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北方华创：碳化硅外延设备技术研究: 碳化硅外延设备技术研究袁福顺，邓晓军，李庆岩，王石北方华创微电子装备有限公司，北京摘要碳化硅外延技术是采用化学气相沉积设备在N型4H-SiC 衬底上进行同质外延生长，而外延生长设备所具有的温度场和气流场的状态 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-15 09:27

华为计划2024年部署超10万个超充桩，将带来海量碳化硅衬底需求: 12月7日，在海南省海口市举行的2023世界新能源汽车大会上，华为数字能源技术有限公司总裁侯金龙发表了“全面高压化，全面超快充，推动新能源汽车与充电基础设施高质量协同发展”主题演讲。侯金龙表示，华为数字能源 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:48

南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性认证: 近日，南瑞半导体自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证。标志着南瑞半导体产品质量达到了国际领先水平，为其新能源汽车领域市场的拓展奠定了坚实基础。AEC-Q101认 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:44

英特尔发力氮化镓: 在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用于高度集成的48V设备。具有集成驱动器的 GaN 器件由 Cambridge GaN Devices、EPC 和 Navitas 以及英飞凌领导的欧洲重大研究项 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:35

Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究: 文章来源：伍丰1 ,2 ，张灵芝1 ,2 ，蒋逢灵1 ,2 (1.湖南铁路科技职业技术学院；2.湖南省高铁运行安全保障工程技术研究中心)摘要：针对Boost变换器中SiC(碳化硅)与IGBT模块热损耗问题，给出了Boost电路中功率模块热 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-14 09:31

关于碳化硅，这几张图值得研究: *以下内容为Porsche Consulting在SEMICON Europa的报告内容编译概括Porsche Consulting - SiC: Paving the way for sustainable mobility碳化硅是提高汽车电力传动系统性能、效率、封装和重量的重要技术手段，同时还 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-13 09:53

【报告分享】金锐：碳化硅MOSFET研究进展分析: 11月9日，第四届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2023）在北京召开。我们邀请到了北京智慧能源研究院教授级高级工程师金锐在会上作了题为“碳化硅MOSFET研究进展分析”的报告。碳化硅作为第三代宽禁带半导体 ...; 分类: 联盟动态 2023-12-13 09:41

动态 | 美国亚利桑那州立大学成功制备出3kV AlN基肖特二极管: 原文题目：3 kV AlN Schottky Barrier Diodes on Bulk AlN Substrates by MOCVD原文作者：Dinusha Herath Mudiyanselage, Dawei Wang, Ziyi He, Bingcheng Da, and Houqiang Fu, Arizona State University原文链接： ...; 分类: 新闻通知 2023-12-12 09:37

4H-SiC MOSFET 栅氧界面性能提升工艺: 由于碳化硅（SiC）具有宽带隙、高击穿电场等较为优异的电学性能， SiC基功率器件在电力电子系统中的潜在应用受到越来越多的研究关注。其中，SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件是现代微电子芯片中的关 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-12 09:34

科技小饭局2023收官之作——“新芯向荣” 活动开始报名啦！: 2023犇赴前行，2024龙行龘龘。宽禁带半导体产业作为战略性新兴产业，目前我国已经建立了从材料、装备、器件到应用的全产业链创新体系，为产业高质量发展提供了有力支撑。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化镓（Ga2O3 ...; 分类: 公告通知 2023-12-12 09:24

工信部原部长苗圩：新能源车渗透率超50%的目标或提前十年实现: “虽然上半场中国新能源汽车打得很好，但是决定胜负的还在于以智能汽车发展为代表的下半场竞争。”近日，全国政协常委、经济委员会副主任、原工业和信息化部部长苗圩在2023第十八届中国汽车产业论坛表示，中国汽车市 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-11 09:55

论文推介丨碳化硅晶圆的表面/亚表面损伤研究进展: 表面无损伤、粗糙度低的半导体碳化硅(4H-SiC)衬底是制造电力电子器件和射频微波器件的理想衬底材料，在新能源、轨道交通、智能电网和5G通信等领域具有广阔的应用前景。4H-SiC衬底的加工过程包括切片、减薄、研磨、抛 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-11 09:50

市场 | 东芝 x 罗姆，日本全面发力功率半导体市场: 8日消息：根据日本当地媒体，东芝和罗姆将合作巨额投资 3883 亿日元（约合 27 亿美元），用于联合生产功率芯片。这是自罗姆参与以 140 亿美元收购东芝以来的首次合作。消息称，此次合作符合日本工业省的战略愿景，解 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-11 09:36

北京科技大学:碳化硅高速电机控制器设计及效能分析: 文章来源：北京科技大学-机械工程学院（冯明，侯东易，安嘉强）摘要：以碳化硅（SiC)器件为代表的宽禁带半导体器件，对比以绝缘栅双极型晶体管（ICBT)为代表的硅基半导体功率器件，有开关损耗低、开关速度快、器件耐 ...; 分类: 新闻通知 2023-12-11 09:31

三安半导体叶念慈：产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能: 由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀，例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。然而，在整个SiC功率器件中，材料成本（即衬底和外延层）通常占比50%~75%。这将大大推迟Si ...; 分类: 新闻通知 2023-12-8 14:02

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