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西安交通大学：SiC MOS 在有源功率因数校正电路中的应用: 文章来源：韩芬（西安交通大学城市学院）摘要：为了提高开关电源的工作频率，降低开关损耗，减少电磁污染等，采用第三代半导体功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS，同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:50

上海微系统所发布面向5G/Wi-Fi 6异质集成双模SAW射频滤波器技术: 近日，第69届国际电子器件大会（IEDM 2023）在美国旧金山召开。上海微系统所欧欣研究员课题组以口头报告形式发表了题为“Miniaturized Dual-Mode SAW Filters using 6-inch LiNbO3-on-SiC for 5G NR and WiFi 6”的 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:40

蔚来发布自研自产1200V SiC功率模块汽车！: 12月23日，蔚来汽车在NIO Day上发布行政旗舰车型ET9，成为蔚来旗下又一款搭载碳化硅（SiC）功率模块的车型。source:蔚来据介绍，ET9采用蔚来自研自产的1200V SiC功率模块，以及面向900V的46105大圆柱电芯和电池包， ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:34

8吋SiC新技术！产能增40%，成本降80%: 最近，日本举办了“SEMICON Japan 2023”展览会，有一项可用于 6 8吋SiC晶锭切割的新技术引起了多家媒体报道，据称可以降低20%的SiC晶锭切割损耗，衬底片产出可以增加40%，并且由于不需要使用金刚石磨料，加工材料 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-28 09:33

「GaN初识-2」GaN功率器件的分类、集成、封装解决方案: 上一期「GaN初识」栏目我们从概述与发展方面简单地了解了一下氮化镓，神奇的「氮化镓」。本期我们从三个角度出发：◎氮化镓功率器件：分类和运行◎氮化镓结构的集成◎封装解决方案01.GaN功率器件：分类和运行基于GaN ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 10:16

「GaN初识-1」神奇的「氮化镓」: 导读在一些电力电子应用中，宽带隙材料已开始取代硅。目前，氮化镓（GaN）可能是电力电子领域最具挑战性的技术，它可以开发出功率密度更高、导通电阻更小、开关频率极高的器件。01.氮化镓初识氮化镓这种半导体材料 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 10:09

中科院物理所陈小龙研究员获2023年中国科学院“年度创新人物”: 12月23日，中国科学院在2024年度工作会议上颁发了2023年度中国科学院杰出科技成就奖、青年科学家奖，公布了2023年中国科学院年度人物和年度团队，以及科技促进发展奖获奖名单。其中中国科学院物理研究所陈小龙研究员 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-27 09:31

全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶: 全球首次采用垂直布里奇曼法（VB）成功制备6英寸β型氧化镓单晶―为β型氧化镓基板的大口径、高品质做出贡献―Novel晶体科技有限公司在全球首次采用垂直布里奇曼（VB）法成功制备出6英寸β型氧化镓（β-Ga2O3）单晶 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-26 09:35

南京国盛第一枚硅基氮化镓外延片正式下线: 12月22日，电科材料下属国盛公司南京外延材料产业基地项目第一枚硅基氮化镓（GaN on Si）外延产品下线，标志着国盛公司已步入第三代半导体产业发展的快车道。硅基氮化镓材料拥有高频率、低损耗、抗辐射性强等优势， ...; 分类: 新闻通知 2023-12-26 09:32

科技小饭局之“新芯向荣” 活动成功举办: 12月22日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟联合创客总部、小饭桌、机械工业出版社、中关村产业技术联盟联合会、中国地质大学（北京）材料学院校友会、零碳信息通信网络联合实验室共同组织的科技小饭局之“新芯向 ...; 分类: 联盟动态 2023-12-26 09:09

【深度报告】从沉积设备论半导体设备的国产化加速机遇: 来源：半导体在线*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。; 分类: 新闻通知 2023-12-25 08:52

技术分享 | 碳化硅MOSFET驱动电路详解: 本文重点介绍碳化硅 (SiC) MOSFET 驱动电路的设计注意事项。涵盖SiC MOSFET驱动的隔离要求、SiC MOSFET驱动电流和驱动损耗的计算、SiC MOSFET驱动电流PCB布局的基本原则、SiC MOSFET并行设计的注意事项、寄生导通效 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-25 08:46

一汽大湾区研发院揭牌，聚焦SiC功率半导体等方向: 12月18日，中国第一汽车集团有限公司（下文简称“中国一汽”）大湾区研发院揭牌仪式在深圳国资国企产业创新中心举行。source：中国一汽据悉，本次揭牌的中国一汽大湾区研发院将聚焦新能源和智能汽车领域前瞻技术、先 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-22 09:52

热点话题 | WBG 功率半导体特性和可靠性挑战: 2023年12月5-7日，在美国举行的第十届 IEEE宽带隙功率器件和应用研讨会 (WiPDA)上，行业专家讨论了WBG功率器件/模块特性和可靠性测试的最新进展。本文将对会议重点做汇总，供各位专家参考！碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (G ...; 分类: 新闻通知 2023-12-22 09:49

太原理工大学在金刚石/氮化镓薄膜生长工艺与热物性表征领域进展: 近日，太原理工大学周兵课题组和武汉大学袁超课题组合作，先后在国际权威期刊《Materials Characterization》和《Diamond Related Materials》上，发表了题为“Effect of bias-enhanced nucleation on the microstr ...; 分类: 新闻通知 2023-12-21 09:42

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