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联盟动态

北京大学沈波教授:我国第三代半导体技术和产业发展面临三大挑战
北京大学沈波教授:我国第三代半导体技术和产业发展面临三大挑战
当前,我国第三代半导体技术和产业发展主要面临三大挑战:一是国际政治和经济环境急剧变化,技术封锁危险加剧;二是产业“卡脖子”问题亟待解决;三是国际上已进入产业化快速发展阶段,我国核心材料芯片产业化能力亟 ...
2022-9-2 11:31
【联盟动态】2022年8月热点资讯汇编|聚焦第三代半导体前沿
【联盟动态】2022年8月热点资讯汇编|聚焦第三代半导体前沿
2022年8月热点资讯汇编【新品发布】1. 东芝推出第三代SiC MOSFET,包含1200V和650V两种规格8月30日消息,东芝宣布,推出新款功率器件——第三代碳化硅(SiC)MOSFET “TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显 ...
2022-9-2 11:30
汪炼成:第三代半导体制造:硬骨头还要硬啃
汪炼成:第三代半导体制造:硬骨头还要硬啃
作者简介汪炼成,中南大学特聘教授,高性能复杂制造国家重点实验室研究员,从事第三代半导体器件研究。第三代半导体材料具有和传统半导体硅不同的材料性质,具有“五高”特征:高电压,高工作温度,高频,高功率密度 ...
2022-9-2 11:29
下一代功率电子材料--AlGaN
下一代功率电子材料--AlGaN
到目前为止,SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)作为功率电子器件晶体管的半导体材料的研发已经取得进展,并且已经开始实用化。通常由轻元素构成的半导体的介电击穿电阻较高,但是如果将GaN中的一部分Ga替换为较轻的Al并 ...
2022-9-2 11:29
论文合集选 | 宽禁带半导体
论文合集选 | 宽禁带半导体
索引1. 高效InGaN纳米蓝色发光二极管2. 基于电导率控制的GaN纳米线阵列的自供电和柔性压电传感器,可用于模拟快速和慢速适应的机械感受器3. 超宽带隙半导体Ga2O3功率二极管4. 分辨率超视网膜极限的量子点集成GaN发光 ...
2022-9-2 11:27
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望
碳化硅功率器件封装关键技术综述及展望
来源:中国电机工程学报
2022-8-25 09:39
碳化硅渗透“踩油门”:衬底大厂释放积极信号 撑起板块涨停潮
碳化硅渗透“踩油门”:衬底大厂释放积极信号 撑起板块涨停潮
就在8月18日,第三代半导体概念股走强,Choice碳化硅指数(861369)涨超4%。截至收盘,天岳先进、民德电子20cm涨停;光莆股份涨超17%;晶盛机电涨超10%,创下历史新高;东尼电子、宇环数控涨停;长飞光纤、三安光电 ...
2022-8-25 09:38
第三代半导体自画像
第三代半导体自画像
|作者:陆 敏(1《化合物半导体》编辑部)(2 常州臻晶半导体有限公司)本文选自《物理》2022年第6期01引 言特斯拉市值破万亿美金,Wolfspeed在纽交所上市、Navitas在纳斯达克上市、山东天岳科创板IPO成功过会,这些都是 ...
2022-8-25 09:37
国内最低导通电阻SiC MOSFET通过车企和Tier1厂商测试
国内最低导通电阻SiC MOSFET通过车企和Tier1厂商测试
近日,清纯半导体推出了1200V/14mΩ SiC MOSFET 产品-S1M014120H,并通过了车企和tier1厂商的测试。S1M014120H具有业界领先的低导通电阻,其静态导通特性和动态开关特性均达到了国际一流水平,可应用于新能源汽车电 ...
2022-8-22 18:49
路子越走越宽的GaN
路子越走越宽的GaN
来源:半导体行业观察近年来,在材料生长、器件制备等技术的不断突破下,第三代半导体的性价比优势逐渐显现。其中,氮化镓从2018年开始,凭借着在消费类快充电源领域的如鱼得水,其发展也逐渐驶入了快车道,业界甚至 ...
2022-8-22 18:48
SiC功率模块可靠性和系统级设计详解
SiC功率模块可靠性和系统级设计详解
2022-8-22 18:47
氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展(下)
氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展(下)
IMS基板在GaN功率器件/模块中使用时,目前未见有独特的结构设计。IMS基板是通过底部金属基板进行散热,表面电路层和底部金属基板之间的绝缘层是热量传递的主要障碍。IMS基板热阻略高于DBC基板,是其热阻的1.5倍;但 ...
2022-8-22 18:46
氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展(上)
氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展(上)
0 引言近年来,电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展,对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限,氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料具有 ...
2022-8-22 18:44
规模化上车机遇不等人 SiC衬底的8英寸晋级之路
规模化上车机遇不等人 SiC衬底的8英寸晋级之路
来源:爱集微作为SiC产业链中技术壁垒最高的环节,无论是今后的降本还是大规模产业化推进,SiC衬底的核心作用都无可替代。而在市场强烈需求驱动之下,SiC衬底正在进入新一轮技术升级周期中。作者|李延 校对|张轶群 ...
2022-8-11 14:32
安森美,All in 碳化硅
安森美,All in 碳化硅
前言近日,在安森美公布的2022年第2季度财报中,碳化硅成为了最重要的高频词,不仅在CEO Hassan El-Khoury的业绩介绍中频频出现,而且在之后的分析师问答环节也占据了50%以上的时间——按照财报电话会议的规则,每位 ...
2022-8-11 14:31

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