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联盟动态

碳化硅器件“上车”:应用热点是电驱,标准尚待统一
碳化硅器件“上车”:应用热点是电驱,标准尚待统一
2023-02-15 08:49·宽禁带联盟如何加快碳化硅功率器件“上车”是2月8-10日在苏州举行的国际第三代半导体论坛上热议的话题。继新能源汽车充电器之后,碳化硅器件“上车”应用的下一个风口是电驱,这方面的国产化正在 ...
2023-2-15 09:38
长飞先进首席科学家刘红超:深刻理解产业发展规律,促进我国化合物半导体产业快速崛起
长飞先进首席科学家刘红超:深刻理解产业发展规律,促进我国化合物半导体产业快速崛起
近年来,化合物半导体市场十分火热,备受关注。回首过去一年,我们共同见证了化合物半导体产业的波澜迭起、挑战丛生,但亦看到了我国化合物半导体的坚韧不拔、欣欣向荣。2023年,化合物半导体行业的发展前景如何?我 ...
2023-2-15 09:31
看点 | 从英飞凌持续扩大碳化硅材料采购,看碳化硅供应链胶着
看点 | 从英飞凌持续扩大碳化硅材料采购,看碳化硅供应链胶着
英飞凌科技首席采购官Angelique van der Burg对能源转换及电动车系统方案而言,碳化硅基半导体是最高效、最具颠覆性的基础性材料。在过去数年内,碳化硅基能源半导体方案呈现强势增长。在缩减被动部件的尺寸后,相较 ...
2023-2-14 09:33
氮化镓外延为何不生长在氮化镓衬底上?一个字:难!
氮化镓外延为何不生长在氮化镓衬底上?一个字:难!
第3代半导体材料拥有硅材料无法比拟的材料性能优势,从决定器件性能的禁带宽度、热导率、击穿电场等特性来看,第3代半导体均比硅材料优秀,因此,第3代半导体的引入可以很好地解决现如今硅材料的不足,改善器件的散 ...
2023-2-14 09:32
第三代半导体了解一下!走进氮化镓
第三代半导体了解一下!走进氮化镓
第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车 ...
2023-2-14 09:11
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展
摘要碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺技术水平不断提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站等领域的应用需求 ...
2023-2-13 09:26
中国电科:促进新要素加速聚集,推进高水平科技自立自强 | 新平台支撑新发展
中国电科:促进新要素加速聚集,推进高水平科技自立自强 | 新平台支撑新发展
编者按:中国电科以国家战略需求为导向,整合关键资源、汇聚优秀人才,集聚力量建设高层次创新平台,奋力推进原创性引领性科技攻关,坚决打赢关键核心技术攻坚战的实践做法,受到光明日报等中央主流媒体广泛关注报道 ...
2023-2-13 09:24
5线齐发!SiC被西门子/NASA等企业热捧
5线齐发!SiC被西门子/NASA等企业热捧
2月8日,国内一家新能源汽车高压电源核心零部件供应商表示将采用车规认证Wolfspeed 碳化硅 MOS产品,并优化其解决方案的性能、充电和成本。不仅在新能源汽车领域,SiC在轨道交通、无线充电、电动飞机以及有源滤波器 ...
2023-2-13 09:09
聚焦SiC,中电化合物与复旦大学宁波研究院进一步合作
聚焦SiC,中电化合物与复旦大学宁波研究院进一步合作
2月3日,复旦大学宁波研究院“十周年发展大会”在宁波前湾新区成功举办。会上,中电化合物与复旦大学宁波研究院签署产学研项目合作协议。通过本次签约,中电化合物将进一步开展深度合作,充分利用复旦大学人才优势、 ...
2023-2-10 10:11
浅谈 | 从功率器件龙头企业的财报看碳化硅市场
浅谈 | 从功率器件龙头企业的财报看碳化硅市场
近日,各大功率器件龙头企业纷纷对外公布年报,更新了业务进展。碳化硅成为2022年各大企业的营收增长利器,各大企业纷纷表示会继续提高对碳化硅的投资。意法半导体:2022年全年营收增长26.4%碳化硅产能扩产预计将占2 ...
2023-2-10 10:09
GaN,迎来新突破!
GaN,迎来新突破!
如今,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,宽禁带,以下简称为:WBG)”新型材料为基础的功率半导体的研发技术颇受关注。基于日本环境省的“为进一步实现碳中和,加速推进应用和普及材料(氮化 ...
2023-2-9 09:49
定向发射的硅基GaN微环激光器及其片上集成
定向发射的硅基GaN微环激光器及其片上集成
图1 定向发射的硅基GaN微环激光器1. 导读以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物是一种直接带隙半导体,具有宽的发光光谱范围和高的发光效率,被广泛应用于制备高性能的光电器件,如激光器、发光二极管、探测器等。这其 ...
2023-2-9 09:43
4H碳化硅单晶中的位错
4H碳化硅单晶中的位错
摘要4H 碳化硅(4H-SiC)单晶具有禁带宽度大、载流子迁移率高、热导率高和稳定性良好等优异特性,在高功率电力 电子、射频/ 微波电子和量子信息等领域具有广阔的应用前景。 经过多年的发展,6 英寸(1 英寸 = 2. 54 cm)4H ...
2023-2-8 09:21
HVPE-GaN生长
HVPE-GaN生长
导 读本期主题:HVPE-GaN growthOn the bumpy road to bulk GaN and high quality wafers报告作者:unipress来源:芯TIP
2023-2-8 09:15
签下六年保供协议,派恩杰确定SiC营收新目标
签下六年保供协议,派恩杰确定SiC营收新目标
2022年碳化硅(SiC)行业全产业链经历了全面的爆发,一边是电动汽车快速发展带来了旺盛的SiC功率器件需求——SiC可为电动汽车提供更快的充电速度和更长的行驶里程;一边则是因为SiC衬底晶圆缺货导致的SiC芯片供应不 ...
2023-2-8 09:13

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