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【报告分享】车用碳化硅功率模块设计探索
【报告分享】车用碳化硅功率模块设计探索
特 别 致 谢 下 列 专 家报告专家:宁圃奇 研究员中国科学院电工所推荐专家:齐 昕 副教授北京科技大学/宁圃奇/宁圃奇,博士,研究员,宽禁带半导体技术创新联盟副秘书长。2004年毕业于清华大学电机系获工学学士,20 ...
分类:    2023-12-6 09:46
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
中科大龙世兵课题组 | 基于交变栅压调制的Ga2O3光电探测器
研究简介最近,中国科学技术大学龙世兵课题组提出了一种Ga2O3光电探测器的交变栅压调制方案,为光电探测器的研究提供了新的思路。日盲光电探测器在现今世界的光电系统中发挥着重要作用,然而几乎所有基于光电导效应 ...
分类:    2023-12-5 11:07
半导体检测行业深度:市场格局、国产替代机遇及相关企业深度梳理
半导体检测行业深度:市场格局、国产替代机遇及相关企业深度梳理
半导体检测是控制芯片制造良率的关键环节,整个设备市场规模约占半导体设备市场的13%,仅次于刻蚀机、光刻机、薄膜沉积设备。目前中国检测设备的国产化率仍较低,市场主要由几家垄断全球市场的国外企业占据主导地位 ...
分类:    2023-12-5 10:32
华为SiC的两个终端「杀手锏」
华为SiC的两个终端「杀手锏」
11月28日,华为与奇瑞汽车共同打造的智界S7正式上市。该系列拥有Pro、Max、Max+、Max RS共四款车型,售价为24.98-34.98万元。官方表示,目前新车预定量已经突破20000辆。动力方面,智界S7搭载全新一代DriveONE 800V ...
分类:    2023-12-5 09:38
新品 | 瞄准充电桩市场,Nexperia推出首款1200V SiC MOSFET
新品 | 瞄准充电桩市场,Nexperia推出首款1200V SiC MOSFET
本月初,三菱电机与 Nexperia宣布将共同开发 SiC 功率半导体,由三菱电机开发和供应 SiC MOSFET 芯片,Nexperia 将使用该芯片来开发 SiC 分立器件产品。昨日, Nexperia BV就已推出与三菱合作的首款碳化硅 (SiC) MOS ...
分类:    2023-12-5 09:30
这家晶圆代工厂加快第三代半导体布局
这家晶圆代工厂加快第三代半导体布局
据韩媒ETnews消息,近日,韩国晶圆代工大厂东部高科(DB HiTek)聘请了一位来自安森美的功率半导体专家。业内人士透露,东部高科聘请了安森美半导体前技术开发高级总监Ali Salih,并让他负责氮化镓(GaN)工艺开发。 ...
分类:    2023-12-4 09:44
热应力下的阈值漂移及器件可靠性
热应力下的阈值漂移及器件可靠性
P-GaN HEMT 器件电热仿真结果半导体器件如HEMT器件在长时间工作后会产生自热应力,严重的自热效应会使沟道温度升高,电子迁移率降低,阈值电压漂移,自热应力下载流子的输运机制会发生变化,进而会影响器件的可靠性 ...
分类:    2023-12-4 09:41
1个月5家!光储充SiC需求升温
1个月5家!光储充SiC需求升温
SiC持续受到光储充行业青睐!近期,星星充电、中建建工、云充科技、Compleo、通合科技等光储充企业不断推出基于SiC的创新产品及技术,详情请看下文。中建建工、云充科技等推出SiC超充桩新技术●中建建工发布大功率Si ...
分类:    2023-12-1 10:17
碳化硅行业深度报告
碳化硅行业深度报告
800V 车型密集发布,碳化硅是 800V 高压快充标配。碳化硅耐高压特性 适配 800V 高压快充车型,同时 SiC 方案可实现新能源汽车三电系统降 本、增效。23 年有小鹏 G6、极氪 X、智己 LS6 等多款 20-25 万元价格 段的标 ...
分类:    2023-12-1 10:11
Talk | 安森美 :SiC产品实力与如何再下一城
Talk | 安森美 :SiC产品实力与如何再下一城
今年10月,onsemi韩国富川的碳化硅超大型制造工厂扩建工程完工,这一消息受到了业内人士广泛的瞩目,因为这一扩建计划将使onsemi富川工厂成为全球最大、最先进的SiC制造工厂之一。根据消息,该工厂全负荷生产时,每 ...
分类:    2023-12-1 09:47
碳化硅x医疗行业|CT影像设备高压发生器碳化硅应用
碳化硅x医疗行业|CT影像设备高压发生器碳化硅应用
2023年11月26日至30日,全球最具影响力的放射学学术盛会RSNA北美放射学会年会,在美国芝加哥迈考密展览中心举行。今年RSNA大会的主题是“Leading Through Change”(变革引领未来)。一百多年来,RSNA一直是全球放射 ...
分类:    2023-11-30 09:46
SiC探讨 | SiC FET的脉冲电流能力量化
SiC探讨 | SiC FET的脉冲电流能力量化
宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力,这在固态断路器等应用中尤其有用作者:Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee宽带隙(WBG)器件,尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET,正在引领降低半导体开关 ...
分类:    2023-11-30 09:27
终端的热潮,产品的突破|SiC这两天
终端的热潮,产品的突破|SiC这两天
首先来看落地应用方面的好消息,近日,致瞻科技第20000台乘用车碳化硅电动压缩机控制器成功下线。这标志着致瞻在车用空调热管理这一垂直细分行业产业化方面取得了从0到1的突破。据致瞻科技透露,针对纯电动汽车,尤 ...
分类:    2023-11-29 09:54
香港科技大学黄文海副教授β-Ga₂O₃肖特基功率二极管的技术现状
香港科技大学黄文海副教授β-Ga₂O₃肖特基功率二极管的技术现状
由香港科技大学的黄文海老师在期刊《Journal of Semiconductors》中发表了一篇名为A landscape of β-Ga2O3 Schottky power diodes(β-Ga2O3肖特基功率二极管的技术现状)的文章。摘要β-Ga2O3肖特基势垒二极管在功 ...
分类:    2023-11-29 09:47
聚焦宽禁带 - SiC FET的脉冲电流能力
聚焦宽禁带 - SiC FET的脉冲电流能力
在降低半导体开关的功率损耗方面,宽带隙(WBG)器件的需求量很大,尤其是采用通用封装的SiC FET、碳化硅/SiC JFET和硅/Si MOSFET共源共栅封装。这种配置使自锁(常关)开关具有简单的栅极控制和品质因数(FoM),其 ...
分类:    2023-11-28 09:26

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