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液相法：未来碳化硅单晶生长的关键技术突破: 作为第三代宽禁带半导体材料，SiC（碳化硅）凭借其优异的物理和电学特性，尤其在高频、高压和大功率半导体器件中展现出广泛的应用前景。SiC的应用领域涵盖了电力电子、通信、汽车、能源等多个行业，是支撑现代高效、 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-13 09:15

【国际论文】KAUST研制出首个氧化镓双向开关: 近期，阿卜杜拉国王科技大学KAUST的先进半导体实验室在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为Demonstration of normally OFF beta-gallium oxide monolithic bidirectional switch for AC switching applic ...; 分类: 新闻通知 2024-12-11 14:03

抢占车用市场，两大国际厂商合作开发氮化镓逆变器: 目前，新能源汽车领域已成为碳化硅（SiC）最热门和最大规模的应用市场，各大碳化硅相关厂商动作频频。与此同时，和碳化硅同为第三代半导体代表材料的氮化镓（GaN），在新能源汽车市场的应用潜力也在日益显现，研发热 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-11 13:59

安森美斥资1.15亿美元收购Qorvo旗下SiC JFET技术: 安森美（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-11 13:57

市场 | 6亿资金！美根据CHIPS法案再把资金投向两家碳化硅厂家: 近日，美国政府宣布了与Coherent、SkyWater和X-Fab三家公司签署的初步条款备忘录（PMT），这是在“芯片和科学法案”（CHIPS and Science Act）下的重要一步，旨在通过直接资金支持，增强美国半导体制造组件的生产能 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-11 13:53

单晶氮化铝衬底上的MESFET: 美国亚利桑那州立大学（ASU）就单晶AlN衬底上的高压AlN金属半导体场效应晶体管（MESFET）进行了报告。研究人员们表示，这项工作是“在原生衬底上通过同质外延生长实现AlN晶体管”的首次报告。研究团队评论道：“与 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-10 09:13

富加镓业氧化镓外延片经二轮器件验证，性能具有显著国际竞争优势: 性能突破近日，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称：富加镓业）在第一轮器件验证基础上（相关新闻可点击链接：氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证），优化MBE外延工艺，大幅提升外延片性能，基于此外延片研制 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-10 09:11

电压覆盖700V，英飞凌发布全新一代氮化镓产品: 12月5日，据英飞凌工业半导体消息，英飞凌发布了全新一代氮化镓产品CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列，采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造，将氮化镓的应用范围扩大到40V至700V。source：英飞凌 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-10 09:08

观点 | 碳化硅在车用市场的渗透率持续走高趋势确定性强: 碳化硅车用市场高渗透率，长期确定性较强转眼已是2024年的年末。今年一年，对碳化硅产业链来说可谓是巨变的一年，市场周期波动带来的需求变化，以及产能过剩及库存调整等压力逐步让产业链企业深深感受到了“寒意”。 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-10 09:02

成果 | 王新强、王涛团队在褶皱二维氮化镓声子研究中取得重要进展: 近日，北京大学物理学院凝聚态物理与材料物理研究所、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心王新强教授与北京大学电子显微镜实验室王涛高级工程师探测到褶皱二维氮化镓（GaN）的声子行为。相关 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-9 09:46

中汽协颁奖 | 芯联动力获“2024中国汽车芯片创新成果”荣誉: 中汽协为芯联动力颁发“2024中国汽车芯片创新成果”奖项，这一荣誉是对公司技术创新实力的高度认可。12月6日，芯联集成控股子公司芯联动力的SiC MOS主驱芯片，成功斩获中国汽车工业协会（简称“中汽协”）“2024中国 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-9 09:44

我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破: 近日，松山湖材料实验室第三代半导体团队与西安电子科技大学郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队，以及广东致能科技有限公司联合攻关，成功基于2~6英寸AlN单晶复合衬底制备了高性能GaN HEMTs晶圆。得益于AlN单 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-9 09:43

宽禁带科技论|哈工大深圳宋清海/周宇团队碳化硅波导中的量子纠缠: 导读核-电子量子寄存器是构建量子网络和进行量子传感时不可或缺的部件。它们利用电子和原子核的自旋来存储和处理信息，这些自旋就像是量子世界中的小磁针。现在，科学家们正在研究如何把这些自旋集成到一个很小的芯 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-9 09:31

东部高科将与封测厂合作开发碳化硅/氮化镓: 据韩媒报道，12月4日，韩国半导体封装企业LB Semicon与晶圆代工厂DB HiTek（东部高科）宣布，双方将合作开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）产品。目前，东部高科正在推进SiC和GaN半导体业务，而LB Semicon也计划通过 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-6 09:34

华润微：碳化硅模块产品已在上量阶段: 近日，华润微接受投资机构调研，对其MOSFET产品、12英寸产线、碳化硅产品等相关业务进展情况进行了介绍。在碳化硅业务方面，华润微表示，其碳化硅二极管、碳化硅MOSFET产品均已实现批量供货，同时碳化硅模块产品已在 ...; 分类: 新闻通知 2024-12-6 09:31

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