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中国移动5G频谱发生变化！: 来源：5G重要信息总之，移动2600波段的5G初期，是80M的？后期移动依次移频，做2600 MHz频段100M的？电信的好处是，保住了自己20M的频谱（2635-2655 MHz）？电信3-5万个TDD基站不用拆除了？在此基础上，他认为，移动 ...; 2018-11-28 09:26

漫谈半导体材料及异质结器件: 来源：中国物理学会期刊网作者：王海龙潘东赵建华 (中国科学院半导体研究所，中国科学院大学材料科学与光电技术学院)摘要半导体材料与器件在当代信息社会中扮演着核心角色，相关产品几乎渗透了人类生活的各个角 ...; 2018-11-28 09:23

Cold Split技术让英飞凌以1.24亿欧元收购Siltectra GmbH公司: POWER COMPONENTS 2018年11月12日发布英飞凌以1.24亿欧元收购了位于德累斯顿的SiC初创公司——SiltectraGmbH。 Siltectra之前已开发了一种创新技术（cold split），可有效处理晶体材料，同时将材料损失降至最低。 ...; 2018-11-23 09:09

301调查更新！清华大学、中国电信、晋华集成、南航都被点名！: 刚刚消息！今日（21日），美国更新了“301条款”调查报告，指责中国，并未改变处于中美贸易冲突核心的“不公平”做法，另增加严厉指责中国企业侵犯美国企业的指控。其中，清华大学、中国电信、晋华集成、南航都被点 ...; 2018-11-22 09:10

【联盟动态】中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟第三批团体标准立项评审会顺利召开: 2018年11月19日上午，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第三批团体标准立项评审会于中国科学院物理研究所D楼211会议室顺利召开。此次评审会旨在对《碳化硅单晶抛光片表面质量自动检测方 ...; 2018-11-21 14:12

化合物半导体技术概述及最新应用: 来源：中国信通院一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大　　化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率 ...; 2018-11-20 17:15

功率半导体Ga2O3开始挑战GaN和SiC: 来源：半导体行业观察半导体世界可能会有一个新的参与者，它以氧化镓技术的形式出现。根据布法罗大学（UB）工程与应用科学学院电气工程副教授Uttam Singisetti博士的说法，这种材料可以在改善电动汽车、太阳能和其他 ...; 2018-11-20 17:14

进击的第三代半导体——碳化硅器件: 来源：碳化硅产业链随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化镓为主的材料备受关注。该领域取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，这 ...; 2018-11-13 09:07

【联盟动态】2018年宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班成功举办: 2018年11月10日，宽禁带外延材料和功率器件制备及检测培训班于中国科学院物理研究所D楼210会议室成功召开。三位在宽禁带半导体领域有着杰出成就的国内专家：孙国胜研究员、张峰博士、许恒宇博士就碳化硅等宽禁带半导 ...; 2018-11-13 09:05

硅基氮化镓技术助力5G发展: 来源：材料深一度随着5G技术的发展，如何提高射频器件各个方面的性能成为了问题的关键，而硅基氮化镓技术的迅速商业化为解决这一关键问题提供了思路。本期，一度姐根据深圳2018国际第三代半导体论坛（IFWS）射频分会 ...; 2018-11-12 09:24

GaN|爱尔兰Fact MR公司预测：氮化镓射频器件市场将在2026年前将以18.4%复合年增长率增 ...: 来源：大国重器根据爱尔兰Fact.MR公司发布研究报告预测，2017～2026年，氮化镓（GaN）射频器件市场将以18.4%的复合年增长率增长，市场规模将在2026年底超过15亿美元。提出更大需求报告指出，随着无线通信产业的蓬勃 ...; 2018-11-12 09:22

2018年何梁何利奖颁奖，56名科学家获奖！: 来源：科学中国人11月6日，备受关注的2018年度何梁何利基金颁奖大会在北京钓鱼台国宾馆举行。全国人大常委会副委员长曹建明出席大会。全国政协副主席、中国科协主席万钢，科技部党组书记、部长王志刚出席并讲话。何 ...; 2018-11-8 09:16

Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购: 位于美国伊利诺伊州芝加哥市的Littelfuse公司已完成对美国德克萨斯州Round Rock的初创公司Monolith Semiconductor Inc的收购，该公司主要是对碳化硅（SiC）功率器件技术进行开发研究。Littelfuse于2015年便开始与Mon ...; 2018-11-8 09:12

我国首款自主研发RapidIO二代交换芯片正式发布: 来源：半导体行业观察11月4日，天津市滨海新区信息技术创新中心对外发布了我国首款自主研发的RapidIO二代交换芯片——NRS1800。该芯片在数据计算、数据采集、数据存储、对外通信领域具有领先优势，可广泛应用于图像 ...; 2018-11-7 08:52

GaN|美国洛马公司氮化镓基长距离识别雷达获技术发展里程碑，为2020年交付导弹防御局做 ...: 来源：大国重器美国洛克希德·马丁（洛马）公司报告说，其长距离识别雷达（LRDR）已经完成了一个带有战术硬件和软件的闭环卫星跟踪；该测试标志实现了一个重要里程碑，LRDR项目将继续发展以满足技术目标，并努力实现 ...; 2018-11-7 08:48

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