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“四两拨千斤”,宽禁带技术如何颠覆性创新
“四两拨千斤”,宽禁带技术如何颠覆性创新
在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中,宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁 ...
分类:    2023-12-8 13:34
国际论文 | 主动式后热器对通过EFG生长方法生长氧化镓晶体的影响
国际论文 | 主动式后热器对通过EFG生长方法生长氧化镓晶体的影响
摘要本研究探讨了在采用EFG方法生长氧化镓单晶时,主动式后热器的影响。我们通过对具有和不具有主动式后热器的模型进行多物理仿真,分析了晶体在生长过程中的温度分布,并通过将每个模型应用于真实的实验生长来研究 ...
分类:    2023-12-8 13:21
功率MOSFET功耗计算指南
功率MOSFET功耗计算指南
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CP ...
分类:    2023-12-8 11:04
车规级功率半导体玩家携创新GaN FET进军OBC领域
车规级功率半导体玩家携创新GaN FET进军OBC领域
前段时间,里卡多(Ricardo)在官网发布了《基于氮化镓的电动汽车逆变器设计》,据了解,他们与安世半导体达成合作,开发了基于GaN技术的主驱逆变器方案,为插电式混动汽车和纯电汽车提供更好的系统性能和效率。据悉 ...
分类:    2023-12-7 09:29
新方法研究 | 平板双折射装置在确定碳化硅晶片贯穿位错中的适用性
新方法研究 | 平板双折射装置在确定碳化硅晶片贯穿位错中的适用性
简介近年来,已经建立了生长块状碳化硅(SiC)晶体的物理气相传输(PVT)方法,以生长大面积无微管材料,用于高性能电力电子器件。虽然微管 (MP) 已基本上从商用晶圆中消失,但由于无意的多型转换或生长后退火处理, ...
分类:    2023-12-7 09:27
Wolfspeed射频业务正式出售
Wolfspeed射频业务正式出售
12月4日,SiC龙头Wolfspeed出售旗下射频业务的事宜迎来终章。今年8月22日,Wolfspeed宣布向美国半导体公司MACOM Technology Solutions Holdings, Inc出售其射频业务(“Wolfspeed RF”)。按照交易条款,Wolfspeed收 ...
分类:    2023-12-7 09:18
芯动+博世,长城汽车SiC的长期主义
芯动+博世,长城汽车SiC的长期主义
12月1日,芯动半导体与博世汽车电子在上海签署了长期订单合作协议。■长城汽车高级副总裁赵国庆、博世中国执行副总裁徐大全共同见证本次战略合作。芯动半导体董事长郑立朋、总经理姜佳佳、CTO洪涛,博世汽车电子半导 ...
分类:    2023-12-6 10:06
【报告分享】车用碳化硅功率模块设计探索
【报告分享】车用碳化硅功率模块设计探索
特 别 致 谢 下 列 专 家报告专家:宁圃奇 研究员中国科学院电工所推荐专家:齐 昕 副教授北京科技大学/宁圃奇/宁圃奇,博士,研究员,宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长。2004年毕业于清华大学电机系获工学学士,20 ...
分类:    2023-12-6 09:46
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
研究简介最近,中国科学技术大学龙世兵课题组提出了一种Ga2O3光电探测器的交变栅压调制方案,为光电探测器的研究提供了新的思路。日盲光电探测器在现今世界的光电系统中发挥着重要作用,然而几乎所有基于光电导效应 ...
分类:    2023-12-5 11:07
半导体检测行业深度:市场格局、国产替代机遇及相关企业深度梳理
半导体检测行业深度:市场格局、国产替代机遇及相关企业深度梳理
半导体检测是控制芯片制造良率的关键环节,整个设备市场规模约占半导体设备市场的13%,仅次于刻蚀机、光刻机、薄膜沉积设备。目前中国检测设备的国产化率仍较低,市场主要由几家垄断全球市场的国外企业占据主导地位 ...
分类:    2023-12-5 10:32
华为SiC的两个终端「杀手锏」
华为SiC的两个终端「杀手锏」
11月28日,华为与奇瑞汽车共同打造的智界S7正式上市。该系列拥有Pro、Max、Max+、Max RS共四款车型,售价为24.98-34.98万元。官方表示,目前新车预定量已经突破20000辆。动力方面,智界S7搭载全新一代DriveONE 800V ...
分类:    2023-12-5 09:38
新品 | 瞄准充电桩市场,Nexperia推出首款1200V SiC MOSFET
新品 | 瞄准充电桩市场,Nexperia推出首款1200V SiC MOSFET
本月初,三菱电机与 Nexperia宣布将共同开发 SiC 功率半导体,由三菱电机开发和供应 SiC MOSFET 芯片,Nexperia 将使用该芯片来开发 SiC 分立器件产品。昨日, Nexperia BV就已推出与三菱合作的首款碳化硅 (SiC) MOS ...
分类:    2023-12-5 09:30
这家晶圆代工厂加快第三代半导体布局
这家晶圆代工厂加快第三代半导体布局
据韩媒ETnews消息,近日,韩国晶圆代工大厂东部高科(DB HiTek)聘请了一位来自安森美的功率半导体专家。业内人士透露,东部高科聘请了安森美半导体前技术开发高级总监Ali Salih,并让他负责氮化镓(GaN)工艺开发。 ...
分类:    2023-12-4 09:44
热应力下的阈值漂移及器件可靠性
热应力下的阈值漂移及器件可靠性
P-GaN HEMT 器件电热仿真结果半导体器件如HEMT器件在长时间工作后会产生自热应力,严重的自热效应会使沟道温度升高,电子迁移率降低,阈值电压漂移,自热应力下载流子的输运机制会发生变化,进而会影响器件的可靠性 ...
分类:    2023-12-4 09:41
1个月5家!光储充SiC需求升温
1个月5家!光储充SiC需求升温
SiC持续受到光储充行业青睐!近期,星星充电、中建建工、云充科技、Compleo、通合科技等光储充企业不断推出基于SiC的创新产品及技术,详情请看下文。中建建工、云充科技等推出SiC超充桩新技术●中建建工发布大功率Si ...
分类:    2023-12-1 10:17

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