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下级分类:  公告通知|联盟动态
800V高压架构提升系统性能之SiC的到来
800V高压架构提升系统性能之SiC的到来
一、背景我们知道为解决新能源汽车充电时间长的问题,当前在国内汽车行业中采取的较为一致的方案是,通过将整车高压平台由传统的400V提升到800V级别,进而在同等充电电流下提高对整车的充电功率,以此来降低所需的充 ...
分类:    2024-2-19 09:24
多达数十家,SiC关键设备企业图谱
多达数十家,SiC关键设备企业图谱
碳化硅(SiC)具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点,主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。以新能源汽车为例,当下采用Si IGBT技术的功率模块仍在新能源汽车中占据主导地位,但 ...
分类:    2024-2-19 09:20
同样是逆变器,储能的和光伏的有啥区别?
同样是逆变器,储能的和光伏的有啥区别?
作为光伏发电和储能系统的核心部件,逆变器大名鼎鼎在外。很多人看见它们名字相同、作用领域相同,就认为这两个是同一类产品,其实并不然。光伏、储能逆变器,二者既是“最佳拍档”,也在功能、使用率、收益等实际应 ...
分类:    2024-2-19 09:16
中国:半导体设备市场的救赎者?
中国:半导体设备市场的救赎者?
01市场方面据彭博社援引中国海关数据汇总显示,2023年,中国大陆用于芯片制造的半导体设备的进口总额达到了接近400亿美元,同比增长了14%,这也是自2015年有记录以来的第二大进口额。仅在光刻机方面,据荷兰阿斯麦AS ...
分类:    2024-2-19 09:04
氮化镓功率器件外延技术的发展
氮化镓功率器件外延技术的发展
氮化镓(GaN)功率器件,例如高电子迁移率晶体管(HEMT),与硅(Si) 功率器件相比具有多项优势。氮化镓的固有材料优势包括具有高临界电场的宽禁带、低固有载流子浓度和高载流子迁移率。器件的优点包括低寄生电容和 ...
分类:    2024-2-18 11:09
碳化硅产业链1月动态|合作深化、项目进展、应用加快...
碳化硅产业链1月动态|合作深化、项目进展、应用加快...
来源:碳化硅芯观察
分类:    2024-2-18 10:47
【成员风采】恭喜!天科合达荣膺芯联集成“2023年度优秀供应商”
【成员风采】恭喜!天科合达荣膺芯联集成“2023年度优秀供应商”
2024年1月18日,为表达对天科合达在2023年度优质碳化硅衬底供应方面的感谢,芯联集成将天科合达评为其"2023年度优秀供应商"。碳化硅衬底是制造碳化硅功率器件的重要支撑材料,在衬底上生长一层很薄的外延层,然 ...
分类:    2024-2-18 09:37
碳化硅,要卷疯了
碳化硅,要卷疯了
去年年初,特斯拉CEO马斯克表示:“将减少75%碳化硅(SiC)芯片用量”,导致国内外二级市场碳化硅产业链公司股价应声下跌。彼时,一句话实实在在地打击了碳化硅芯片市场。随后行业分析表明,特斯拉可能减少了一个器 ...
分类:    2024-2-7 10:04
宽禁带科技论|大幅度提高GaN功率器件短路安全能力,北大团队新型器件技术加速GaN进入 ...
宽禁带科技论|大幅度提高GaN功率器件短路安全能力,北大团队新型器件技术加速GaN进入 ...
氮化镓(GaN)功率器件具有击穿电压高、导通损耗低等优异特性,有望成为下一代高密度、高频率电力系统的主流器件。由于其出色的高频性能,GaN功率器件在消费类电子产品中,如快充充电器,已经展示出明显的优势。然而 ...
分类:    2024-2-7 09:41
论文推介丨山东大学·原料颗粒度对AlN晶体生长的影响
论文推介丨山东大学·原料颗粒度对AlN晶体生长的影响
以氮化铝(AlN)为代表的超宽禁带半导体材料在紫外光电器件、5G射频器件、功率器件等领域具有广阔的应用前景。然而当前大尺寸和高质量单晶的缺乏,严重制约了AlN的商业化应用,大尺寸、高质量AlN晶体的制备已成为近年 ...
分类:    2024-2-6 09:52
陈小龙:35岁“从零开始”,他让外国再也“卡”不住我们
陈小龙:35岁“从零开始”,他让外国再也“卡”不住我们
陈小龙(前)和团队在做实验。物理所供图“要么做真正原创性的基础研究,要么做意义重大、促进产业发展的研究,不能做一些‘两不靠’的工作,这些意义不大,我们的理想是两者兼顾。”这是中国科学院物理研究所研究员 ...
分类:    2024-2-6 09:44
AQG324针对SiC新要求
AQG324针对SiC新要求
近期工作涉及到SiC模块测试相关工作,了解了一下AQG324针对SiC的新要求。从后面的视频中摘一些关键信息,方便查询。汽车功率模块的开发过程中有一个非常重要的测试标准,就是AQG324。它是欧洲电力电子中心(European ...
分类:    2024-2-5 10:19
基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术
基于碳化硅等离子体器件的功率脉冲锐化技术
01摘要利用Sentaurus搭建了碳化硅漂移阶跃恢复二极管(DSRD)与雪崩整形二极管(DAS)全电路仿真模型,研究了碳化硅等离子体器件在脉冲锐化方面的能力,并且通过器件内部等离子浓度分布解释了这两种器件实现脉冲锐化 ...
分类:    2024-2-5 10:11
英飞凌、本田就SiC功率半导体等达成合作
英飞凌、本田就SiC功率半导体等达成合作
2024年以来,SiC领域合作签约不断。前两天,本田汽车宣布与一家SiC厂商达成合作,旨在借助SiC技术打造出先进汽车,详情请往下看。英飞凌、本田就SiC功率半导体等达成合作2月1日,英飞凌宣布,他们已与本田汽车有限公 ...
分类:    2024-2-5 10:08
关于征集宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会委员的通知
各相关单位:中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标准化委员会(简称“宽禁带联盟标委会”)自2016年11月成立以来,便一直致力于推动宽禁带半导体产业标准化工作,并制定出了一批快速响应创新和市场需求的宽禁带半导 ...
分类:    2024-2-5 09:56

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