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联盟动态

功率转换 | 是时候消灭死区时间了
在现代电力转换应用中，利用开关电源器件的空载时间一直是一个必要的缺点，设计者已经学会了如何生存，以确保可靠和无忧的运行▋有效与控制死区时间死区时间是指当接通时间重叠将导致交叉导通电流时，两个器件的关断 ...
2023-1-19 09:32
芯塔电子·年末专访 | 实现全供应链国产化、布局碳化硅功率模块产线
导 读本期我们邀请到芯塔电子，一起聊聊芯塔电子2022的碳化硅“故事”，以及公司对2023年规划与准备。Q：芯塔电子2022年有哪些新的收获？A:1. 2022年，芯塔电子推出六款650V-1700V具有自主知识产权SiC MOSFET。产品 ...
2023-1-18 09:28
第三代半导体电力电子高性能封装和互连技术详解
来源：半导体之芯
2023-1-18 09:16
是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。
2023-1-18 09:12
质子解决了长期存在于SiC中的问题
在器件制造之前进行质子注入可以释放SiC的真正潜力4H-SiC的一个紧迫问题是其双极性退化，这是由4H-SiC晶体中的层错扩展引起的。简单地说，晶体结构中的小位错随着时间的推移成长为称为“单一肖克利堆积缺陷”的大缺 ...
2023-1-17 09:38
高功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响
本期主题：高功率应力对高压GaN HEMT动态导通电阻的影响报告作者：Donghyun Jin and Jesús A. del Alamo▲ 报告来源：Impact of high-power stress on dynamic ON-resistance of high-voltage GaN HEMTs▲ 报告作者 ...
2023-1-17 09:35
工艺 | 车规碳化硅功率模块的衬底和外延
中国汽车工业协会最新数据显示，2022年1月至11月，新能源汽车产销分别完成625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，市场占有率达到25%。由此可见新能源汽车的发展已经进入了快车道。在这里我们注意到，由于里程焦虑和 ...
2023-1-17 09:33
氮化镓的拐点
GaN Systems首席执行官Jim Witham认为，由于电动汽车、数据中心和工业电机等多个领域的销量激增，氮化镓器件现已达到拐点。在过去的几年里，由于器件出货量的巨大增长，以及芯片制造商的几次大规模产能扩张，SiC一直 ...
2023-1-17 09:31
氮化镓的合成制备及展望
摘 要：氮化镓作为第三代半导体的代表，具有优越的电学性能，它在光电子器件如：蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.。氮化镓的合成制备，对全球半导体产业的发展具有重要意义，目前已经 ...
2023-1-16 10:24
英飞凌和 Resonac 宣布扩大合作范围
导 读英飞凌和 Resonac 宣布扩大合作范围，并就碳化硅 (SiC) 材料的交付达成新的多年期协议1 月 12 日，根据英飞凌官网消息，英飞凌科技股份公司正在扩大与碳化硅 (SiC) 供应商的合作。英飞凌与 Resonac Corporation ...
2023-1-16 10:23
先进封装技术介绍
半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Wafer level package），2.5D封装（interpo ...
2023-1-13 09:30
英特尔首个Chipl式发布et处理器，正式发布
在经过多次的延期以后，英特尔首个基于Chiplet设计的第四代至强可扩展服务器处理器Sapphire Rapids终于正式发布。据介绍，该系列处理器包括了包括常规版本和注入 HBM 的Max版本。外媒tomshardware更是直言，英特尔拥 ...
2023-1-13 09:27
达摩院2023十大科技趋势公布：Chiplet、存算一体等入选！
1月11日，《达摩院2023十大科技趋势》发布，多模态预训练大模型、Chiplet、存算一体、云原生安全、软硬融合云计算体系架构、端网融合的可预期网络、双引擎智能决策、计算光学成像、大规模城市数字孪生、生成式AI等十 ...
2023-1-13 09:25
氧化镓，第四代半导体来了？
如何鉴定氧化镓呢？第四代半导体材料主要是以金刚石、氧化镓、氮化铝为代表的超宽禁带（UWBG）半导体材料，禁带宽度超过4eV，以及以锑化物（GaSb、InSb）为代表的超窄禁带（UNBG）半导体材料。在应用方面，超宽禁带 ...
2023-1-12 09:49
GaN材料与器件介绍、故障机制概述
本期主题：GaN材料与器件介绍、故障机制概述报告作者：Giorgia Longobardi▲ 报告来源：Lecture given by Dr. Giorgia Longobardi (Cambridge - UK).▲ 报告作者：Giorgia Longobardi来源：芯TIP
2023-1-12 09:43
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