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武汉大学周圣军：巨量转移是Micro-LED商业化应用的主要技术瓶颈: 近年来，在政府资金和其他激励措施的支持和推动下，国内涌现出一大批优秀且专业的半导体团队和创业公司。伴随着光伏和新能源汽车等优势产业的发展，供应链机遇推动化合物半导体市场愈加火热，不断实现高速增长和技术 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-4 10:00

深圳大学刘新科AOM：基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器: 摘要：深圳大学材料学院刘新科课题组成功在氮化镓单晶衬底上外延了具有p型导电特性的高质量连续的MoxRe1-xS2薄膜，制备了一个完全垂直的p-2D/GaN异质光电二极管。器件具有突出的光开关比（ 106）和极高的光探测率（6 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-4 09:59

宽禁带联盟第七批团体标准草案评审会顺利召开: 2024年2月1日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第七批团体标准草案评审会顺利召开，本次评审会采取线上评审的形式，分别对《金刚石单晶表面应力分布测定拉曼光谱法》、《金刚石单晶 ...; 分类: 联盟动态 2024-2-4 09:34

【立项征集】关于征集中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第八批团体标准项目立项提案 ...: 宽禁带联盟第八批团标立项征集将于2024年3月截止，欢迎符合申报范围的各相关单位积极参与标准立项~第八批团体标准项目立项提案的通知.pdf1A 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟团体标准管理办法.pdf2 附件一-制修订 ...; 分类: 公告通知 2024-2-4 09:30

重磅新品 | 清纯半导体推出1200V 3.5mΩ SiC MOSFET芯片: 近日，清纯半导体发布消息称，公司正式推出1200V/3.5 mΩ的SiC MOSFET芯片（型号：SG2MA35120B）及对应SOT227封装器件（型号：S1P04R120SSE）产品。以满足客户在高性能、大功率应用的需求。下图 1和图2 分别展示了该 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-2 09:37

技术讨论 | SiC MOSFET 如何助力电动汽车逆变器工作人员优化设计: 纯电动汽车(BEV)需求的不断增长推动了碳化硅产品（尤其是 MOSFET）市场的显着增长。如果没有SiC及其所带来的效率提升，今天的纯电动汽车就无法展现出长行驶里程、强劲的加速度和舒适的舒适性。高增长率持续吸引着大 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-2 09:28

总价值约为 2.75 亿美元，Wolfspeed再签单: 1月31日，据Wolfspeed官网消息，Wolfspeed宣布扩大与一家全球领先半导体公司现有的长期碳化硅晶圆供应协议。据悉，扩大后的协议目前总价值约为 2.75 亿美元。协议要求 Wolfspeed 向该公司提供150mm 碳化硅裸片和外延 ...; 分类: 新闻通知 2024-2-2 09:21

《宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？》成功举办！: 1月31日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、机械工业出版社主办的“宽禁带半导体大讲堂——8英寸时代，设备厂商如何破局量产问题？”在机械工业出版社融媒体中心成功举办！活动得到了中关村联盟联合会、创客总 ...; 分类: 联盟动态 2024-2-2 09:17

厦大物理宽禁带半导体团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展: 近日，厦门大学宽禁带半导体团队基于扫描隧道探针技术在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展，相关成果以“Manipulations of electronic and spin states in Co-quantum dot/WS2 heterostructure on a metal-d ...; 分类: 新闻通知 2024-2-1 09:58

芯联集成与蔚来签署SiC模块生产供货协议: 继2023年12月意法半导体与理想汽车签署一项碳化硅（SiC）长期供货协议、今年1月初安森美与理想汽车续签长期供货协议后，SiC加速上车进程又迎来了一起合作案例。source：拍信网1月30日，芯联集成官宣与蔚来签署了SiC ...; 分类: 新闻通知 2024-2-1 09:37

接洽3家SiC企业！这家汽车巨头也要加速国产替代？: 最近，国内另一家汽车巨头——奇瑞汽车连续洽会见了3家碳化硅企业，也似乎在加快与国内碳化硅企业的合作，详细情况请往下看。会面昕感、阿基米德奇瑞积极寻求SiC国产替代最近，有2家碳化硅企业透露，他们奇瑞汽车就 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-31 09:12

两个思维导图，关于SiC价值链: 图片1来源：ADVANCED PROPULSION CENTRE UK图片2来源：McKinsey Company; 分类: 新闻通知 2024-1-31 09:07

联合攻关成果！首个1700V GaN HEMT器件发布: 近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-26 09:21

GaN技术，新变局: 目前，以传统半导体硅（Si）为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。但现有的硅基功率技术正接近材料的理论极限，只能提供渐进式的改进，无法满足现代电子技术对耐高压、耐高温、高频率、高功率乃至抗辐 ...; 分类: 新闻通知 2024-1-26 09:15

技术解析｜采用SiC功率模块的高效逆变器设计: 分类: 新闻通知 2024-1-25 09:29

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