
2023碳化硅业绩增长超4倍!onsemi CEO的深度洞察与战略规划
2023碳化硅业绩增长超4倍!onsemi CEO的深度洞察与战略规划
近日,onsemi首席执行官Hassane El-Khoury在Morgan Stanley Technology, Media Telecom Conference上分享了公司的战略转型以及对未来行业发展的独到见解。以下是他在问答环节中提出的一系列重要观点:1. 利润能力的 ...
分类:    2024-3-8 09:06
宽禁带科技论|北大团队研制1200V超低动态电阻GaN功率晶体管
宽禁带科技论|北大团队研制1200V超低动态电阻GaN功率晶体管
借助GaN材料高击穿电场、高电子迁移率等优良的物理特性,GaN功率器件有望大量应用于高压大功率领域。目前,GaN功率器件已经在消费电子领域实现商业化,但电压等级仅为650 V。然而,面向电动汽车、工业电机等工业电子 ...
分类:    2024-3-8 09:05
为什么大厂都在「卷」800V?
为什么大厂都在「卷」800V?
文 / 五行在2023年,新能源汽车市场的竞争激烈程度创下历史新高,其中有多个焦点,800V高压平台正是其中之一。有了它的加持,“充电五分钟,通话两小时”就不是梦。目前,比亚迪、华为、吉利、广汽、小鹏和奇瑞等车 ...
分类:    2024-3-7 09:29
干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解
干法刻蚀与湿法刻蚀的优劣详解
在本文将简要说明湿法蚀刻和干法蚀刻每种蚀刻技术的特点和区别。在半导体制造中,在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中,有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“ ...
分类:    2024-3-7 09:16
GaN/金刚石功率器件界面的热管理
GaN/金刚石功率器件界面的热管理
来源 |ACS Applied MaterialsMaterials原文 |https://doi.org/10.1021/acsami.3c1777801背景介绍氮化镓(GaN)功率器件中千伏特击穿电压的演示长期以来一直激励着电力电子和其他应用的优化。这是由于电力系统中转换效 ...
分类:    2024-3-7 09:13
碳基半导体究竟什么时候产业落地?4月24-26日,2024碳基半导体材料与器件产业发展论坛 ...
碳基半导体究竟什么时候产业落地?4月24-26日,2024碳基半导体材料与器件产业发展论坛 ...
2024(第四届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛(CarbonSemi)4月25-26日 浙江·宁波大会概况探寻后摩尔时代芯机遇,碳基半导体从材料体系突围。不管是以碳纳米管、石墨烯为代表的碳纳米材料,还是石墨、金刚石、 ...
分类:    2024-3-7 09:11
超14万片!3个SiC晶圆项目加快推进
超14万片!3个SiC晶圆项目加快推进
近日,国内新增3个SiC晶圆项目动态:● 泰科天润:新6/8吋SiC晶圆项目一期投资4亿,计划2028年达产;● 瑞能半导体:募资3.3亿用于车规级SiC晶圆项目,或于今年一季度投产;● 绿能创芯:6吋SiC芯片项目落地四川内江 ...
分类:    2024-3-6 14:11
斯达半导体 | 碳化硅SiC芯片研发及产业化项目预计本月正式投产
斯达半导体 | 碳化硅SiC芯片研发及产业化项目预计本月正式投产
3月4日,嘉兴南湖区发布信息称,南湖区有14个项目入选浙江省“千项万亿”工程,其中披露了有3个项目将于今年投产:分别为金瑞泓微电子(嘉兴)年产480万片300毫米大硅片生产基地建设项目、嘉兴斯达微电子有限公司高 ...
分类:    2024-3-6 14:09
宽禁带半导体大讲堂——宽禁带半导体器件,2024年机会在哪?
宽禁带半导体大讲堂——宽禁带半导体器件,2024年机会在哪?
近期中央政治局集体学习提出要“推动新能源高质量发展,加快能源结构转型,有序推进新能源产业链合作,构建能源绿色低碳转型共赢新模式”。宽禁带半导体材料在带隙能量、击穿场强、热导率等参数方面具有优越的特性, ...
分类:    2024-3-6 14:05
刘吉臻院士:能源转型与新型电力系统
刘吉臻院士:能源转型与新型电力系统
2023年9月16日,2023全球能源转型高层论坛在北京举行。华北电力大学教授、中国工程院院士刘吉臻在论坛上作了《能源转型与新型电力系统》的主题报告。以下为报告实录。本文来源:储能研究院、中能科讯。刘吉臻:能源 ...
分类:    2024-3-5 09:57
德欧泰克 | SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用
德欧泰克 | SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用
2023年11月在意大利举办的Fortronic 2023活动上,Diotec Semiconductor的产品经理乌多·斯坦布鲁纳(Udo Steinebrunner)发表了题为“SiC和硅基组件在电动汽车充电电路中的应用”的演讲。本文将分享Steinebrunner演 ...
分类:    2024-3-5 09:54
技术|并联SiC功率器件的新型磁集成并联均流控制方法
技术|并联SiC功率器件的新型磁集成并联均流控制方法
前言:本文提出了一种用于并联碳化硅(SiC)功率器件的新型磁集成并联均流控制方法。分析了并联SiC功率器件的应用问题。采用耦合电感法来解决该问题。基于有源反馈变换器,建立了耦合电感的理论模型,并阐明了其工作 ...
分类:    2024-3-5 09:52

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